KR980005754A - 고밀도 플라즈마 식각 장치의 운용방법 - Google Patents

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KR980005754A
KR980005754A KR1019960024680A KR19960024680A KR980005754A KR 980005754 A KR980005754 A KR 980005754A KR 1019960024680 A KR1019960024680 A KR 1019960024680A KR 19960024680 A KR19960024680 A KR 19960024680A KR 980005754 A KR980005754 A KR 980005754A
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KR1019960024680A
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이병석
서원준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마에 의한 접합의 손상을 최소화하기 위하여, 플라즈마를 형성시키기 위해 가하는 소오스 파워는 800KHz 내지 1.5MHz을 사용하고, 웨이퍼가 놓여있는 전극으로 플라즈마 이온이 가속되도록 하기 위한 바이어스 파워는 200 KHz 내지 800KHz로 사용하는 것을 특징으로하는 고밀도 플라즈마 식각장치 운용방법은 미세 콘택홀 형성시 접합 부위에 손상을 최소화함으로 누설전류 문제가 발생하지 않게 되고 게이트산화막의 열화 방지, 접합 파괴 전압증대, DRAM의 리프레쉬타임(refresh time)개선시키는 등 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

고밀도 플라즈마 식각 장치의 운용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 설명하기 위한 반도체 장치의 부분 단면도.

Claims (1)

  1. 플라즈마에 의한 접합의 손상을 최소화하기 위한 고밀도 플라즈마 식각 장치의 운용방법에 있어서, 플라즈마를 형성시키기 위해 가하는 소오스 파워는 800KHz 내지 1.5MHz을 사용하고, 웨이퍼가 놓여있는 전극으로 플라즈마 이온이 가속되도록 하기 위한 바이어스 파워는 200 KHz 내지 800KHz로 사용하는 것을 특징으로하는 고밀도 플라즈마 식각장치 운용방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960024680A 1996-06-27 1996-06-27 고밀도 플라즈마 식각 장치의 운용방법 KR980005754A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100299329B1 (ko) * 1999-08-19 2001-11-01 황인길 반도체 소자의 플라즈마 손상 측정을 위한 안테나 패턴 형성방법
KR100451034B1 (ko) * 2002-08-27 2004-10-02 주식회사 테라텍 반도체 소자 제조방법

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