KR980005855A - 산화막의 형성방법 및 그 장치 - Google Patents

산화막의 형성방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

고품질의 산화막을 얻을 수 있는 산화막의 형성방법 및 그 장치에 대해 기재되어 있다. 본 발명의 산화막 형성방법은, 500℃~700℃의 O2+O3분위기에서 웨이퍼를 열산화시키는 예비 산화단계와, 상기 예비산화단계를 수행한 상기 웨이퍼를 900℃~1100℃의 O2+O3,N2O, H2O의 분위기에서 열산화시키는 주산화 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하고, 그 형성장치는 웨이퍼를 산화시키기 위한 챔버부와, 상기 챔버부로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼로딩부와, 상기 웨이퍼로딩부를 구동하기 위한 구동부와, 상기 챔버부의 진공압력을 유지함과 동시에 산화반응 후의 잔류가스를 외부로 배출하기 위한 배기부와, 산화를 위한 반응가스들을 상기 챔버부로 공급하는 가스공급부를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 산화막의 형성방법 및 그 장치에 의하면, 실리콘기판/산화막의 계면에 수 원자 퍼센트의 질소가 함유되어 실리콘기판으로 부터의 도펀트의 확산을 방지함으로써 TDDB 특성이 향상되고, 강력한 O3의 산화력으로 인하여 형성된 산화막내의 산소 및 수소결함이 감소하여 핫 캐리어에 대한 내성이 강화되며, O3분위기에서의 예비가열에 의해 균일한 산화막이 형성된다.

Description

산화막의 형성방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 산화막의 형성장치를 나타낸 도면이다.

Claims (13)

  1. 500℃~700℃의 O2+O3분위기에서 웨이퍼를 열산화시키는 예비산화단계; 및 상기 예비산화단계를 수행한 상기 웨이퍼를 900℃~1100℃의 O2+O3,N2O, H2O의 분위기에서 열산화시키는 주산화단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 산화막의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 예비산화단계는 5분~20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 주산화단계는 15초~600초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 주산화단계는 50torr~760torr의 압력하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성 방법.
  5. 웨이퍼를 산화시키기 위한 챔버부; 상기 챔버부로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼로딩부; 상기 웨이퍼로딩부를 구동하기 위한 구동부; 상기 챔버부의 진공압력을 유지함과 동시에 산화반응 후의 잔류가스를 외부로 배출하기 위한 배기부; 및 산화를 위한 반응가스들을 상기 챔버부로 공급하는 가스공급부를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 산화막의 형성 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 챔버부는 예비산화단계를 수행하는 하부로와, 주산화단계를 수행하는 상부로와, 상기 상부로를 가열하기 위한 상부히터와, 상기 하부로를 가열하기 위한 하부히터, 및 상기 상부로와 하부로를 단열하기 위한 리플렉터, 단열재, 워터재킷을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 상부로는 700℃~1100℃ 범위의 온도 제어가 가능하고, 상기 하부로는 400℃~800℃ 범위의 온도제어가 가능하도록 된 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 상부로는 50torr~760torr의 진공압력을 유지할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가스공급부는 O2+O3가스와 N2O 가스 및 H2O를 상기 챔버부로 공급하는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼로딩부는 웨이퍼를 저장한 카세트가 놓여져 있는 록 챔버와, 상기 카세트의 웨이퍼를 이송하기 위한 트랜스퍼 암과, 상기 트랜스퍼 암으로부터 이송되어 온 웨이퍼를 상기 챔버부로 로딩하기 위한 보트를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 구동부는 웨이퍼가 로딩된 상기 보트를 상기 챔버부로 이송하기 위한 트랜스퍼 로드와 상기 트랜스퍼 로드를 동작시키는 리프터를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 트랜스퍼 로드와 리프터간의 동력전달은 영구자석에 의한 마그네틱 커플링에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 구동부는 상기 보트를 상기 챔버부의 하부로와 상부로로 단계적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 산화막의 형성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687410B1 (ko) * 2005-12-28 2007-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR100706790B1 (ko) * 2005-12-01 2007-04-12 삼성전자주식회사 산화 처리 장치 및 방법

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