KR970076816A - 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리 - Google Patents

누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유전체의 누설 전류를 이용하여 비휘발성을 가지면서 다진법을 구현할 수 있는 누설 전류를 이용한 다진법 구현용 강유전체 랜덤 액세서 메모리에 관한 것으로, 그 단위 셀들을 트랜지스터로 형성하되, 유전체, 고유전체, 혹은 강유전체를 게이트 절연물로 사용하고, 그 상부에 강유전체 캐패시터를 적층하여 강유전체 캐패시터의 상부 전극을 게이트로 사용함에 있어서, 일정 전압(Vd)에서 강유전체의 누설 전류는 무시될 정도로 작은값을 갖고 게이트 절연물로 사용되는 유전체의 누설 전류는 쇼트키 방출이나 풀-프렌켈 방출에 크게 증가하는 물질을 선정하거나 구조를 결정하여 게이트와 비트 라인 사이에 일정 전압을 가하여 드레인과 소스 사이에 게이트와 비트 라인 사이에 일정 전압을 가하여 드레인과 소스 사이에 전하를 유도시켜 쓰기를 행하고 게이트와 비트 라인 사이에 보다 높은 다양한 레벨의 동일 펄스폭의 전압 혹은 동일 레벨의 다양한 펄스폭의 지우기 전압을 인가하여 게이트 절연물을 통하여 다양한 펄스폭의 지우기 전압을 인가하여 게이트 절연물을 통하여 다양한 전류 밀도의누설 전류가 흐르게 함으로써 드레인과 소스 사이 즉 채널의 유도 전하를 다양화함으로써, 다진법의정보를 기억시킬 수 있다.

Description

누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제15도는 본 발명에 따른 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리를 구현하기 위하여 지우기시 메모리에 인가하는 지우기 신호의 파형도, 제16도는 제15도의 지우기 신호에 의해 단위 메모리 셀의 채널에 유도된 유도 전하의 변화량을 상태별로 나타내는 도면.

Claims (7)

  1. 제1전도형의 기판; 상기 기판 상에 일정한 폭의 통전 채널의 두고 불순물이 도핑된 제2전도형의 소스와 드레인; 상기 소스 및 드레인의 가장자리 부분과 통전 채널을 덮도록 적층된 유전체층; 상기 유전체층 상에 적층된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 적층된 강유전체층; 및 상기 가유전체층 상에 적층된 상부 전극; 을 구비하여 된 단위 셀들을 복수개 구비한 강유전체 메모리에 있어서, 상기 유전체층 및 상기 강유전체층은 누설 전류가 무시되는 정도로 작은값을 가지는 제1전압과, 상기 유전체의 누설 전류는 무시되는 정도로 작으며 작은 유전체의 누설 전류는 서로 구별되도록 다르게 하는 n개 레벨의 지우기 전압을 상기 상부 전극에 제공하는 전원을 구비한 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 n개의 지우기 전압은 서로 레벨이 다같고 진폭이 각각 다른 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리
  3. 제1항에 있어서, 상기 n개의 지우기 전압은 서로 레벨이 다르고 진폭이 같은 전압과 서로 레벨은 같고 진폭이 각각 다른 전압들이 결합된 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판에 플로팅된 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 다진법 강유전체 램덤 액세서 메모리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 고유전체 혹은 상기 강유전체와 다른 강유전체로 형성된 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 강유전체 메모리.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 쇼트키 방출 혹은 풀-프렌켈 방출 원리에 의해 누설 전류가 발생하는 유전 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 강유전체 메모리.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 상기와 같은 누설 전류값을 갖는 격벽층 혹은 버퍼층으로 형성된 것을 특징으로 하는 누설 전류를 이용한 강유전체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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