KR970063270A - 불휘발성 반도체 메모리 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 Download PDF

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KR970063270A
KR970063270A KR1019970005981A KR19970005981A KR970063270A KR 970063270 A KR970063270 A KR 970063270A KR 1019970005981 A KR1019970005981 A KR 1019970005981A KR 19970005981 A KR19970005981 A KR 19970005981A KR 970063270 A KR970063270 A KR 970063270A
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다까노 야스아끼
상요덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

메모리 셀에 다치의 데이타를 기억시키고, 그 다치 데이타의 기록 동작 및 판독 동작에서 충분한 마진을 확보한다. 부유 게이트 전위 Vfg의 변화에 대해 셀전류값 Id가 변화하지 않는 영역에 대해, 복수의 데이타값(「11」「10」)을 대응시킨다. 판독 모드에서, 리드 데이타의 하위 1 비트를 판독할 때에 상위 1 비트의 데이타 값에 따라 비트선 BLm~BLp의 전위를 상승 또는 하강시킨다. 그것에 의해, Vfg-Id 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시키고, 리드 데이타의 하위 1 비트의 데이타 값이 바뀌는 점을 임계값 전압 Vth와 동 전위의 점 B에 합치시킨다. 그 때문에, 셀 전류값 Id의 유수에 따라 리드 데이타의 하위 1 비트의 데이타 값을 판별할 수 있다.

Description

불휘발성 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 제1실시 형태의 동작을 설명하기 위한 설명도.

Claims (11)

  1. 부유 게이트의 전위를 메모리 셀마다 제어함으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 넓히는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  2. 부유 게이트(FG)와 제어 게이트(CG)와 소스(S)와 드레인(D)와 채널(CH)로 이루어지는 각 메모리 셀(101, 52, 201); 및 상기 부유 게이트(FG)에 축적되는 전하량을 제어함으로써 각 메모리 셀에 다치의 데이타를 기억시키고, 데이타의 판독시에 부유 게이트 전위(Vfg)를 메모리 셀마다 제어함으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 넓히는 판독 및 기록 수단(124, DB1~DB4, 2a~2d, 4)을 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부유 게이트 전위의 제어는 메모리 셀에 기억된 데이타를 판독하여 외부로 출력하는 판독 모드와 외부로부터 입력된 데이타를 메모리 셀에 기억시키는 기록 모드에서 검증을 위한 판독 동작이다르며; 판독 모드에서, 메모리 셀에 기억된 데이타의 하위 비트를 판독할 때에, 상위 비트의 데이타 값에 따라 부유 게이트 전위를 상승 또는 하강시킴으로써 부유 게이트 전위와 셀 전류값(Id)의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시킴으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 원하는 영역으로 이동시키며; 기록 모드에서의 검증을 위한 판독 동작에서 메모리 셀에 기억시키는 데이타에 따라 부유 게이트 전위를 상승 또는 하강시킴으로써 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시킴으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 원하는 영역으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  4. 제2항에 있어서, 상기 부유 게이트 전위의 제어는 메모리 셀에 기억된 데이타를 판독하여 외부로 출력하는 판독 모드에서, 메모리 셀에 기억된 데이타의 하위 비트를 판독할 때에 상위 비트의 데이타 값에 따라 부유 게이트 전위를 상승 또는 하강시킴으로써 부유 게이트 전위와 셀 전류값(Id)의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시킴으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 원하는 영역으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  5. 제2항에 있어서, 상기 부유 게이트 전위의 제어는 외부로부터 입력된 데이타를 메모리 셀에 기억시키는 기록 모드에서의 검증을 위한 판독 동작에서, 메모리 셀에 기억시키는 데이타에 따라 부유 게이트 전위를 상승 또는 하강시킴으로써 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시킴으로써 판독가능한 부유 게이트 전위의 범위를 원하는 영역으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  6. 제3항에 있어서, 상기 판독 모드에서 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시키고, 하위 비트의 데이타 값이 바뀌는 점을 메모리 셀의 임계값 전압과 동 전위의 점에 합치시킴으로써 셀 전류값의 유무에 따라 하위 비트의 데이타 값을 판별 가능하게 하며; 상기 기록 모드에서의 검증을 위한 판독 동작에서, 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시키고, 데이타 값에 대응하는 부유 게이트 전위의 범위의 중간값을 임계값 전압을 동 전위의 점에 합치시킴으로써 셀 전류값의 유무에 따라 데이타 값을 판별가능하게 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  7. 제4항에 있어서, 상기 판독 모드에서 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시키고, 하위 비트의 데이타 값이 바뀌는 점을 메모리 셀의 임계값 전압과 동 전위의 점에 합치시킴으로써 셀 전류값의 유무에 따라 하위 비트의 데이타 값을 판별가능하게 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  8. 제5항에 있어서, 상기 기록 모드에서의 검증을 위한 판독 동작에서, 부유 게이트 전위와 셀 전류값의 특성 곡선을 플러스측 또는 마이너스측으로 시프트시키고, 데이타 값에 대응하는 부유 게이트 전위의 범위의 중간값을 임계값 전압과 동 전위의 점에 합치시킴으로써 셀 전류값의 유무에 따라 데이타 값을 판별가능하게 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  9. 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 셀 전류값의 유무에 추가하여 셀 전류값의 레벨 범위에 따라 데이타 값을 판별하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 셀은 스플릿 게이트형(101)이고, 드레인 또는 소스와 부유 게이트 사이의 용량을 통한 커플링에 의해 상기 부유 게이트 전위의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 셀은 스택 게이트형(201)이고, 소스 또는 드레인의 전위를 제어함으로써 메모리 셀마다 상기 부유 게이트 전위를 제어하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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