KR970077849A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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KR970077849A
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히또시 무로후세
에미꼬 치노
데쯔지 모꾸
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고타니 고우이찌
산켄 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

발광량의 증대를 도모할 수 있는 반도체 발광소자를 제공한다. 적어도 n형 클래드층(3), 활성층(14) 및 p형 클래드층(5)을 설치한다. 활성층(14)에 아연을 1×1016∼5×1017cm-3의 농도로 도입한다. 활성층(14)의 두께를 0.5∼2.0㎛로 한다. 특정 범위에서 아연을 활성층(14)에 포함시키면, 디프발광 즉 심각한 수준의 발광이 억제되며, 소망파장의 발광량이 증가된다.

Description

반도체 발광소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 실시예에 관련되는 반도체 발광소자를 도시한 단면도이다.

Claims (3)

  1. 빛을 방사하기 위해 복수의 반도체층을 갖는 반도체 본체와, 상기 반도체 본체의 한쪽 면에 배치된 캐소드 전극과, 상기 반도체 본체의 다른쪽 면에 배치된 애노드 전극으로 이루어진 반도체 발광소자에 있어서, 상기 반도체 본체가, 1×1016∼5×1017cm-3의 농도로 아연(Zn)을 포함하고, 0.5∼2.0㎛의 두께를 갖는 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 반도체로 이루어진 활성층과, 상기 활성층의 한쪽 면에 인접하게 배치된 n형 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 또는 AllnP(알루미늄·인듐·인) 반도체로 이루어진 n형 클래드층과, 상기 활성층의 다른쪽 면에 인접하게 배치된 p형 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 또는 AllnP(알루미늄·인듐·인) 반도체로 이루어진 p형 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 n형 클래드층은 8×1016∼1×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 0.5∼1.5㎛의 두께를 가지며, 상기 p형 클래드층은 5×1016∼1×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 0.5∼1.5㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 빛을 방사하기 위해 복수의 반도체층을 갖는 반도체 본체와, 상기 반도체 본체의 한쪽면에 배치된 캐소드 전극과, 상기 반도체 본체의 다른쪽 면에 배치된 애노드 전극으로 이루어진 반도체 발광소자에 있어서, 상기 반도체 본체가, 1×1018∼4×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 330∼370㎛의 두께를 갖는 n형 GaAs(갈륨·비소) 반도체로 이루어진 기판과, 상기 기판에 인접하게 배치되고, 1×1018∼5×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하며, 0.1∼0.3㎛의 두께를 갖는 n형 GaAs(갈륨·비소) 반도체로 이루어진 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상기 기판에 인접한 면의 반대측면에 인접하게 배치되고, 8×1016∼1×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하며, 0.5∼1.5㎛의 두께를 갖는 n형 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 또는 AllnP(알루미늄·인듐·인) 반도체로 이루어진 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층의 상기 버퍼층에 인접한 면의 반대측 면에 인접하게 배치되고, 1×1016∼5×1017cm-3의 농도로 아연(Zn)을 포함하고, 0.5∼2.0㎛의 두께를 갖는 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 반도체로 이루어진 활성층과, 상기 활성층의 n형 클래드층에 인접한 면의 반대측 면에 인접하게 배치되고, 5×1016∼1×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 0.5∼1.5㎛의 두께를 갖는 p형 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 또는 AllnP(알루미늄·인듐·인) 반도체로 이루어진 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층의 상기 활성층에 인접한 면의 반대측 면 중 일부에 인접하도록 배치되고, 1×1018∼1×1019cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 0.05∼0.25㎛의 두께를 갖는 AlGaInP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 반도체로 이루어진 전류블록층과, 상기 p형 클래드층의 상기 반대측 면 중 상기 전류블록층이 인접하지 않은 영역 및 상기 전류 블록층을 덮도록 배치되며, 1×1018∼5×1019cm-3의 농도로 도체형 결정불순물을 포함하고, 5∼15㎛의 두께를 깆는 P형 AlGaAs(알루미늄·갈륨·비소) 반도체로 이루어진 전류확산층과, 상기 전류확산층의 상기 전류블록층에 인접한 주면의 반대측 면에 인접하게 배치되며 1×1017∼1×1018cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하며, 0.2∼0.4㎛의 두께를 갖는 p형 AlGalnP(알루미늄·갈륨·인듐·인) 반도체로 이루어진 보호층과, 상기 보호층의 상기 전류확산층에 인접한 면의 반대측 면에 인접하게 배치되며, 5×1018∼7×1019cm-3의 농도로 도전형 결정불순물을 포함하고, 0.05∼0.15㎛의 두께를 갖는 p형 GaAs(갈륨·비소) 반도체로 이루어진 접촉층(contating layer)으로 구성되며, 상기 캐소드 전극은 상기 기판에 접촉되어 있고, 상기 애노드 전극은 상기 접촉층에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970019435A 1996-05-22 1997-05-20 반도체발광소자 KR100272791B1 (ko)

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