JPH0236376A - Ｃｍｏｓ回路のラツチアップ検査方法および装置 - Google Patents
Ｃｍｏｓ回路のラツチアップ検査方法および装置Info
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- JPH0236376A JPH0236376A JP1142868A JP14286889A JPH0236376A JP H0236376 A JPH0236376 A JP H0236376A JP 1142868 A JP1142868 A JP 1142868A JP 14286889 A JP14286889 A JP 14286889A JP H0236376 A JPH0236376 A JP H0236376A
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- G—PHYSICS
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を回路
から放射される赤外線放射の検出により検査する方法お
よびこの方法を実施するための装置に関するものである
。
から放射される赤外線放射の検出により検査する方法お
よびこの方法を実施するための装置に関するものである
。
集積ＣＭＯＳ回路内には常に寄生的なサイリスク構造が
存在し、その点弧がそれと同時に生ずる電流経路の加熱
の結果として構成要素の損傷に通じ得る。原理的には、
ラッチアンプと呼ばれる現象は供給電流の跳濯的な上昇
および自己保持で認識され得るが、当該の回路部分を同
定し、また設計またはテクノロジー的措置（より高い凹
部および基板ドーピング、低抵抗のエピタキシャル層の
使用など）の変更により改善し得ない、従って、集積Ｃ
ＭＯＳ回路内のラッチアップに敏感な範囲を位置６ｉｌ
認するための一連の方法が開発された（たとえばＶＤＩ
報告、第６５９号（Ｉ９８７）、第３８１〜３９３頁、
シーメンス研究開発報告、第１３巻（Ｉ９８４）、第１
号、第９〜Ｉ４頁およびＩＥＥ巳／［ＲＰＳ＝国際信顛
性物理シンポジウム［９８４、第１２２〜１２７頁参照
）、その際、ＩＥＥＥ／ＩＲＰｓから公知の方法は特に
、旧来の液晶技術によっては位置確認可能でない一次的
なラッチアップ中心が同定され得るという利点を提供す
る。
存在し、その点弧がそれと同時に生ずる電流経路の加熱
の結果として構成要素の損傷に通じ得る。原理的には、
ラッチアンプと呼ばれる現象は供給電流の跳濯的な上昇
および自己保持で認識され得るが、当該の回路部分を同
定し、また設計またはテクノロジー的措置（より高い凹
部および基板ドーピング、低抵抗のエピタキシャル層の
使用など）の変更により改善し得ない、従って、集積Ｃ
ＭＯＳ回路内のラッチアップに敏感な範囲を位置６ｉｌ
認するための一連の方法が開発された（たとえばＶＤＩ
報告、第６５９号（Ｉ９８７）、第３８１〜３９３頁、
シーメンス研究開発報告、第１３巻（Ｉ９８４）、第１
号、第９〜Ｉ４頁およびＩＥＥ巳／［ＲＰＳ＝国際信顛
性物理シンポジウム［９８４、第１２２〜１２７頁参照
）、その際、ＩＥＥＥ／ＩＲＰｓから公知の方法は特に
、旧来の液晶技術によっては位置確認可能でない一次的
なラッチアップ中心が同定され得るという利点を提供す
る。
本発明の課題は、冒頭に記載した種類の方法であって、
ＣＭＯＳ＠路内のラッチアンプ伝播を高い位置的および
時間的分解能で検査し得る方法を提供することである。
ＣＭＯＳ＠路内のラッチアンプ伝播を高い位置的および
時間的分解能で検査し得る方法を提供することである。
さらに、本発明の課題は、この方法を実施するための装
置を提供することである。
置を提供することである。
（！ｌ！！ｆｌを解決するための手段〕このｉ！！！題
を解決するため、本発明による方法においては、ラフチ
アツブが周期的にトリガされ、赤外線の強度が次々と複
数の測定個所において記録され、測定個所においてそれ
ぞれ、どの時間Ｉ′ｇ！隔のなかでラッチアップのトリ
ガの後に赤外線放射の強度がしきい値に達するかが確認
され、それぞれ時間間隔を表す測定値が位置に関係して
記録され、本発明による装置においては、測定個所から
出発する赤外線放射を集束するためのレンズ系と、回路
内のそのつどの測定個所の位置を定める出力信号を生ず
るラスター発生器により駆動される偏向装置と、測定個
所切換を定める信号を制濯入力端に与えられ、ラッチア
ンプをトリガするトリガ信号を発生するための第１の装
置と、赤外線放射を検出するための検出器と、コンパレ
ータと、トリガ信号の生起とコンパレータのなかで予め
定められたしきい値の到達との間の時間間隔に相応する
測定値を発生するための第２の装置と、メモリユニット
とを含んでいる。
を解決するため、本発明による方法においては、ラフチ
アツブが周期的にトリガされ、赤外線の強度が次々と複
数の測定個所において記録され、測定個所においてそれ
ぞれ、どの時間Ｉ′ｇ！隔のなかでラッチアップのトリ
ガの後に赤外線放射の強度がしきい値に達するかが確認
され、それぞれ時間間隔を表す測定値が位置に関係して
記録され、本発明による装置においては、測定個所から
出発する赤外線放射を集束するためのレンズ系と、回路
内のそのつどの測定個所の位置を定める出力信号を生ず
るラスター発生器により駆動される偏向装置と、測定個
所切換を定める信号を制濯入力端に与えられ、ラッチア
ンプをトリガするトリガ信号を発生するための第１の装
置と、赤外線放射を検出するための検出器と、コンパレ
ータと、トリガ信号の生起とコンパレータのなかで予め
定められたしきい値の到達との間の時間間隔に相応する
測定値を発生するための第２の装置と、メモリユニット
とを含んでいる。
請求項２ないし５には請求項１記載の方法の好ましい実
施例が、また請求項マないし９には請求項６記載の装置
の好ましい実施例があげられている。
施例が、また請求項マないし９には請求項６記載の装置
の好ましい実施例があげられている。
本発明により得られる利点は特に、ＣＭＯＳ回路内のラ
ッチアップ伝播が高い位１的および時間的分解能で検査
され得ることにある。
ッチアップ伝播が高い位１的および時間的分解能で検査
され得ることにある。
以下、図面により本発明を一層詳細に説明する。
ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳから公知の方法では、ＣＭＯＳ回路
内のラッチアップ伝播が、回路から放射される赤外線の
検出により検査される。その際、特に重要なのは、サイ
リスタ構造の電気的加熱の結果として生じ、λ−８ない
し１０１ｍに強度極大を有する熱放射と、過剰な電子−
正孔対の再結合により発生され、特に通過方向の極性の
ｐｎ接合の範囲内に生じ、λ＝１．１μｍに強度極大を
存する赤外線放射とである。ＣＭＯＳ回路内のラッチア
ップ伝播を高い位置的および時間的分解能で変形された
走査レーザー顕微鏡で検査し得るように、 回路の寄生的なサイリスタ構造をトリガ信号により制御
されて周期的に点弧し、 一再結合および（または）熱放射（以下単に赤外線放射
という）の強度を次々と、回路を好ましくはラスター状
に覆う複数の測定個所において記録し、 一測定個所においてそれぞれ、どの時間間隔てのなかで
ラフチアツブのトリガの後に赤外線放射の強度！ （
ｔ）が予め定められたしきい（ｉ！ １ 。
内のラッチアップ伝播が、回路から放射される赤外線の
検出により検査される。その際、特に重要なのは、サイ
リスタ構造の電気的加熱の結果として生じ、λ−８ない
し１０１ｍに強度極大を有する熱放射と、過剰な電子−
正孔対の再結合により発生され、特に通過方向の極性の
ｐｎ接合の範囲内に生じ、λ＝１．１μｍに強度極大を
存する赤外線放射とである。ＣＭＯＳ回路内のラッチア
ップ伝播を高い位置的および時間的分解能で変形された
走査レーザー顕微鏡で検査し得るように、 回路の寄生的なサイリスタ構造をトリガ信号により制御
されて周期的に点弧し、 一再結合および（または）熱放射（以下単に赤外線放射
という）の強度を次々と、回路を好ましくはラスター状
に覆う複数の測定個所において記録し、 一測定個所においてそれぞれ、どの時間間隔てのなかで
ラフチアツブのトリガの後に赤外線放射の強度！ （
ｔ）が予め定められたしきい（ｉ！ １ 。
に達するかを確認し、
それぞれ時間間隔て＝ｊｓ−１゜（ここで、１゜はラッ
チアップをトリガするトリガ信号の生起の時点、またｔ
、はしきい値ｔ０の到達の時点）を表す測定値を記録し
、 場合によっては回路の像を発生し、その際に時間間隔で
が測定個所にそれぞれ対応付けられている像点の明るさ
を決定する ことが提案される。
チアップをトリガするトリガ信号の生起の時点、またｔ
、はしきい値ｔ０の到達の時点）を表す測定値を記録し
、 場合によっては回路の像を発生し、その際に時間間隔で
が測定個所にそれぞれ対応付けられている像点の明るさ
を決定する ことが提案される。
本発明による方法を実施するためには、たとえば走査（
Ｓｃａｎｎｉｎｇ）、第７巻（Ｉ９８５Ｌ第８８〜９６
頁から公知の走査レーザー顕微鏡を使用し得る。その概
略の構成が第１図に示されている。
Ｓｃａｎｎｉｎｇ）、第７巻（Ｉ９８５Ｌ第８８〜９６
頁から公知の走査レーザー顕微鏡を使用し得る。その概
略の構成が第１図に示されている。
この走査レーザー顕微鏡は光源Ｑ（ヘリウム−ネオンレ
ーザ−）と、レーザービームＬＡを広げるための望遠鏡
ＴＥと、音響光学的変調器ＭＯと、半透過性鏡Ｈ３と、
２つの高精度のガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２から成
る偏向ユニットと、偏向鏡ＵＳと、試料ＩＣ１好ましく
は集積ＣＭＯＳ回路の上にレーザービームＬＡの焦点を
合わせるための対物レンズＯＬとを含んでいる。さらに
走査レーザー類ｖＩＩｍは第１図には示されていないテ
レセンドリンク光学系をも設けられており、この光学系
は、レーザービームＬＡが対物瞳のなかに位置的にとど
まり、またこうして瞳を回転点とする回転運動のみを行
うことを保証する。こうして、直交軸線の回りに回転可
能なガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２の位置に無関係に
常に対物レンズＯＬの全開口が利用され、その際に試料
ＩＣ上の光点の大きさは試料表面の平面内の焦点の位置
に無関係である。
ーザ−）と、レーザービームＬＡを広げるための望遠鏡
ＴＥと、音響光学的変調器ＭＯと、半透過性鏡Ｈ３と、
２つの高精度のガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２から成
る偏向ユニットと、偏向鏡ＵＳと、試料ＩＣ１好ましく
は集積ＣＭＯＳ回路の上にレーザービームＬＡの焦点を
合わせるための対物レンズＯＬとを含んでいる。さらに
走査レーザー類ｖＩＩｍは第１図には示されていないテ
レセンドリンク光学系をも設けられており、この光学系
は、レーザービームＬＡが対物瞳のなかに位置的にとど
まり、またこうして瞳を回転点とする回転運動のみを行
うことを保証する。こうして、直交軸線の回りに回転可
能なガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２の位置に無関係に
常に対物レンズＯＬの全開口が利用され、その際に試料
ＩＣ上の光点の大きさは試料表面の平面内の焦点の位置
に無関係である。
試料Ｉｃ上のレーザービームＬＡの位置を定める偏向電
圧は高精度のラスター発生器ＳＧのなかで発生され、ま
たタンデム増幅器ＶＴＶのなかで増幅され、その出力信
号がｍｓｌおよびＳ２に対応付けられている駆動ユニッ
トＡＳＩおよびＡＳ２の入力端に与えられている。試料
ＩＣの明像を発生するため、対物レンズＯＬのなかへ後
方散乱されて半透過性鏡Ｈ３により偏向されたビームが
光電子増倍管ＰＭにより検出され、その増幅された出力
信号がモニタＭＯの書込みビームの強度を高める。モニ
タＭＯの前に好ましくはビデオ増幅器Ｚｖ■が接続され
ており、その入力端には光電子増倍管ＰＭの出力信号も
試料ＩＣ上のレーザービームＬＡの位置を表すタンデム
増幅器ＶＴＶの出力信号も与えられている。測定データ
（試料ＩＣ上の測定個所の座標、後方散乱されたビーム
の強度など）は、測定後にそれらを表示かつ評価し得る
ように、通常の仕方でモニタＭＯに対応付けられている
像メモリＢＳＰのなかに記憶される。
圧は高精度のラスター発生器ＳＧのなかで発生され、ま
たタンデム増幅器ＶＴＶのなかで増幅され、その出力信
号がｍｓｌおよびＳ２に対応付けられている駆動ユニッ
トＡＳＩおよびＡＳ２の入力端に与えられている。試料
ＩＣの明像を発生するため、対物レンズＯＬのなかへ後
方散乱されて半透過性鏡Ｈ３により偏向されたビームが
光電子増倍管ＰＭにより検出され、その増幅された出力
信号がモニタＭＯの書込みビームの強度を高める。モニ
タＭＯの前に好ましくはビデオ増幅器Ｚｖ■が接続され
ており、その入力端には光電子増倍管ＰＭの出力信号も
試料ＩＣ上のレーザービームＬＡの位置を表すタンデム
増幅器ＶＴＶの出力信号も与えられている。測定データ
（試料ＩＣ上の測定個所の座標、後方散乱されたビーム
の強度など）は、測定後にそれらを表示かつ評価し得る
ように、通常の仕方でモニタＭＯに対応付けられている
像メモリＢＳＰのなかに記憶される。
本発明による方法を実施するため走査レーザー顕微鏡は
追加的に、光路内に組込み可能な偏向鏡ＡＳを設けられ
ており（本方法の実施のために主要な走査レーザー顕微
鏡の構成要素のみが示されている第２図を参照）、それ
によりそのつどの測定個所から出発する赤外線放射ＩＲ
が偏向されて検出器ＤＴに供給される。その際、試料表
面上の測定個所の位置は鏡ＳｌまたはＳ２の位置を定め
るラスター発生器ＳＧの偏向電圧により予め定められる
。こうして、鏡３１またはＳ２の駆動ユニットＡＳ１お
よびＡＳ２に第３図ｆ、ｇに示されているのこぎり波状
の信号を与えるならば、測定個所がラスター状に試料表
面にわたり分布される。
追加的に、光路内に組込み可能な偏向鏡ＡＳを設けられ
ており（本方法の実施のために主要な走査レーザー顕微
鏡の構成要素のみが示されている第２図を参照）、それ
によりそのつどの測定個所から出発する赤外線放射ＩＲ
が偏向されて検出器ＤＴに供給される。その際、試料表
面上の測定個所の位置は鏡ＳｌまたはＳ２の位置を定め
るラスター発生器ＳＧの偏向電圧により予め定められる
。こうして、鏡３１またはＳ２の駆動ユニットＡＳ１お
よびＡＳ２に第３図ｆ、ｇに示されているのこぎり波状
の信号を与えるならば、測定個所がラスター状に試料表
面にわたり分布される。
偏向された赤外線放射は２つのレンズおよび１つの孔絞
り（絞り直径：数μｍ）から成る空間フィルタ（擾乱お
よび背景放射の抑制）を通過し、続いて窒素冷却された
ゲルマニウム−ビン−ダイオードにより検出される。検
出器ＤＴの後にコンパレータＣＭＰが接続されており、
そのなかで赤外線放射ｒＲの強度１ （ｔ）を表す信号
が好ましくは設定可能なしきい値１．と比較される。コ
ンパレータＣＭＰは、強２１ （ｔ）が予め定められ
たしきい値１．に達するときには常にトリガ信号を、出
力側で像メモリＢＳＰのデータ入力端と接続されている
サンプル・アンド・ホールド回路ＳＨに与える。
り（絞り直径：数μｍ）から成る空間フィルタ（擾乱お
よび背景放射の抑制）を通過し、続いて窒素冷却された
ゲルマニウム−ビン−ダイオードにより検出される。検
出器ＤＴの後にコンパレータＣＭＰが接続されており、
そのなかで赤外線放射ｒＲの強度１ （ｔ）を表す信号
が好ましくは設定可能なしきい値１．と比較される。コ
ンパレータＣＭＰは、強２１ （ｔ）が予め定められ
たしきい値１．に達するときには常にトリガ信号を、出
力側で像メモリＢＳＰのデータ入力端と接続されている
サンプル・アンド・ホールド回路ＳＨに与える。
試料ＩＣのなかでラッチアップがパルス化された供給電
圧により周期的にトリガされ、また抑制される。従って
、試料ＩＣの駆動はラフチアシブトリガ信号を発生する
パルス発生器ＰＣを介して行われる。パルス発生器ＰＧ
の制御入力端は測定個所切換（周波数ｆＡｔ”ｔｌｏｏ
Ｈｚ−１ｋＨｚ）を定める信号ＣＬＫ、たとえばラスク
ー発生器ＳＧの内部クロック信号を与えられている。そ
の際、パルス発生器ＰＧの出力信号（ラッチアップ・ト
リガ信号、第３図Ｃ参照）はのこぎり波発生器ＲＧの入
力端にも与えられており、その出力電圧（第３図Ｃ参照
）はサンプル・アンド・ホールド回路Ｓ Ｈのなかで、
そのつどの測定個所における赤外線放射ＩＲ（第３図す
参照）の強度１ （ｔ）がコンパレータＣＭＰのなかで
予め定められたしきい値■。に達するまで積分される（
積分を終了するコンパレータＣＭＰのトリガ信号は第３
図ｄ中に示されている）０次いでサンプル・アンド・ホ
ールド回路ＳＨの出力信号（第３図Ｃ参照）はラフチア
ツブ−トリガ信号の生起（時点ｔｏ）としきい値Ｉ０の
到達（時点ｔｓ）との間の時間間隔τ＝ｔ、−ｔｏを表
す０時間間隔τに相当する測定値が続いて像メモリＢＳ
Ｐのなかに読入れられ、その第２の入力端は同時にその
つどの測定個所の座標をラスクー発生器ＳＧから受は入
れる。
圧により周期的にトリガされ、また抑制される。従って
、試料ＩＣの駆動はラフチアシブトリガ信号を発生する
パルス発生器ＰＣを介して行われる。パルス発生器ＰＧ
の制御入力端は測定個所切換（周波数ｆＡｔ”ｔｌｏｏ
Ｈｚ−１ｋＨｚ）を定める信号ＣＬＫ、たとえばラスク
ー発生器ＳＧの内部クロック信号を与えられている。そ
の際、パルス発生器ＰＧの出力信号（ラッチアップ・ト
リガ信号、第３図Ｃ参照）はのこぎり波発生器ＲＧの入
力端にも与えられており、その出力電圧（第３図Ｃ参照
）はサンプル・アンド・ホールド回路Ｓ Ｈのなかで、
そのつどの測定個所における赤外線放射ＩＲ（第３図す
参照）の強度１ （ｔ）がコンパレータＣＭＰのなかで
予め定められたしきい値■。に達するまで積分される（
積分を終了するコンパレータＣＭＰのトリガ信号は第３
図ｄ中に示されている）０次いでサンプル・アンド・ホ
ールド回路ＳＨの出力信号（第３図Ｃ参照）はラフチア
ツブ−トリガ信号の生起（時点ｔｏ）としきい値Ｉ０の
到達（時点ｔｓ）との間の時間間隔τ＝ｔ、−ｔｏを表
す０時間間隔τに相当する測定値が続いて像メモリＢＳ
Ｐのなかに読入れられ、その第２の入力端は同時にその
つどの測定個所の座標をラスクー発生器ＳＧから受は入
れる。
測定の終了後に試料ＩＣの像が走査レーザー顕微鏡のモ
ニタＭＯ上に発生され、その際に時間間隔て−１，−１
，を表す測定値が測定個所にそれぞれ対応付けられてい
る像点の明るさを決定する。
ニタＭＯ上に発生され、その際に時間間隔て−１，−１
，を表す測定値が測定個所にそれぞれ対応付けられてい
る像点の明るさを決定する。
等しい明るさの線は特定の時点ｔ、でのラッチアップ−
フロントの伝播環を示す。
フロントの伝播環を示す。
本発明はもちろん前記の実施例に限定されない。
たとえば、寄生的サイリスタ構造を回路のラッチアップ
に敏感な範囲に向けられるレーザーまたは電子線によっ
ても点弧することが容易に可能である。
に敏感な範囲に向けられるレーザーまたは電子線によっ
ても点弧することが容易に可能である。
もちろん、偏向された赤外線放射を波長依存性のビーム
スプリフタにより、再結合放射および熱放射を表す２つ
の部分ビームに分割し、その強度をそれぞれ当該のビー
ムに対して敏感な検出器で測定することも可能である。
スプリフタにより、再結合放射および熱放射を表す２つ
の部分ビームに分割し、その強度をそれぞれ当該のビー
ムに対して敏感な検出器で測定することも可能である。
第１図は１つの走査レーザー顕微鏡の概略構成を示す図
、第２図は本発明による方法を実施するための１つの装
置の実施例を示す図、第３図は本発明による装置のなか
で生ずるいくつかの信号の時間的関係を示す図である。 ＡＳＩ、ＡＳ２・・・駆動ユニット ＢＳＰ・・・像メモリ ＣＭＰ・・・コンパレータ ＤＴ・・・検出器 Ｈ３・・・半透過性鏡 ■。・・・しきい値 ＩＣ・・・試料（ＣＭＯＳ回路） ＩＲ・・・赤外線放射 ＬＡ・・・レーザービーム ＭＯ・・・音響光学変温器、モニタ ＯＬ・・・対物レンズ系 ＰＣ・・・パルス発生器 ＰＭ・・光電子増倍管 Ｑ・・・光源 ＲＦ・・・空間フィルタ ＲＧ・・・のこぎり波発生器 Ｓｌ、Ｓ２・・・偏向ユニット ＳＣ・・・ラスクー発生器 ＳＨ・・・サンプル・アンド・ホールド回路ＴＥ・・・
望遠鏡 ＵＳ・・・偏向鏡 ＶＴＶ・・・タンデム増幅器
、第２図は本発明による方法を実施するための１つの装
置の実施例を示す図、第３図は本発明による装置のなか
で生ずるいくつかの信号の時間的関係を示す図である。 ＡＳＩ、ＡＳ２・・・駆動ユニット ＢＳＰ・・・像メモリ ＣＭＰ・・・コンパレータ ＤＴ・・・検出器 Ｈ３・・・半透過性鏡 ■。・・・しきい値 ＩＣ・・・試料（ＣＭＯＳ回路） ＩＲ・・・赤外線放射 ＬＡ・・・レーザービーム ＭＯ・・・音響光学変温器、モニタ ＯＬ・・・対物レンズ系 ＰＣ・・・パルス発生器 ＰＭ・・光電子増倍管 Ｑ・・・光源 ＲＦ・・・空間フィルタ ＲＧ・・・のこぎり波発生器 Ｓｌ、Ｓ２・・・偏向ユニット ＳＣ・・・ラスクー発生器 ＳＨ・・・サンプル・アンド・ホールド回路ＴＥ・・・
望遠鏡 ＵＳ・・・偏向鏡 ＶＴＶ・・・タンデム増幅器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を、回路から放
射される赤外線放射（ＩＲ）の検出により検査するため
の方法において、 ラッチアップが周期的にトリガされ、 赤外線（ＩＲ）の強度（Ｉ（ｔ））が次々 と複数の測定個所において記録され、 測定個所においてそれぞれ、どの時間間隔 （τ）のなかでラッチアップのトリガの後に赤外線放射
（ＩＲ）の強度（Ｉ（ｔ））がしきい値（Ｉ＿０）に達
するかが確認され、 それぞれ時間間隔（τ）を表す測定値が位 置に関係して記録される ことを特徴とするＣＭＯＳ回路のラッチア ップ検査方法。 ２）回路（ＩＣ）の像がディスプレイ装置（ＭＯ）上に
発生され、その際に時間間隔（τ）が測定個所にそれぞ
れ対応付けられている像点の明るさを決定することを特
徴とする請求項１記載の方法。 ３）ラッチアップが回路（ＩＣ）に向けられた粒子線（
ＬＡ）によりトリガされることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の方法。 ４）ラッチアップが電気的トリガ信号によりトリガされ
ることを特徴とする請求項１または２記載の方法。 ５）測定個所が回路（ＩＣ）をラスター状に覆うことを
特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の方法。 ６）請求項１記載の方法を実施するための装置において
、 測定個所から出発する赤外線放射（ＩＲ） を集束するためのレンズ系（ＯＬ）と、 回路（ＩＣ）内のそのつどの測定個所の位 置を定める出力信号を生ずるラスター発生器（ＳＧ）に
より駆動される偏向装置（Ｓ１、Ｓ２）と、 測定個所切換を定める信号（ＣＬＫ）を制 御入力端に与えられ、ラッチアップをトリガするトリガ
信号を発生するための第１の装置（ＰＧ）と、 赤外線放射（ＩＲ）を検出するための検出 器（ＤＴ）と、 コンパレータ（ＣＭＰ）と、 トリガ信号の生起とコンパレータ（ＣＭＰ）のなかで予
め定められたしきい値（Ｉ＿０）の到達との間の時間間
隔（τ）に相応する測定値を発生するための第２の装置
と、 メモリユニット（ＢＳＰ）と を含んでいることを特徴とするＣＭＯＳ回 路のラッチアップ検査装置。 ７）第１の装置が回路（ＩＣ）を駆動するパルス発生器
（ＰＧ）から成っていることを特徴とする請求項６記載
の装置。 ８）第２の装置が、入力端にトリガ信号を与えられるの
こぎり波発生器（ＲＧ）と、入力端でのこぎり波発生器
（ＲＧ）の出力端と接続されているサンプル・アンド・
ホールド回路（ＳＨ）とを有し、サンプル・アンド・ホ
ールド回路（ＳＨ）のトリガ入力端がコンパレータ（Ｃ
ＭＰ）の出力信号を与えられていることを特徴とする請
求項６または７記載の装置。 ９）検出器（ＤＴ）の前に接続されている空間フィルタ
（ＲＦ）を含んでいることを特徴とする請求項６ないし
８の１つに記載の装置。
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| JP (1) | JPH0236376A (ja) |
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- 1989-06-05 EP EP89110150A patent/EP0345701A3/de not_active Withdrawn
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