KR980006331A - 반도체 소자의 커패시터 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 커패시터 형성방법 Download PDF

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KR980006331A
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interlayer insulating
insulating film
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KR1019960023978A
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정병홍
김희석
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

반도체소자의 커패시터 형성방법이 개시되어 있다. 이 방법은 트랜지스터가 형성된 반도체기판 상에 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 제1 콘택홀을 구비하는 제1층간절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 콘택홀을 덮는 비트라인을 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 제2 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2층간절연막 및 상기 제1층간절연막을 연속적으로 패터닝하여 상기 비트라인 옆에 제2콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 제2콘택홀 측벽에 질화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서에 의해 둘러싸여진 제2콘택홀을 덮는 축적전극을 형성하는 단계와, 상기 축적전극이 형성된 결과물 전면에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계와, 상기 옥시나이트라이드막 상에 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 비트라인에 손상이 가해지는 현상을 제거할 수 있다.

Description

반도체소자의 커패시터 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 본 발명의 커패시터 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 트랜지스터가 형성된 반도체기판상에 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 제1콘택홀을 구비하는 제1 층간절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1콘택홀을 덮는 비트라인을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 층간절연막 및 상기 제1층간절연막을 연속적으로 패터닝하여 상기 비트라인 옆에 제2콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제2콘택홀 측벽에 질화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서에 의해 둘러싸여진 제2콘택홀을 덮는 축적전극을 형성하는 단계; 상기 축적전극이 형성된 결과물 전면에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계; 및 상기 옥시나이트라이드막 상에 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 커패시터 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드막 형성 전 및 형성후에, 600℃내지 1000℃의 온도와 불활성 가스 분위기에서 표면처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 커패시터 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드막은 400℃내지 900℃의 온도에서 N20가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 커패시터 형성방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤 가스 또는 헬륨 가스인 것을 트징으로 하는 반도체소자의 커패시터 형성방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100816720B1 (ko) * 2002-06-07 2008-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법

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