KR980006133A - 금속 배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 콘택에 CVD 방법으로 Ti층을 형성한 후에 확산 방지막 또는 접착막으로 사용하는 TiN층을 증착하지 않고 이미 증착된 우수한 층덮힘을 갖는 CVD-Ti층 일정 두께를 인-시투 방법으로 질소 및 수소의 혼합가스에 의한 플라즈마 처리를 수행함으로써 안전된 TiN층을 형성하는 것이다. 그로인하여 Ti층과 TiN층을 증착하는 방법으로 한 번의 공정으로 두가지 막을 형성함으로써 소자의 제조 효율을 증가시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제6도는 본 발명의 실시예에 의해 실리콘 기판에 콘택되는 금속 배선을 형성한 단면도.
Claims (6)
- 실리콘 기판에 콘택되는 금속 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 콘택홀이 구비된 절연막을 형성하는 단계와, 전체적으로 CVD 방법으로 Ti층을 증착하는 단계와, 상기 Ti층을 증착한 다음, 질소와 수소의 혼합가스를 이용한 인-시투 플라즈마 처리를 실시하여 상기 Ti층의 일정 두께를 TiN층으로 형성하는 단계와, 상기 TiN층 상부에 금속층을 증착하는 단계를 포함하는 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ti층은 증착 온도는 300-700℃, 증착 압력은 0.5-10torr, TiCl4소스유량은 1-20sccm, 질쇼유량은 10-1000sccm, 반응성 가스인 수소유량은 100-3000sccm의 범위의 조건에서 증착하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Ti층은 PECVD 방법으로 100-1000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인-시투 플라즈마 처리는 질소 가스 10-500sccm, 수소가스 10-500sccm, 플라즈마 처리 온도는 300-700℃, 플라즈마 처리압력은 1-50torr이며 RF 파우어는 100-1000Watt 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 TiN층은 50-500Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 TiN층은 Ti층의 일정 두께가 질화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20030001939A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 장벽층 형성 방법 및 장치 |
| KR100743632B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025778A patent/KR100406562B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20030001939A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 장벽층 형성 방법 및 장치 |
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