KR980006489A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980006489A
KR980006489A KR1019960026295A KR19960026295A KR980006489A KR 980006489 A KR980006489 A KR 980006489A KR 1019960026295 A KR1019960026295 A KR 1019960026295A KR 19960026295 A KR19960026295 A KR 19960026295A KR 980006489 A KR980006489 A KR 980006489A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
gate electrode
type
ion
film
Prior art date
Application number
KR1019960026295A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100212173B1 (ko
Inventor
김재갑
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960026295A priority Critical patent/KR100212173B1/ko
Priority to TW086108425A priority patent/TW378354B/zh
Priority to JP18450097A priority patent/JP3182606B2/ja
Priority to US08/883,196 priority patent/US6090654A/en
Publication of KR980006489A publication Critical patent/KR980006489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100212173B1 publication Critical patent/KR100212173B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/953—Making radiation resistant device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 액세스 트랜지스터의 게이트 축퇴(Degeneracy)를 선택적으로 감소시키므로써, 액세스 트랜지스터의 전류용량을 줄여 셀 비를 향상시키고 셀 크기를 감소시켜 고집적화를 달성할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 이 반도체 소자의 제조방법은 풀-다운인 2개의 구동 트랜지스터와, 2개의 액세스 트랜지스터, 그리고 2개의 풀-업 소자로 구성되는 에스램 셀의 제조방법에 있어서, 반도체 기판을 제공하는 단계; 반도체 기판의 소정 부분에 소자 분리 절연막을 형성하는 단계; 소자 분리 절연막 사이의 게이트 산화막과 게이트 전극용 실리콘 막을 적층하는 단계; 활성 영역의 소정 부분에 감광막 마스크를 형성한 후, 제1차로 제1형의 불순물을 이온주입하는 단계; 감광막을 제거하고 게이트 전극을 형성하는 단계; 전면에 저농도의 제2차로 제1형 불순물을 이온주입하는 단계; 게이트 전극의 측벽에 스페이서 절연막을 형성한 다음, 고농도의 제3차로 제1형의 불순물을 이온주입하는단계를 포함한다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시 예에 따른 풀 씨모스 에스렘 셀을 구현하기 위한 평면도.

Claims (6)

  1. 풀-다운인 2개의 구동 트랜지스터와, 2개의 액세스 트랜지스터, 그리고 2개의 풀-업 소자로 구성되는 에스램 셀의 제조방법에 있어서, 반도체 기판을 제공하는 단계; 반도체 기판의 소정 부분에 소자 분리 절연막을 형성하는 단계; 소자 분리 절연막 사이의 게이트 산화막과 게이트 전극용 실리콘 막을 적층하는 단계; 활성 영역의 소정 부분에 감광막 마스크를 형성한 후, 제1차로 제1형의 불순물을 이온주입하는 단계; 감광막을 제거하고 게이트 전극을 형성하는 단계; 전면에 저농도의 제2차로 제1형 불순물을 이온주입하는 단계; 게이트전극의 측벽에 스페이서 절연막을 형성한 다음, 고농도의 제3차로 제1형의 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 비정질 실리콘으로 그 두께가 1,500~3,000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 폴리실리콘으로 그 두께가 1,500~3,000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1형의 불순물은 N형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1차 불순물의 이온주입에서 주입이온은 인이고, 주입에너지는 20KeV~120KeV, 주입량 1E12~1E16이온/㎤인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3차 불순물의 이온주입에서 주입이온은 비소이고, 주입에너지는 10KeV~100KeV, 주입량 1E15~1E16이온/㎤인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
KR1019960026295A 1996-06-29 1996-06-29 반도체 소자의 제조방법 KR100212173B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026295A KR100212173B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 소자의 제조방법
TW086108425A TW378354B (en) 1996-06-29 1997-06-17 Semiconductor device, its static random access memory and a manufacturing method thereof
JP18450097A JP3182606B2 (ja) 1996-06-29 1997-06-25 半導体デバイスの製造方法
US08/883,196 US6090654A (en) 1996-06-29 1997-06-26 Method for manufacturing a static random access memory cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026295A KR100212173B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980006489A true KR980006489A (ko) 1998-03-30
KR100212173B1 KR100212173B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=19465046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960026295A KR100212173B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 소자의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6090654A (ko)
JP (1) JP3182606B2 (ko)
KR (1) KR100212173B1 (ko)
TW (1) TW378354B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451036B1 (ko) * 2000-12-08 2004-10-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
KR100548593B1 (ko) * 1998-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 에스램 셀 구조

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6380598B1 (en) * 1994-12-20 2002-04-30 Stmicroelectronics, Inc. Radiation hardened semiconductor memory
JP2002359299A (ja) * 2001-03-26 2002-12-13 Seiko Epson Corp 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器
JP3467699B2 (ja) * 2001-03-26 2003-11-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器
US6624526B2 (en) * 2001-06-01 2003-09-23 International Business Machines Corporation Compact SRAM cell incorporating refractory metal-silicon-nitrogen resistive elements and method for fabricating
JP3700708B2 (ja) * 2003-03-26 2005-09-28 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287960A (ja) * 1988-05-14 1989-11-20 Sony Corp メモリ装置
JPH01292853A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Sony Corp メモリ装置
JP2661141B2 (ja) * 1988-05-27 1997-10-08 ソニー株式会社 半導体メモリ
JPH0394464A (ja) * 1989-09-07 1991-04-19 Toshiba Corp 半導体装置
US5324973A (en) * 1993-05-03 1994-06-28 Motorola Inc. Semiconductor SRAM with trench transistors
JPH0722521A (ja) * 1993-07-06 1995-01-24 Sony Corp 半導体記憶装置
KR100214841B1 (ko) * 1996-03-29 1999-08-02 김주용 반도체 소자 및 그의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100548593B1 (ko) * 1998-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 에스램 셀 구조
KR100451036B1 (ko) * 2000-12-08 2004-10-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6090654A (en) 2000-07-18
JP3182606B2 (ja) 2001-07-03
TW378354B (en) 2000-01-01
JPH1098116A (ja) 1998-04-14
KR100212173B1 (ko) 1999-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6545327B2 (en) Semiconductor device having different gate insulating films with different amount of carbon
EP0510380B1 (en) A thin film field effect device having an LDD structure and a method of manufacturing such a device
KR940010324A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법
US5460998A (en) Integrated P+ implant sequence in DPDM process for suppression of GIDL
EP0465045B1 (en) Method of field effect transistor fabrication for integrated circuits
JPH04328864A (ja) 超高集積半導体メモリ装置の製造方法
JPH0324735A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1084045A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
US4977099A (en) Method for fabricating semiconductor memory device
US6268250B1 (en) Efficient fabrication process for dual well type structures
KR980006489A (ko) 반도체 소자의 제조방법
US5674770A (en) Method of fabricating an SRAM device with a self-aligned thin film transistor structure
JP2596117B2 (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPH06326259A (ja) ＢｉＣＭＯＳ装置の製造方法
JP3182609B2 (ja) 半導体素子の製造方法
US6017799A (en) Method of fabricating dynamic random memory
JP2585684B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP3063051B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01196176A (ja) Ｍｉｓ型半導体装置
JP3196980B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02219237A (ja) Ｍｉｓ型半導体装置
JP2670265B2 (ja) Ｃｍｏｓ半導体装置の製造方法
JP3064445B2 (ja) 相補型半導体装置の製造方法
JPH0479336A (ja) 半導体装置の製造方法
TW393691B (en) Method for producing self-aligned silicide MOSFET

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130422

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140421

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment
EXPY Expiration of term