KR980006851A - 클럭 에지 제어 레지스터 - Google Patents

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KR980006851A
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장성준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Shift Register Type Memory (AREA)
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Abstract

본 발명은 동기식 메모리(Synchronous Memory) IC 에 입력데이터를 래치하는 데 사용되는 레지스터에 관한 것으로 특히, 데이터 신호를 게이트 단자의 입력으로 하는 제 1 NMOS과; 데이터 신호를 반전시키는 인버터와; 상기 인버터의 출력을 게이트 단자의 입력으로 하면서 상기 제 1 NMOS의 소스단자에 공통으로 소스단자가 묶여 있는 제 2 NMOS과; 상기 제1 NMOS와 제2 NMOS의 드레인 단자에 직렬로 드레인이 연결되어 있으며 소스단자에는 전원전압이 연결되고 게이트 단자는 직렬로 연결되지 않은 상기 제 1 NMOS와 제 2 NMOS의 드레인 단자에서 출력되는 신호를 입력으로 하는 제 1,2 PMOS(P1,P2)와; 상기 제 1 NMOS와 제 2NMOS 의 드레인 단자에서 출력되는 신호를 입력받아 래치 동작하는 RS플립플롭(NA3,NA4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 에지 제어 레지스터를 제공하면, 제어용 동기신호로 사용되는 클럭의 하이상태를 기준으로 사용하였던 종래의 방식에 비하여 크게 홀드타임(HOLD TIME)을 줄일 수 있게되어 고속의 동기식 메모리를 개발하는데 발생되었던 문제점을 해소하는 효과가 있다.

Description

클럭 에지 제어 레지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 입력신호 1개의 레지스터의 구성예시도.

Claims (2)

  1. 데이터 신호를 게이트 단자의 입력으로 하는 제 1 NMOS과; 데이터 신호를 반전시키는 인버터와; 상기 인버터의 출력을 게이트 단자의 입력으로 하면서 상기 제 1 NMOS의 소스단자에 공통으로 소스단자가 묶여 있는 제 2 NMOS과; 상기 제1 NMOS와 제2 NMOS의 드레인 단자에 직렬로 드레인이 연결되어 있으며 소스단자에는 전원전압이 연결되고 게이트 단자는 직렬로 연결되지 않은 상기 제 1 NMOS와 제 2 NMOS의 드레인 단자에서 출력되는 신호를 입력으로 하는 제 1,2 PMOS(P1,P2)와; 상기 제 1 NMOS와 제 2NMOS 의 드레인 단자에서 출력되는 신호를 입력받아 래치 동작하는 RS플립플롭(NA3,NA4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 에지 제어 레지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1,2 NMOS 의 공통소스단자에 드레인단자가 연결되고 소스단자는 접지에 연결되며 게이트단자는 클럭신호를 입력으로 하는 제 3 NMOS와; 각각의 게이트단자는 클럭의신호를 입력으로 하고 각각의 드레인 단자는 상기 제 1, 2 NMOS (N1, N2)의 드레인단자에 연결되어 레지스터의 리세팅 기능을 수행하는 제 3, 4 PMOS(P3,P4)를 더포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 에지 제어 레지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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