KR970060533A - 반도체가속도 센서 - Google Patents

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KR970060533A
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하지메 카토
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기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

먼지나 이물에 좌우되는 일이 없이 가속도를 정확하게 검출할 수가 있음과 동시에, 반도체가속도 센서에 큰 충격력이 가해져도 센서칩이 파손하는 일이 없는 반도체가속도 센서의 코스트저감을 꾀한다.
다이어프램부를 형성한 반도체센서칩의 한끝을 기판상에 형성된 적어도 1층의 후막으로 이루어지는 대좌부에 고정해서 한쪽만 고정시킨 구조를 형성하고, 다이어프램부의 변위에서 가속도를 검출하는 반도체 가속도 센서에 있어서, 상기 기판상에 적어도 1층으로 이루어지는 후막으로 형성된 센서칩의 자유단에 대해서, 상기 기판 방향에의 변위량을 제한하기 위한 철부를 가지고, 상기센서칩의 자유단에 마주보는 가판상의 위치에, 상기 대좌부보다 낮은 철부를 설치하고, 해당 철부는 상기 대좌부와 함께 상기 기판상에 후막을 성막하는 공정으로 형성된다.

Description

반도체가속도 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 실시예 1에서의 반도체 가속도 센서의 내부구조예를 나타낸 부분 단면도.

Claims (6)

  1. 다이어프그램(diaphragm)부를 형성한 반도체 센서칩의 한 끝을, 기판상에 형성된 적어도 1층의 후막으로 이루어지는 대좌(臺座)부에 고정해서 한쪽만 고정시킨 구조를 형성하고, 상기 다이어프램부의 변위로 가속도를 검출하는 반도체 가속도 센서에 있어서, 상기 기판상에 적어도 1층으로 이루어지는 후막으로 형성된 상기 센서칩의 자유단에 대해서 상기 기판의 방향에의 변위량을 제한하기 위한 철(凸)부를 가지고, 상기 센서칩의 자유단에 마주보는 기판상의 위치에 상기 대좌부보다 낮은 철부를 설치하고, 해당 철부는 상기 대좌부와 함께 상기 판상에 후막을 성박하는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
  2. 다이어프램부를 형성한 반도체 센서칩의 한끝을, 기판상에 형성된 적어도 한층의 후막으로 이루어지는 대좌부에 고정하고, 한끝만 고정시킨 구조를 형성해서 센서부를 이루며, 해당 센서부를 보호하기 위해 대략 용기 모양의 수지제 패키지를 피장(被裝)해서 이루어지는, 상기 다이어프램부의 변위에서 가속도를 검출하는 반도체 가속도 센서에 있어서, 상기 기판상에 적어도 1층으로 이루어지는 후막으로 형성된, 상기 센서칩의 자유단에 대해서 상기 기판 방향에의 변위량을 제한하기 위한 철부를 가지고, 상기 센서칩의 자유단에 마주보는 기판상의 위치에 상기 대좌부보다 낮은 철부를 설치하고, 해당 철부는 상기 대좌부와 함께 상기기판 상에 후막을 성막하는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수지제 패키지는 상기 센서칩의 자유단에 대해서 해당 수지제 패키지 방향에의 변위량을 제한하기 위한 돌기부를 가지고, 해당 돌기부는 상기 수지패키지와 동시에 일체성형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 센서칩과 상기 돌기부와의 톱은 10~100㎛의 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
  5. 제1항~제4항에 있어서, 상기 철부는 도체간의 절연용의 유리로 이루어지는 후막과, 후막 도체로 이루어 지는 후막을 적층해서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
  6. 제1항~제5항에 있어서, 상기 센서칩과 철부와의 틈은 10~100㎛의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체가속도 센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960032361A 1996-01-18 1996-08-02 반도체가속도 센서 KR970060533A (ko)

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