KR970077641A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 초고집적 소자에 대응하기 위한 캐패시터의 용량을 증대할 수 있는 실린더형 전하저장 전극을 구비한 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 소정의 필드산화막과 게이트 전극 및 접합영역이 구비된 상태에서, 전체 구조 상부에 절연용 산화막을 증착한 후 상기 접합영역의 소정 부분이 노출되도록 상기 절연용 산화막을 식각하는 단계; 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상부에 불순물 농도가 높은 비정질 실리콘을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 상부에 반구형 폴리실리콘 및 열산화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 반구형 폴리실리콘의 표면의 소정 부분이 노출되도록 상기 열산화막을 비등방성 식각하는 단계; 상기 노출된 반구형 폴리실리콘 사이의 열산화막을 마스크로 하여 상기 노출된 반구형 폴리실리콘과 비정질 실리콘을 폴리실리콘의 표면이 노출될 때까지 비등방성 식각하는 단계; 상기 열산화막을 제거한 후 상기 절연용 산화막의 일부를 노출시키면서 비정질 실리콘 및 상기 폴리실리콘을 식각하여 전하저장 전극을 형성하는 단계; 상기 결과물 상부에 유전체막 및 플레이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 제조방법을 나타낸 공정 단면도.
Claims (7)
- 반도체 기판상에 소정의 필드산화막과 게이트 전극 및 접합영역이 구비된 상태에서, 전체 구조 상부에 절연용 산화막을 증착한 후 상기 접헙영역의 소정 부분이 노출되도록 상기 절연용 산화막을 식각하는 단계; 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상부에 불순물 농도가 높은 비정질 실리콘을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 상부에 반구형 폴리실리콘 및 열산화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 반구형 폴리실리콘의 표면의 소정 부분이 노출되도록 상기 열산화막을 비등방성 식각하는 단계; 상기 노출된 반구형 폴리실리콘 사이의 열산화막을 마스크로 하여 상기 노출된 반구형 폴리실리콘과 비정질 실리콘을 폴리실리콘의 표면이 노출될 때까지 비등방성 식각하는 단계; 상기 열산화막을 제거한 후 상기 절연용 산화막의 일부를 노출시키면서 비정질 실리콘 및 상기 폴리실리콘을 식각하여 전하저장 전극을 형성하는 단계; 상기 결과물 상부에 유전체막 및 플레이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화막은 CH4/CHF3가스를 사용하는 비등방성 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘은 인-시튜(in-situ)방식으로 약 400 내지 500℃에서 4,000 내지 7,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 비정질 실리콘에 불순물 농도를 높게 형성하기 위하여 P 원자를 도핑하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘은 2,000 내지 3,000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반구형 폴리실리콘은 1,000 내지 4,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화막은 300 내지 1,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960014135A KR970077641A (ko) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960014135A KR970077641A (ko) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077641A true KR970077641A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66217527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960014135A KR970077641A (ko) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077641A (ko) |
-
1996
- 1996-05-01 KR KR1019960014135A patent/KR970077641A/ko not_active Application Discontinuation
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