KR970072203A - 폴리사이드 게이트 형성방법 - Google Patents
폴리사이드 게이트 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970072203A KR970072203A KR1019960012511A KR19960012511A KR970072203A KR 970072203 A KR970072203 A KR 970072203A KR 1019960012511 A KR1019960012511 A KR 1019960012511A KR 19960012511 A KR19960012511 A KR 19960012511A KR 970072203 A KR970072203 A KR 970072203A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- silicide
- polysilicon
- insulating film
- insulating
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
폴리사이드 게이트 형성방법에 관한여 기재하고 있다. 반도체기판 상에 게이트산화막, 폴리실리콘막, 실리사이드막 및 절연막을 차례로 형성하고, 사진식각 공정으로 상기 절연막을 패터닝한 다음, 상기 절연막의 측벽에 포릴머층을 형성하고, 상기 절연막 및 폴리머층을 마스크로하고 상기 실리사이드막을 식각하여 상기 절연막 보다 큰 크기를 갖는 실리사이드막을 형성한다. 다음에, 상기 실리사이드막을 마스크로 사용하고 상기 폴리실리콘막을 과도식각(over-etch)하여 상기 실리사이드막보다 작은 크기를 갖는 폴리실리콘막을 형성하고, 상기 결과물에 대한 세정공정을 실시하여 폴리사이들막과 동일한 크기의 실리사이드막을 구비한 게이트 전극을 형성한다. 따라서, 패드 도전층 패티닝시 폴리실리콘 찌꺼기가 발생하는 것이 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 폴리사이드 게이트 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (6)
- 반도체기판 상에 게이트 산화막, 포리실리콘막, 실리사이드 및 절연막을 차례로 형성하는 단계; 사진식 각 공정으로 상기 절연막을 패터닝하는 단계; 상기 절연막의 측벽에 폴리머층을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 폴리머층을 마스크로하고 상기 실리사이드막을 식각하여 상기 절연막보다 큰 크기를 갖는 실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 실리사이드막을 마스크로 사용하고 상기 폴리실리콘막을 과도식각(over-etch)하여 상기 실리사이드막보다 작은 크기를 갖는 폴리실콘막을 형성한는 단계; 및 상기 결과물에 대한 세정공정을 실시하여 폴리사이들막과 동일한 크기의 실리사이드막을 구비한 게이트 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리사이드막과 폴리실리콘막의 식각은 동일 챔버내에서 인-시츄로 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막의 측벽에 형성하는 폴리머층은 플로라인계 또는 HBr계 가스를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리사이드막 식각은, CI2/N2, CI2/O2, Cl2/He 등의 염소계 가스중 어느 하나로 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막 식각은, CI2/HBr 또는 HBr/HB가스를 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012511A KR970072203A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 폴리사이드 게이트 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012511A KR970072203A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 폴리사이드 게이트 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072203A true KR970072203A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012511A KR970072203A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 폴리사이드 게이트 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072203A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470124B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-02-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 실리사이드 어닐 블록층과 샐로우 트렌치아이솔레이션 블록층 제조 방법 |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012511A patent/KR970072203A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470124B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-02-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 실리사이드 어닐 블록층과 샐로우 트렌치아이솔레이션 블록층 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900002415A (ko) | 반도체 제조방법 | |
| KR940012660A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR100219998B1 (ko) | 국부상호접속에칭방법 | |
| US6589880B2 (en) | Fine pattern formation method and semiconductor device or liquid crystal device manufacturing method employing this method | |
| KR19990053744A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 | |
| KR970072203A (ko) | 폴리사이드 게이트 형성방법 | |
| JPH03241829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20010045401A (ko) | 반도체 소자의 게이트 형성방법 | |
| JP2616100B2 (ja) | シリコン系被エッチング材のエッチング方法 | |
| KR980005630A (ko) | 반도체 장치의 백금전극 제조방법 | |
| KR970077220A (ko) | 반도체장치의 게이트 패턴 형성방법 | |
| KR970003488A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970023814A (ko) | 반도체 건식에칭방법 | |
| KR970072089A (ko) | 반도체장치의 게이트전극 형성방법 | |
| KR970052761A (ko) | 반도체소자의 패턴 형성방법 | |
| KR970077239A (ko) | 폴리사이드 구조의 게이트 전극 형성 방법 | |
| KR980005875A (ko) | 모스(mos)트랜지스터의 게이트 형성 방법 | |
| KR970052731A (ko) | 반도체 소자의 전도층을 경사식각하는 방법 | |
| KR980012091A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 형성방법 | |
| KR970052203A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| JPH10321597A (ja) | 半導体構造中にコンタクト孔を形成するための処理方法 | |
| KR19990018634A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970072012A (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
| KR970023734A (ko) | 반도체장치의 콘택부 형성방법 | |
| KR980005653A (ko) | 자기정렬 콘택 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |