KR980011480A - 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로 및 방법 - Google Patents

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KR980011480A KR1019960031741A KR19960031741A KR980011480A KR 980011480 A KR980011480 A KR 980011480A KR 1019960031741 A KR1019960031741 A KR 1019960031741A KR 19960031741 A KR19960031741 A KR 19960031741A KR 980011480 A KR980011480 A KR 980011480A
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Abstract

본 발명은 휘발성 반도체 메모리장치의 리프레쉬 싸이클에 따라 휘발성메모리를 리프레쉬하는 기술이다. 메모리 장치에서 리프레쉬 싸이클 발생 바로 전에 메모리를 억세스한 로우까지 리프레쉬를 하기 때문에 리프레쉬 시간이 많이 소요되어 읽기 및 쓰기시간이 길어지는 문제를 해결하기 위해 메모리로부터 데이타를 억세스할 때마다 로우 어드레스를 디코딩하여 레지스터에 저장한 후 리프레쉬 어드레스를 디코딩하여 상기 디코딩한 리프레쉬 어드레스에 해당하는 위치의 비트값을 상기 레지스터로부터 선택출력하여 리플레쉬 싸이클 바로 이전에 메모리를 억세스한 로우어드레스에 대하여 리프레쉬를 실행하지 않도록 하여 리프레쉬 시간을 단축하며, 이 단축된 시간만큼 더 많은 데이타를 억세스한다.

Description

반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 메모리장치의 리프레쉬 회로도.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리장치의 리프레쉬 회로도.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 리프레쉬 동작을 수행하는 흐름도.
제1도는 본 발명의 리프레쉬 동작에 따른 레지스터에 대한 비트값의 변화를 나타낸 예시도.
본 발명은 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로 및 방법에 관한 것으로, 특히 휘발성 반도체 메모리장치의 리플쉬 싸이클을 제어하는 리프레쉬 처리회로 및 방법에 관한 것이다. 통상적으로 디램(DRAM)과 같은 휘발성 메모리는 구조적 특성상 일정한 시간이 지나면 방전되어 저장한 데이터가 사라진다. 이것을 막기위해서 일정한 시간 간격으로 전기적인 작용을 가해주어서 저장한 데이터를 보존시키는데 이러한 동작을 리프레쉬(REFRESH)라고 한다. 상기와 같은 메모리를 제어하는 콘트롤러는 데이터를 읽거나 쓸 때에 로우 어드레스(ROW ADDRESS)와 칼럼 어드레스(COLUMN ADDRESS)로 메모리의 위치를 선택하지만, 리프레쉬(REFRESH)를 할 때에는 로우어드레스(ROW ADDRESS)만이 사용된다. 상기 리프레쉬는 일정한 주기로 반복하여 로우 어드레스(ROW ADDRESS)를 이용하여 메모리내의 해당하는 로우(ROW)어드레스를 선택하기만 하면된다. 제 1도는 종래의 반도체 메모리장차의 리프레쉬 회로도이다. 상기 제1도와 같은 리프레쉬의 동작은 다음과 같다. 메모리 22는 각종 데이터를 저장한다. 메모리 콘트롤로직 12는 메모리 22를 읽기 또는 쓰기 동작을 하도록 제어한다. 메모리 22에 읽기 또는 쓰기 동작중에 리프레쉬 타이머(REFRESH TIMER) 10은 일정한 주기로 리프레쉬 리케스트(REFRESH REQUEST : RFRQ)신호를 액티브시켜 리프레쉬(REFRESH)를 요한다. 예를 들면, 512개의 로우를 모두 리프레쉬(REFRESH)하는데 8ms의 시간을 요구하는 메모리가 있다면, 이 메모리는 15.5u마다 한 번씩은 각각의 로우에 대해서 리프레쉬가 필요하다. 그러므로 8ms내으 512개의 로우를 모두 리프레쉬할 수 있다. 이때 메모리 콘트롤 로직 12는 메모리22에 읽기 또는 쓰기 동작을 끝낸후 리프레쉬 타이머 10의 RFRQ신호에 의해서는 #RAS신호를 액티브시키고 #RAS신호의 폴링에지(falling edge)에서 리프레쉬 콘트롤 신호인 RFC 신호를 로우(LOW)로 출력한다. 리프레쉬 어드레스 카운터 14는 메모리 콘트롤로직 12로부터 출력되는 리프레쉬 제어(REFRESH CONTROL)신호인 신호를 로우 액티브(LOW Active)시키면 이 신호를 받아서 카운터값을 증가시켜 리프레쉬 어드레스를 출력한다. 이때 메모리 콘트롤 로직 12는 어드레스 카운터 MUX 20을 제어하여 상기 리프레쉬 어드레스 카운터 14로부터 출력되는 로우 어드레스를 메모리 22로 보낸다. 이때 메모리 22의 로우가 선택되면 리프레쉬가 종료된다. 상기 메모리 22의 리프레쉬가 종료되면 메모리 콘트롤 로직 12RFC신호를 하이로 바꾸어 리프레쉬 타이머 10을 리세트 시킨다. 이때 상기 리프레쉬타이머 10은 다음 리프레쉬를 위해 새로운 카운팅을 시작한다. 만약 리프레쉬가 시작될 때, 메모리 22를 읽기나 쓰기 동작중이었다면 이 동작이 끝나자마자 리프레쉬가 시작된다. 한편 로우어드레스 래치(ROW ADDRESS) 16는 메모리 22에 데이터를 읽기 또느 쓰기 동작시에 도시하지 않은 CPU로부터 공급되는 로우 어드레스 래치한다. 컬럼 어드레스 래치(COLUMN ADDRESS LATCH) 18은 메모리 22에 데이터를 읽기 또는 쓰기 동작시에 도시하지 않은로부터 공급되는 컬럼어드레스를 래치한다. 어드레스 MUX 20은 상기 리프레쉬 어드레스 카운터 14로부터 출력된 리프레쉬 어드레스와 상기 로우 어드레스 래치 16로부터 출력된 로우어드레스와 상기 칼럼 어드레스 래치 18로부터 출력된 칼럼 어드레스를 입력하여 상기 메모리 콘트롤 로직 12로부터 출력되는 선택신호(SELECT)에 의해 상기 세 입력신호중 하나를 선택하여 메모리 22로 보낸다. 그러던 메모리 22에 데이터를 쓰거나 기록되어 있는 데이터를 읽게된다. 상기와 같이 종래에는 메모리 22내의 모든 로우를 리프레쉬하고 있다. 그러나 가장 최근에 메모리 22를 읽기나 쓰기 동작이 일어난 로우까지 리프레쉬를 하기 때문에 리프레쉬 시간이 많이 소요되어 읽기 및 쓰기이 길어지는 문제점이 있었다. 본 발명의 목적은 휘발성 반도체 메모리장치에서 가장 최근에 읽기나 쓰기 동작을 한 로우를 리프레쉬하지 않도록 하여 리프레쉬 사이클시간을 단축시켜 데이터의 읽기 또는 쓰기를 더 할수 있도록 하여 시스템의 성능을 향상시킬수 있는 리프레쉬 처리회로 및 방법을 제공함에 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 메모리로부터 데이터를 엑세스할때마다 로우 어드레스를 디코딩하여 레지스터에 저장한 후 리프레쉬 어드레스를 디코딩하여 상기 디코딩한 리프레쉬 어드레스에 해당하는 위치의 비트값을 사이 레지스터로부터 선택출력하여 리플레쉬 싸이클 바로 이전에 메모리를 억세스한 로우어드레스에 대하여 리프레쉬를 실행하지 않도록 함을 특징으로 한다. 이와 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 제 2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리장치의 리프레쉬 회로도이다. 리프레쉬 타이머 10는 리세트신호가 입력된 후 클럭신호를 받아 카운팅하여 설정된 주기로 리프레쉬 요구신호를 메모리 콘트롤 로직 12로 출력한다. 메모리 22는 #RAS 및 #CAS신호와 리드 및 라이트 인에이블신호(R/#W)를 메모리 22로 출력하며, 리프레쉬 제어신호(RFC)신호를 발생하여 오아게이트 34의 한단자로 인가하고, 로우 어드레스선택신호, 칼럼어드레스 선택신호, 리프레쉬 어드레스 선택신호중 하나를 발생하여 어드레스 MUX 20의 선택단자로 인갛나다. 상기 오아게이트 34의 출력은 리프레쉬 타이머 10로 연결되는 동시에 인버터 32를 통해 리프레쉬 어드레스 카운터 14로 접속된다. 상기 리프레쉬 카운터 14의 출력은 리프레쉬 어드레스 디코더 26의 입력단으로 연결되는 동시에 어드레스 MUS 20의 한 입력단으로 연결된다. 상기 리프레쉬 어드레스 디코더 26의 입력단으로 연결되는 동싱 어드레스 MUX 20의 한 입력단으로 연결된다. 상기 리프레쉬 어드레스 디코더 26은 선택기 28로 접속되고, 상기 선택기 28의 출력은 레지스터 30의 클리어단자로 연결되는 동시에 상기 오아게이트 34의 한 입력단으로 접속된다. 그리고 로우 어드레스 래치 16은 도시하지 않은 CPU로부터 로우 어드레스를 입력하여 래치시켜 어드레스 MUX 20의 다른 입력단으로 출력한다. 컬럼 어드레스 래치 18은 도시하지 않은 CPU로 부터 칼럼 어드레스를 입력하여 래치시킨후 어드레스MUX 20의 또 다른 입력단으로 출력한다. 상기 어드레스MUX 20의 출력단은 메모리 22의 어드레스 입력단에 연결되는 동시에 로우어드레스 디코더 24의 입력단으로 접속된다. 상기 로우 어드레스 디코더 24의 출력단은 레지스터 30의 입력단과 연결되어 상기 리프레쉬 어드레스 디코더 24로부터 디코딩한 로우 어드레스를 저장한다. 상기 선택기 28은 레지스터 30와 연결되면 상기 리프레쉬 어드레스 디코더 26으로부터 디코딩한 리프레쉬 어드레스값에 해당하는 비트값을 레지스터 30에서 선택항 상기 레지스터 30을 리세트시키나 리프레쉬 타이머 10 및 리프레쉬 어드레스 카운터 14를 리세트 시킨다. 제3도는 본 발명의 실시예에 따른 리프레쉬 동작을 수행하는 흐름도이다. 제4도는 본 발명의 리프레쉬 동작에 따른 레지스터에 대한 비트값의 변화를 나타낸 예시도이다. 상술한 제1도내지 제4도를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 동작을 다음과 같이 설명한다. 리프레쉬타이머(REFRESH TIMER) 10은 일정한 주기로 리프레쉬 리퀘스트(REFRESH REQUEST : RFRQ)신호를 액티브시켜 리프레쉬(REFRESH RFRQ)를 요구한다. (101단계) 메모리 22는 각종 데이터를 저장한다. 메모리 콘트롤 로직 12는 메모리 22를 읽기 또는 쓰기동작을 하도록 제어한다. 또한 메모리 콘트롤 로직 12는 리프레쉬 타이머 10의 RFRQ신호에 의해서 #RAS신호를 액티브시키고 (102단계), #RAS신호의 폴링에지(falling edge)에서 리프레쉬 콘트롤 신호를 로우(LOW)로 출력한다. 리프레쉬 어드레스 카운터 14는 메모리 콘트롤로직 12로부터 출력되는 리프레쉬 제어(REFRESH CONTROL)신호인 RFC신호를 로우 액티브(LOW Active)시키면 이 신호를 받아서 카운터값을 증가시켜 리프레쉬 어드레스를 출력한다. (103단계) 이때 메모리 콘트롤 로직 12는 어드레스 카운터 MUX을 제어하여 상기 리프레쉬 카운터 14로부터 출력되는 로우 어드레스를 메모리 22로 보낸다. 메모리 22는 상기 어드레스 MUX 20로부터 선택된 로우 어드레스를 디코딩하여 해당하는 로우를 선택하게 되면 리프레쉬가 된다. (104단계) 이때 메모리 콘트롤 로직 12는 #RAS신호를 하이로 생성하여 메모리 22로 출력하고, RFC신호를 로우에게 하이로 출력하여 오아게이트 34를 통해 리프레쉬 타이머 10로 인가하여 리프레쉬가 종료되었음을 알린다. 상기 리프레쉬 타이머 10는 RFC신호가 로우에서 하이로 인가되면 리세트되어 다음 리프레쉬를 위해 새로운 시간 카운팅을 시작한다. (105단계) 이와 동시에 리프레쉬 어드레스 카운터 14는 다시 카운턱값을 증가시킨다. (106단계) 한편 리프레쉬가 종료된 후 메모리 콘트롤 로직 12는 리프레쉬 타이머 10으로부터 리프레쉬 요구신호가 들어올 때까지 다시 메몰 22에 데이터를 읽기 또는 쓰기동작을 수행한다. 로우 어드레스 디코더 24는 상기 메모리 22에 데이터를 읽기 또는 쓰기 동작이 일어날 때마다 어드레스 MUX 20로부터 선택되는 디코딩된 로우 어드레스를 저장한다. 이때 리프레쉬 어드레스 디코더 26는 상기 리프레쉬 어드레스 카운터 14로 부터 출력되는 카운팅값을 디코딩하여 선택기 28로 인가한다. 이때 선택기 28은 리프레쉬 어드레스 디코딩값에 해당하는 레지스터 30의 비트값을 선택하여 출력한다.(108단계) 상기 선택기 28로부터 선택된 비트값이 1이면 리프레쉬 타이머 10는 리세트되어 다음 리프레쉬를 위해 다시 시간값을 카운팅한다. (105단계) 그리고 리프레쉬 어드레스 카운터 14는 처음부터 다시 카운팅값을 증가시켜 출력한다. 그러면 또 다시 리프레쉬 어드레스 디코더 26은 상기 리프레쉬 어드레스 카운터 14로 부터 출력되는 카운팅값을 디코딩하여 선택기 30로 인가한다. 이때 선택기 28는 상기 리프레쉬 어드레스 디코딩값에 해당하는 레지스터 30의 비트값을 선택하여 출력한다. 따라서 선택기 28에서 선택되는 비트값이 1이면 전술한 동작을 반복하게 되므로 리프레쉬 싸이클이 발생하지 않게 되어 리프레쉬 동작이 발생하지않는다. 그러나 상기 비트값이 0이면 이 값은 리프레쉬 타이머 10나 리프레쉬 어드레스 카운터 14의 상태를 변화시키지 않고 레지스터 30에 저장되어 있는 로우 어드레스 디코딩값의 비트들을 0으로 리세트시킨다. (109단계) 그리고 다음 리프레쉬 싸이클에서는 현재 상태의 리드레쉬 어드레스 카운터 14의 카운팅값에 해당하는 로우에 대하여 리프레쉬를 하게 된다. 즉, 현재 리프레쉬가 끝나 로우 어드레스의 다음 로우 어드레스에 다음 리프레쉬 싸이클 메모리 22에 데이터를 일기 또는 쓰기 동작이 일어났다면 그 어드레스에 대해서는 리프레쉬 싸이클이 발생하지 않도록 하였다. 예를들어 제4도 4a와 같이 로우 어드레스 01h에서 리플쉬가 발생하고 제4도 4b와 같이 로우 어드레스 02h, 03h, 04h에서 메모리 읽기 또는 쓰기 동작이 발생하였다면 제 4도 4c와 같이 로우어드레스 02h, 03h, 04h에는 리프레쉬를 발생하지 않도록 한다. 그리고 제4도 4d와 같이 로우어드레스 05h에서 리프레쉬가 발생하도록 한다. 그리고 설명하지 않은 로우어드레스 래치(ROW ADDRESS LATCH) 16는 메모리 22에 데이터를 읽기 또는 쓰기 동작시에 도시하지 않은 CPU로부터 공급되는 로우 어드레스 래치한다. 칼럼 어드레스 래치(COLUMN ADDRESS LATCH) 18은 메모리 22에 데이터를 읽기 또는 쓰기 동시에 도시하지 않은 CPU로부터 공급되는 컬럼어드레스를 래치한다. 이때 메모리 콘트롤 로직 12은 #RAS 신호를 로우액티브 시키고, 상기 로우 어드레스 래치 16로부터 출력되는 로우어드레스를 메모리 22로 인가되도록 어드레스 MUX 20을 제어하며, #CAS신호를 로우 액티브시키고, 상기 칼럼 어드레스 래치 18로부터 출력된 칼럼어드레스를 메모리 22에 인가되도록 어드레스 MUX 20을 제어한다. 그러면 메모리 22에 데이터를 쓰거나 메모리 22에 기록되어 있는 데이터를 읽을 수 있다. 상술한 바와 같이 본 발명은, 반도체 메모리장치에서 데이터를 읽기 또는 쓰기 동작을 수행할때마다 로우 어드레스를 디코딩하여 레지스터에 저장한 후 리플레쉬 싸이클 바로 이전에 메모리를 억세스한 로우어드레스에 대하여 리프레쉬를 하지 않음으로 리프레쉬 시간을 단축할 수 있으며, 이 단축된 시간만큼 더 많은 데이터를 억세스할 수 있는 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 각종 데이타를 저장하는 메모리와, 상기 메모리를 읽기 또는 쓰기동작을 하도록 제어하는 메모리 콘트롤 로직과, 일정한 주기로 리프레쉬 리퀘스트 신호를 발생하는 리프레쉬 타이머와, 상기 메모리 콘트롤로직으로부터 출력되는 리프레쉬 제어신호인 RFC신호를 로우 액티브시키면 이 신호를 받아서 카운터값을 증가시켜 리프레쉬 어드레스를 출력하는 리프레쉬 어드레스 카운터와, 상기 메모리에 데이타를 읽기 또는 쓰기 동작시에 로우 어드레스를 래치하는 로우어드레스 래치와, 상기 메모리 에 데이타를 읽기 또는 쓰기 동작시에 칼럼어드레스를 래치하는 컬럼 어드레스 래치와, 상기 리프레쉬 어드레스 카운터로부터 출력된 리프레쉬 어드레스와 상기 로우 어드레스 래치로부터 출력된 로우어들스와 상기 컬럼어드레스 래치로부터 출력된 컬럼어드레스를 입력하여 상기 메모리 콘트롤 로직으로부터 출력되는 선택신호에 의해 상기 세 입력신호중 하나를 선택하여 상기 메모리로 출력하는 어드레스 MUX를 구비한 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로에 있어서, 상기 메모리에 데이타를 읽기 또는 쓰기 동작이 일어날 때마다 어드레스 MUX로부터 선택되는 로우어드레스를 디코딩하여 레지스터로 출력하는 로우어드레스 디코더와, 상기 로우어드레스 디코더로부터 디코딩한 로우 어드레스를 저장하는 레지스터와, 상기 리프레쉬 어드레스 카운터로부터 출력되는 카운팅값을 디코딩하여 출력하는 리프레쉬 어드레스 디코더와, 상기 리프레쉬 어드레스 디코딩값에 해당하는 상기 레지스터의 비트값을 선택하여 상기 리프레쉬 타이머와 상기 리프레쉬 어드레스 카운터의 리세트단자로 출력하는 선택기로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 선택기로부터 선택된 비트값이 1일 경우 리프레쉬 싸이클이 발생되지 않도록 상기 리프레쉬 타이머와 상기 리프레쉬 어드레스 카운터를 리세트시킴을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리회로.
  3. 휘발성 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리방법에 있어서, 메모리로부터 데이터를 억세스할 때마다 로우 어드레스를 디코딩하여 레지스터에 저장하는 단계와, 리프레쉬 어드레스를 디코딩하는 단계와, 상기 디코딩한 리프레쉬 어드레스에 해당하는 위치의 비트값을 상기 레지스터로부터 선택출력하여 리플레쉬 싸이클 바로 이전에 메모리를 억세스한 로우어드레스에 대하여 리프레쉬를 실행하지 않도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 리프레쉬 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496082B1 (ko) * 2001-10-29 2005-06-20 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 기억 장치

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