KR970060433A

KR970060433A - 반도체 장치의 진단을 위해 전자빔으로의 주사를 통해 선명한 전위 콘트라스트 영상을 제작하는 방법 및 그에 사용되는 전자빔 시험 장치

Info

Publication number: KR970060433A
Application number: KR1019970001407A
Authority: KR
Inventors: 하마다 히로유키
Original assignee: 가네코 히사시; 닛폰 덴키 가부시키가이샤
Priority date: 1996-01-12
Filing date: 1997-01-13
Publication date: 1997-08-12
Also published as: KR100272124B1; TW309592B; JP2776358B2; US5995647A; EP0785441A3; EP0785441A2; JPH09197022A

Abstract

2차 전자 관측 변화를 측정하도록 특정한 전위가 인가된 목표위치(11c)에 전자 펄스 신소(PLS)가 반복적으로 방출되고, 전위 콘트라스트 화상으로부터 목표위치(11c)에 걸친 절연 패시베이션(passivation) 막(11e)의 전기적인 영향을 제거하도록 두 2차 전자 관측 사이의 각 변화에 이산값(-Th2, -Th1, Th1, Th2)이 지정된다.

Description

반도체 장치의 진단을 위해 전자빔으로의 주사를 통해 선명한 전위 콘트라스트 영상을 제작하는 방법 및 그에 사용되는 전자빔 시험 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명에 따른 전자빔 시험 시스템을 도시한 도면.

Claims

화면상에 전위 콘트라스트 화상을 생성하는 방법에 있어서, a) 절연층(11e)으로 덮힌 목적물(반도체장치)(11)의 전자빔 방출위치(11b/11c/11d)를 결정하는 단계와, b) 전자 펄스 신호(PLS)를 방출하는 동안 바이어스 전압을 인가하면서 상기 전자빔 방출위치의 각 위치로부터 방출된 2차 전자의 관측을 측정하는 단계와, c) 또 다른 2차 전자의 관측을 측정하도록 상기 단계 b)를 반복하는 단계, d) 상기 2차 전자의 관측과 상기 2차 전자의 또 다른 관측 사이에 차이를 결정하는 단계, e) 상기 전자빔 방출위치 각각에 적어도 하나의 문턱값에서 변하는 이산값을 지정하도록 상기 차이를 적어도 하나의 문턱값과 비교하는 단계, f) 상기 다수의 전자빔 방출위치 각각에서의 이산값으로부터 상기 다수의 전자빔 방출위치간에 전위 콘트라스트를 제작하는 단계, 및 g) 상기 전위 콘트라스트를 나타내는 전위 콘트라스트 화상을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화면상에 전위 콘트라스트 화상을 제작하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 단계 a)와 상기 단계 b) 사이에 초기 전위 콘트라스트를 제작하도록 상기 절연층 (11e)에 걸쳐 상기 전자 펄스 신호(PLS)를 방출하는동안 바이어스 전압을 인가하지 않고 상기 목적물(11)로 부터 방사된 2차 전자의 초기 분포를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
제1항에 있어서, 상기 단계 a)와 상기 단계 b) 사이에 제1전위 레벨로 바이어스 처리된 제1부가점(11b)으로부터 방사된 2차 전자의 관측과 제2전위 레벨로 바이어스 처리된 제2부가점(11d)으로부터 방사된 2차 전자의 관측 간의 차이에서 상기 적어도 하나의 문턱값(-Th2, -Th1, Th1, Th2)을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
제3항에 있어서, 상기 절연층(11e)이 충전되지 않도록 고주파수 전자 펄스 신호가 상기 절연층을 통해 상기 제1 및 제2부가점에 방출되는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
제1항에 있어서, 상기 단계b)와 상기 단계c) 사이에 상기 2차 전자의 관측을 메모리(10f)에 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
제1항에 있어서, 상기 전위 콘트라스트 화상을 다시 새롭게 하도록 상기 단계 c), d), e), 및 f)를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
제6항에 있어서, 상기 단계 c) 내지 f)가 반복되는 동안 분석가에 의해 지정된 타이밍에 상기 전위 콘트라스트 화상이 제작되는 것을 특징으로 하는 화상 생성 방법.
절연층 (11e)으로 덮힌 다수의 전자빔 방출위치(11b/11c/11d)을 갖는 반도체 장치(11)를 진단하기 위한 전자빔 시험 장치로서, 전자 펄스 신호(PLS)를 상기 절연층(11e)을 통해 상기 다수의 전자빔 방출위치에 반복적으로 방출하는 방출 유닛(10a), 상기 다수의 전자빔 방출위치를 선택적으로 바이어스 처리하는 바이어스 유닛(10c), 상기 전자 펄스 신호를 방출하는 동안 상기 다수의 전자빔 방출위치 각각으로부터 방사된 2차 전자의 관측을 측정하는 2차 저자 검출기(10b), 상기 다수의 전자빔 방출위치에서 방사된 2차 전자의 관측로부터 2차 전자 관측의 분포를 제작하도록 상기 다수의 전자빔 방출위치에 각각 지정된 다수의 메모리 위치를 갖는 관측 데이터 저장기(10f), 전위 콘트라스트를 제작하는 데이터 처리 유닛(10g), 및 상기 전위 콘트라스트를 나타내는 전위 콘트라스트 화상을 제작하는 화상 제작 서브 시스템(10h/10i)를 포함하는 전자빔 시험 장치에 있어서, 상기 데이터 처리 유닛(10g)이 상기 다수의 전자빔 방출위치 사이에 상기 전위 콘트라스트를 제작하도록 상기 전자 펄스 신호를 방출하는 동안 측정된 상기 2차 전자의 관측과 앞서 상기 전자 펄스 신호를 방출하는 동안 측정된 또 다른 2차 전자의 관측 간의 차이 크기에 따라 상기 다수의 전자빔 방출위치 각각에 다수의 이산값(-Th2, -Th1, Th1, Th2) 중 하나를 지정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 시험 장치.
제8항에 있어서, 상기 관측 데이터 저장기가 상기 2차 전자 관측의 분포를 저장하기 위한 제1화상 메모리(10n)와, 상기 다수의 전자빔 방출위치에 상기 전자 펄스 신호를 앞서 방출하는 동안 제작된 이전의 2차 전자 관측의 분포를 가장하기 위한 제2화상 메모리(10o)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 시험 장치.
제8항에 있어서, 상기 데이터 처리 유닛은 상기 관측 데이터 저장기(10f)에 연결되고 상기 다수의 전자빔 방출위치 각각에 대해 상기 관측과 상기 또 다른 관측 간의 상기 차이를 계산하는 감산기(10j), 상기 차이의 크기에 따라 상기 다수의 전자빔 방출위치 각각에 상기 다수의 이산값(-Th2, -Th1, Th1, Th2) 중 하나를 지정하도록 상기 감산기(10j)에 연결된 이산값 할당기(10k), 및 상기 전위 콘트라스트를 다시 새롭게 하도록 상기 이산값 할당기(10k)와 상기 화상 제작 서브 시스템(10h/10i)에 연결된 가산기(10m)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 시험 장치.
제8항에 있어서, 상기 방출 유닛(10a)이 상기 다수의 전자빔 방출위치(11b/11c/11d)으로의 상기 전자 펄스 신호(PLS)의 방출을 반복할 때 상기 데이터 처리 유닛은 상기 전위 콘트라스트를 다시 새롭게 하고, 상기 화상 제작 서브 시스템은 상기 전위 콘트라스트를 저장하도록 상기 데이터 처리 유닛(10g)에 연결된 제1화상 메모리(10p), 상기 전위 콘트라스트로부터 화면(10ii)상에 상기 전위 콘트라스트 화상을 제작하는 디스플레이 유닛(10i), 및 상기 제화상 메모리(10p)와 상기 디스플레이 유닛(10i) 사이에 연결되고, 상기 디스플레이 유닛이 제2화상 메모리(10q)에 저장된 상기 전위 콘트라스트로부터 상기 전위 콘트라스트 화상을 제작하도록 상기 제1화상 메모리로부터의 상기 전위 콘트라스트가 공급되는 제2화상 메로리(10q)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 시험 장치.
제11항에 있어서, 상기 화상 제작 서비 시스템에 트리거 신호(TG)를 공급하는 트리거 회로(10s)를 더 구비하고, 상기 제1화상 메모리(10p)가 상기 전위 콘트라스트를 상기 제2화상 메모리(10q)에 전달하도록 상기 트리거 신호에 응답하는 것을 특징으로 하는 전자빔 시험 장치.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.