JPH0236377A - Ｃｍｏｓ回路のラツチアツプ検査方法および装置 - Google Patents
Ｃｍｏｓ回路のラツチアツプ検査方法および装置Info
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- JPH0236377A JPH0236377A JP1142869A JP14286989A JPH0236377A JP H0236377 A JPH0236377 A JP H0236377A JP 1142869 A JP1142869 A JP 1142869A JP 14286989 A JP14286989 A JP 14286989A JP H0236377 A JPH0236377 A JP H0236377A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を回路
から放射される赤外線放射の検出により検査する方法お
よびこの方法を実施するための装置に関するものである
。
から放射される赤外線放射の検出により検査する方法お
よびこの方法を実施するための装置に関するものである
。
〔従来の技術］
集積ＣＭＯＳ回路内には常に寄生的なサイリスク構造が
存在し、その点弧がそれと同時に生ずるｔ流経路の加熱
の結果として構成要素の損傷に通じ得る。原理的には、
ラッチアップと呼ばれる現象は供給電流の跳躍的な上昇
および自己保持で認識され得るが、当該の回路部分を同
定し、また設計またはテクノロジー的措置（より高い凹
部および基板ドーピング、低抵抗のエピタキシャル層の
使用など）の変更により改善し得ない、従って、集積Ｃ
ＭＯＳ回路内のラッチアップに敏感な範囲を位置確認す
るための一連の方法が開発された（たとえばＶＤ１報告
、第６５９号（Ｉ９８７）、第３８１〜３９３頁、シー
メンス研究開発報告、第１３巻（Ｉ９８４）、第１号、
第９〜１４頁およびＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ−国際信転性物
理シンポジウム１９８４、第１２２〜１２７頁参照）、
その際、ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳから公知の方法は特に、旧
来の液晶技術によっては位置確認可能でない一次的なラ
ッチアップ中心が同定され得るという利点を提供する。
存在し、その点弧がそれと同時に生ずるｔ流経路の加熱
の結果として構成要素の損傷に通じ得る。原理的には、
ラッチアップと呼ばれる現象は供給電流の跳躍的な上昇
および自己保持で認識され得るが、当該の回路部分を同
定し、また設計またはテクノロジー的措置（より高い凹
部および基板ドーピング、低抵抗のエピタキシャル層の
使用など）の変更により改善し得ない、従って、集積Ｃ
ＭＯＳ回路内のラッチアップに敏感な範囲を位置確認す
るための一連の方法が開発された（たとえばＶＤ１報告
、第６５９号（Ｉ９８７）、第３８１〜３９３頁、シー
メンス研究開発報告、第１３巻（Ｉ９８４）、第１号、
第９〜１４頁およびＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ−国際信転性物
理シンポジウム１９８４、第１２２〜１２７頁参照）、
その際、ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳから公知の方法は特に、旧
来の液晶技術によっては位置確認可能でない一次的なラ
ッチアップ中心が同定され得るという利点を提供する。
本発明の課題は、冒頭に記載した種類の方法であって、
ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を高い位置的および
時間的分解能で検査し得る方法を提供することである。
ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を高い位置的および
時間的分解能で検査し得る方法を提供することである。
さらに、本発明の課題は、この方法を実施するための装
置を提供することである。
置を提供することである。
〔課題を解決するための手段］
この課題を解決するため本発明による方法においては、
ラッチアップが周期的にトリガされ、赤外線の強度が次
々と複数の測定個所においてそれぞれラッチアップのト
リガの後に予め定められた時点で決定され、測定個所に
おいてそれぞれ１つの測定された強度を表す測定値が位
置に関係して記録され、本発明による装置においては、
測定個所から出発する赤外線放射を集束するためのレン
ズ系と、回路内のそのつどの測定個所の位置を決定する
出力信号を生ずるラスター発生器により駆動される偏向
装置と、ラッチアップをトリガするトリガ信号を発生す
るための１つの装置と、赤外線放射を検出するための検
出器と、時間窓を発生するための装置と、赤外線放射の
強度を表す測定値を発生するための測定エレクトロニク
スと、測定値を記憶するためのユニットとを含んでいる
。
ラッチアップが周期的にトリガされ、赤外線の強度が次
々と複数の測定個所においてそれぞれラッチアップのト
リガの後に予め定められた時点で決定され、測定個所に
おいてそれぞれ１つの測定された強度を表す測定値が位
置に関係して記録され、本発明による装置においては、
測定個所から出発する赤外線放射を集束するためのレン
ズ系と、回路内のそのつどの測定個所の位置を決定する
出力信号を生ずるラスター発生器により駆動される偏向
装置と、ラッチアップをトリガするトリガ信号を発生す
るための１つの装置と、赤外線放射を検出するための検
出器と、時間窓を発生するための装置と、赤外線放射の
強度を表す測定値を発生するための測定エレクトロニク
スと、測定値を記憶するためのユニットとを含んでいる
。
請求項２ないし６には請求項１記載の方法の好ましい実
施例が、また請求項８ないし１１には請求項７記載の装
置の好ましい実施例があげられている。
施例が、また請求項８ないし１１には請求項７記載の装
置の好ましい実施例があげられている。
本発明により得られる利点は特に、ＣＭＯＳ回°路内の
ラッチアップ伝播が高い位置的および時間的分解能で検
査され得ることにある。
ラッチアップ伝播が高い位置的および時間的分解能で検
査され得ることにある。
［実施例］
以下、図面により本発明を一層詳細に説明する。
ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳから公知の方法では、ＣＭＯＳ回路
内のラッチアップ伝播が、回路から放射される赤外線の
検出により検査される。その際、特に重要なのは、サイ
リスタ構造の電気的加熱の結果として生じ、λ−８ない
し１０μｍに強度極大を有する熱放射と、過剰な電子−
正孔対の再結合により発生され、特に通過方向の橿性の
ｐｎ接合の範囲内に生じ、λ−１，１μｍに強度極大を
有する赤外線放射とである。ＣＭＯＳ回路内のラッチア
ップ伝播を高い位置的および時間的分解能で変形された
走査レーザー顕微鏡で検査し得るように、 一回路の寄生的なサイリスタ構造をトリガ信号により制
御されて周期的に点弧し、 一再結合および（または）熱放射（以下単に赤外線放射
という）の強度を次々と、回路を好ましくはラスター状
に覆う複数の測定個所において、ラッチアップをトリガ
するトリガ信号の生起の後に予め定められた時点でで走
査し、 −測定個所においてそれぞれ時点てで測定された強度Ｉ
（τ）を表す測定値を記録し、 −場合によっては回路の像を発生し、その際に赤外線放
射の強度Ｉ（τ）が測定個所にそれぞれ対応付けられて
いる像点の明るさを決定することが提案される。
内のラッチアップ伝播が、回路から放射される赤外線の
検出により検査される。その際、特に重要なのは、サイ
リスタ構造の電気的加熱の結果として生じ、λ−８ない
し１０μｍに強度極大を有する熱放射と、過剰な電子−
正孔対の再結合により発生され、特に通過方向の橿性の
ｐｎ接合の範囲内に生じ、λ−１，１μｍに強度極大を
有する赤外線放射とである。ＣＭＯＳ回路内のラッチア
ップ伝播を高い位置的および時間的分解能で変形された
走査レーザー顕微鏡で検査し得るように、 一回路の寄生的なサイリスタ構造をトリガ信号により制
御されて周期的に点弧し、 一再結合および（または）熱放射（以下単に赤外線放射
という）の強度を次々と、回路を好ましくはラスター状
に覆う複数の測定個所において、ラッチアップをトリガ
するトリガ信号の生起の後に予め定められた時点でで走
査し、 −測定個所においてそれぞれ時点てで測定された強度Ｉ
（τ）を表す測定値を記録し、 −場合によっては回路の像を発生し、その際に赤外線放
射の強度Ｉ（τ）が測定個所にそれぞれ対応付けられて
いる像点の明るさを決定することが提案される。
本発明による方法を実施するためには、たとえば走査（
Ｓｃａｎｎｉｎｇ）、第７巻（Ｉ９８５）、第８８〜９
６頁から公知の走査レーザー顕微鏡を使用し得る。その
概略の構成が第１図に示されている。
Ｓｃａｎｎｉｎｇ）、第７巻（Ｉ９８５）、第８８〜９
６頁から公知の走査レーザー顕微鏡を使用し得る。その
概略の構成が第１図に示されている。
この走査レーザー顕微鏡は光［Ｑ（ヘリウム−ネオンレ
ーザ−）と、レーザービームＬＡを広げるための望遠鏡
ＴＥと、音響光学的変調器ＭＯと、半透過性鏡Ｈ３と、
２つの高精度のガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２から成
る偏向ユニットと、偏向鏡ＵＳと、試料ＩＣ，好ましく
は集ＩｃＭＯ３回路の上にレーザービームＬＡの焦点を
合わせるための対物レンズＯＬとを含んでいる。さらに
走査レーザー顕微鏡は第１図には示されていないテレセ
ンドリンク光学系をも設けられており、この光学系は、
レーザービームＬＡが対物瞳のなかに位置的にとどまり
、またこうして瞳を回転点とする回転運動のみを行うこ
とを保証する。こうして、直交軸線の回りに回転可能な
ガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２の位置に無関係に常に
対物レンズＯＬの全開口が利用され、その際に試料ＩＣ
上の光点の大きさは試料表面の平面内の焦点の位置に無
関係である。
ーザ−）と、レーザービームＬＡを広げるための望遠鏡
ＴＥと、音響光学的変調器ＭＯと、半透過性鏡Ｈ３と、
２つの高精度のガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２から成
る偏向ユニットと、偏向鏡ＵＳと、試料ＩＣ，好ましく
は集ＩｃＭＯ３回路の上にレーザービームＬＡの焦点を
合わせるための対物レンズＯＬとを含んでいる。さらに
走査レーザー顕微鏡は第１図には示されていないテレセ
ンドリンク光学系をも設けられており、この光学系は、
レーザービームＬＡが対物瞳のなかに位置的にとどまり
、またこうして瞳を回転点とする回転運動のみを行うこ
とを保証する。こうして、直交軸線の回りに回転可能な
ガルバノメータ鏡Ｓ１およびＳ２の位置に無関係に常に
対物レンズＯＬの全開口が利用され、その際に試料ＩＣ
上の光点の大きさは試料表面の平面内の焦点の位置に無
関係である。
試料ＩＣ上のレーザービームＬＡの位置を定める偏向電
圧は高精度のラスター発生器ＳＧのなかで発生され、ま
たタンデム増幅器ＶＴＶのなかで増幅され、その出力信
号が鏡Ｓ１およびＳ２に対応付けられている駆動ユニッ
トＡＳＩおよびＡＳ２の入力端に与えられている。試料
ＩＣの明像を発生するため、対物レンズＯＬのなかへ後
方散乱されて半透過性鏡Ｈ３により偏向されたビームが
光電子増倍管ＰＭにより検出され、その増幅された出力
信号がモニタＭＯの書込みビームの強度を高める。モニ
タＭＯの前に好ましくはビデオ増幅器Ｚｖｖが接続され
ており、その入力端には光電子増倍管ＰＭの出力信号も
試料ＩＣ上のレーザービームＬＡの位置を表すタンデム
増幅器ＶＴＶの出力信号も与えられている。測定データ
（試料ＩＣ上の測定個所の座標、後方散乱されたビーム
の強度など）は、測定後にそれらを表示かつ評価し得る
ように、通常の仕方でモニタＭＯに対応付けられている
像メモリＢＳＰのなかに記憶される。
圧は高精度のラスター発生器ＳＧのなかで発生され、ま
たタンデム増幅器ＶＴＶのなかで増幅され、その出力信
号が鏡Ｓ１およびＳ２に対応付けられている駆動ユニッ
トＡＳＩおよびＡＳ２の入力端に与えられている。試料
ＩＣの明像を発生するため、対物レンズＯＬのなかへ後
方散乱されて半透過性鏡Ｈ３により偏向されたビームが
光電子増倍管ＰＭにより検出され、その増幅された出力
信号がモニタＭＯの書込みビームの強度を高める。モニ
タＭＯの前に好ましくはビデオ増幅器Ｚｖｖが接続され
ており、その入力端には光電子増倍管ＰＭの出力信号も
試料ＩＣ上のレーザービームＬＡの位置を表すタンデム
増幅器ＶＴＶの出力信号も与えられている。測定データ
（試料ＩＣ上の測定個所の座標、後方散乱されたビーム
の強度など）は、測定後にそれらを表示かつ評価し得る
ように、通常の仕方でモニタＭＯに対応付けられている
像メモリＢＳＰのなかに記憶される。
本発明による方法を実施するため走査レーザー顕微鏡は
追加的に、光路内に組込み可能な偏向鏡ＡＳを設けられ
ており（本方法の実施のために主要な走査レーザー顕微
鏡の構成要素のみが示されている第２図を参照）、それ
によりそのつどの測定個所から出発する赤外線放射ＩＲ
が偏向されて検出器ＤＴに供給される。その際、試料表
面上の測定個所の位置は鏡Ｓ１またはＳ２の位置を定め
るラスター発生器ＳＧの偏向電圧により予め定められる
。こうして、鏡Ｓ１またはＳ２の駆動ユニッ１−ＡＳ
１およびＡＳ２に第３図ｆ、、ｇに示されているのこぎ
り波状の信号を与えるならば、測定個所がラスター状に
試料表面にわたり分布される。
追加的に、光路内に組込み可能な偏向鏡ＡＳを設けられ
ており（本方法の実施のために主要な走査レーザー顕微
鏡の構成要素のみが示されている第２図を参照）、それ
によりそのつどの測定個所から出発する赤外線放射ＩＲ
が偏向されて検出器ＤＴに供給される。その際、試料表
面上の測定個所の位置は鏡Ｓ１またはＳ２の位置を定め
るラスター発生器ＳＧの偏向電圧により予め定められる
。こうして、鏡Ｓ１またはＳ２の駆動ユニッ１−ＡＳ
１およびＡＳ２に第３図ｆ、、ｇに示されているのこぎ
り波状の信号を与えるならば、測定個所がラスター状に
試料表面にわたり分布される。
偏向された赤外線放射ＩＲは２つのレンズおよび１つの
孔絞り（絞り直径：数μｍ）から成る空間フィルタＲＦ
（擾乱および背景放射の抑制）と、電気光学的変調器Ｒ
ＯＭ、たとえば２つの偏光子の間に配置されているポッ
ケルスセルとを通過し、続いて窒素冷却されたゲルマニ
ウム−ピン−ダイオードにより検出される。検出器ＤＴ
の後に低域通過フィルタＴＰが接続されており、その出
力信号はロックイン増幅器ＬＩＶの入力端に与えられて
いる。ロックイン増幅器ＬｒＶは出力側で像メモリＢＳ
Ｐのデータ入力端と接続されており、その第２の入力端
はラスター発生器ＳＧからそのつどの測定個所の座標を
受は入れる。
孔絞り（絞り直径：数μｍ）から成る空間フィルタＲＦ
（擾乱および背景放射の抑制）と、電気光学的変調器Ｒ
ＯＭ、たとえば２つの偏光子の間に配置されているポッ
ケルスセルとを通過し、続いて窒素冷却されたゲルマニ
ウム−ピン−ダイオードにより検出される。検出器ＤＴ
の後に低域通過フィルタＴＰが接続されており、その出
力信号はロックイン増幅器ＬＩＶの入力端に与えられて
いる。ロックイン増幅器ＬｒＶは出力側で像メモリＢＳ
Ｐのデータ入力端と接続されており、その第２の入力端
はラスター発生器ＳＧからそのつどの測定個所の座標を
受は入れる。
検査すべき試料ＩＣのなかでラッチアップがパルス化さ
れた供給電圧により周期的にトリガされ、また抑制され
る。従って、試料ＩＣを駆動するためのエレクトロニク
スはラッチアップ−トリガ信号を発生するパルス発生器
ＰＣ（パルス繰り返し周波数ｆ、、−１００ｋＨｚ 〜
ＩＭＨｚ）と方形波発生器ＲＧ（パルス繰り返し周波数
ｆ ｍＧ＜＜ ｒ ｒＪから成っており、その出力信号
はパルス発生器ＰＧの制御入力端にもロックイン増幅器
ＬＩＶの参照入力端にも与えられている。その際に方形
波発生器ＲＧのパルス繰り返し周波数ｆ□は、これが行
偏向を決定するラスタ発生器ＳＧの出力信号の周波数ｒ
、７（走査レート）を少なくとも１ないし２桁だけ凌駕
するように選定されている（ ｆＡｙ’１１００Ｈｚ
〜１ｋＨｚ、ｆｍｓ’；１０ｋＨｚ）。
れた供給電圧により周期的にトリガされ、また抑制され
る。従って、試料ＩＣを駆動するためのエレクトロニク
スはラッチアップ−トリガ信号を発生するパルス発生器
ＰＣ（パルス繰り返し周波数ｆ、、−１００ｋＨｚ 〜
ＩＭＨｚ）と方形波発生器ＲＧ（パルス繰り返し周波数
ｆ ｍＧ＜＜ ｒ ｒＪから成っており、その出力信号
はパルス発生器ＰＧの制御入力端にもロックイン増幅器
ＬＩＶの参照入力端にも与えられている。その際に方形
波発生器ＲＧのパルス繰り返し周波数ｆ□は、これが行
偏向を決定するラスタ発生器ＳＧの出力信号の周波数ｒ
、７（走査レート）を少なくとも１ないし２桁だけ凌駕
するように選定されている（ ｆＡｙ’１１００Ｈｚ
〜１ｋＨｚ、ｆｍｓ’；１０ｋＨｚ）。
赤外線放射■Ｒの強度１ （ｔ）はそのつどの測定個所
において寄生的サイリスク構造の点弧の後に予め定めら
れた時点τでのみ走査されるので、走査レーザー顕微鏡
の測定エレクトロニクスは時間窓を定める回路ＭＦ／Ｌ
Ｇを設けられており、その出力信号が電気光学的変調器
ＲＯＭの制御入力端Ｓに与えられている。この回路はエ
ツジ制御されるモノフロップＭＦおよび設定可能な遅延
要素ＬＧを含んでおり、その際に遅延要素ＬＧは回路の
入力端に与えられているパルス発生器ＰＣの出力信号（
ラッチアップ−トリガ信号）の位置を決定し、またモノ
フロップＭＦの時定数は時間窓の幅を定める。
において寄生的サイリスク構造の点弧の後に予め定めら
れた時点τでのみ走査されるので、走査レーザー顕微鏡
の測定エレクトロニクスは時間窓を定める回路ＭＦ／Ｌ
Ｇを設けられており、その出力信号が電気光学的変調器
ＲＯＭの制御入力端Ｓに与えられている。この回路はエ
ツジ制御されるモノフロップＭＦおよび設定可能な遅延
要素ＬＧを含んでおり、その際に遅延要素ＬＧは回路の
入力端に与えられているパルス発生器ＰＣの出力信号（
ラッチアップ−トリガ信号）の位置を決定し、またモノ
フロップＭＦの時定数は時間窓の幅を定める。
前記の測定装置のなかに生ずるいくつかの信号の時間的
関係は第３図に示されている。ここで第３図ａは方形波
発生器ＲＧＣ周波数ｆｍｃ）の出力信号を、 第３図すはパルス発生器ＰＣ（周波数ｆＰＧ）の出力信
号を、 第３図ｇは赤外線放射！Ｒの強度１ （ｔ）を、第３図
ｄは遅延要素ＬＧの出力信号を、第３図ｇは検出器出力
信号を、 第３図ｆは低域通過フィルタＴ Ｐ （ｒ ｍ、＜ ｆ
。〈〈ｆ、。、ｆ、−低域通過フィルタＴＰＯ限界周波
数）出力信号を、 第３図ｇは赤外線放射［Ｒの強度１ （ｔ）を表す、帯
域幅Δｆ−±ｆＡ？を有するロックイン増幅器ＬＩＶの
出力信号を、 第３図りは駆動ユニットＡＳＩ （ｘ偏向、走査周波数
ｒａｙ）の出力信号を、また 第３図ｉは駆動ユニットＡＳ２ （ｙ偏向）の出力信号
を示す。
関係は第３図に示されている。ここで第３図ａは方形波
発生器ＲＧＣ周波数ｆｍｃ）の出力信号を、 第３図すはパルス発生器ＰＣ（周波数ｆＰＧ）の出力信
号を、 第３図ｇは赤外線放射！Ｒの強度１ （ｔ）を、第３図
ｄは遅延要素ＬＧの出力信号を、第３図ｇは検出器出力
信号を、 第３図ｆは低域通過フィルタＴ Ｐ （ｒ ｍ、＜ ｆ
。〈〈ｆ、。、ｆ、−低域通過フィルタＴＰＯ限界周波
数）出力信号を、 第３図ｇは赤外線放射［Ｒの強度１ （ｔ）を表す、帯
域幅Δｆ−±ｆＡ？を有するロックイン増幅器ＬＩＶの
出力信号を、 第３図りは駆動ユニットＡＳＩ （ｘ偏向、走査周波数
ｒａｙ）の出力信号を、また 第３図ｉは駆動ユニットＡＳ２ （ｙ偏向）の出力信号
を示す。
本発明による方法を実施するための装置の第２の実施例
が第４図に示されている。この装置は、検出器ＤＴと低
域通過フィルタＴＰとの間の信号路に配置されているア
ナログスイッチＴＳが電気光学的変調器ＲＯＭを置換し
ている点で、第２図による装置と相違している０時間窓
を定める回路は再びモノフロップＭＦおよび遅延要素Ｌ
Ｇから成っており、その出力信号がアナログスイッチＴ
Ｓの制御入力端に与えられている。その他の点では測定
エレクトロニクスの構成は不変にとどまっている。
が第４図に示されている。この装置は、検出器ＤＴと低
域通過フィルタＴＰとの間の信号路に配置されているア
ナログスイッチＴＳが電気光学的変調器ＲＯＭを置換し
ている点で、第２図による装置と相違している０時間窓
を定める回路は再びモノフロップＭＦおよび遅延要素Ｌ
Ｇから成っており、その出力信号がアナログスイッチＴ
Ｓの制御入力端に与えられている。その他の点では測定
エレクトロニクスの構成は不変にとどまっている。
測定の終了後に試料ＩＣの像が走査レーザー顕微鏡のモ
ニタＭＯ上に発生され、その際に強度Ｉ（Ｉ）を表す測
定値が測定個所にそれぞれ対応付けられている像点の明
るさを決定する。モニタ像は時点τでのラッチアンプ伝
播の状態を示す。
ニタＭＯ上に発生され、その際に強度Ｉ（Ｉ）を表す測
定値が測定個所にそれぞれ対応付けられている像点の明
るさを決定する。モニタ像は時点τでのラッチアンプ伝
播の状態を示す。
本発明はもちろん前記の実施例に限定されない。
たとえば、寄生的サイリスタ構造を回路ＩＣのラッチア
ップに敏感な範囲に向けられるレーザーまたは電子線に
よっても点弧することが容易に可能である。
ップに敏感な範囲に向けられるレーザーまたは電子線に
よっても点弧することが容易に可能である。
時間窓の幅を定めるモノフロップＭＦおよび遅延要素Ｌ
Ｇは、もし１つの２チャネルパルス発生器ＰＣ１たとえ
ばウェーブチク（Ｗａｖｅｔｅｋ）社のモデルＳＰＧを
試料ＩＣの駆動のために使用するならば、省略され得る
。
Ｇは、もし１つの２チャネルパルス発生器ＰＣ１たとえ
ばウェーブチク（Ｗａｖｅｔｅｋ）社のモデルＳＰＧを
試料ＩＣの駆動のために使用するならば、省略され得る
。
もちろん、偏向された赤外線放射を波長依存性のビーム
フィルタにより、再結合放射（λ！＝ｉ １．１μｍ）
および熱放射（λ！＝ｉ８〜１０μｍ）を表す２つの部
分ビームに分割し、その強度をそれぞれ当該のビームに
対して敏感な検出器で測定することも可能である。
フィルタにより、再結合放射（λ！＝ｉ １．１μｍ）
および熱放射（λ！＝ｉ８〜１０μｍ）を表す２つの部
分ビームに分割し、その強度をそれぞれ当該のビームに
対して敏感な検出器で測定することも可能である。
第１図は１つの走査レーザー顕微鏡の概略構成を示す図
、第２図は本発明による方法を実施するための装置の実
施例を示す図、第３図は本発明による装置のなかで生ず
るいくつかの信号の時間的関係を示す図、第４図は本発
明による方法を実施するための装置の第２の実施例を示
す図である。 ＡＳＩ、ＡＳ２・・・駆動ユニット ＢＳＰ・・・像メモリ ＤＴ・・・検出器 ＲＯＭ・・・電気光学的変調器 Ｈ３・・・半透過性鏡 Ｉｃ・・・試料（ＣＭＯＳ回路） ＩＲ・・・赤外線放射 ＬＡ・・・レーザービーム ＬＧ・・・遅延要素 ＬＩＶ・・・ロックイン増幅器 ＭＦ・・・モノフロップ ＭＯ・・・音響光学変調器、モニタ ＯＬ・・・対物レンズ系 ＰＣ・・・パルス発生器 ＰＭ・・・光電子増倍管 Ｑ・・・光源 ＲＦ・・・空間フィルタ ＲＧ・・・のこぎり波発生器 Ｓｔ、Ｓ２・・・偏向ユニット ＳＧ・・・ラスター発生器 ＳＨ・・・サンプル・アンド・ホールド回路ＴＥ・・・
望遠鏡 ＴＰ・・・低域通過フィルタ ＴＳ・・・アナログスイッチ ＵＳ・・・偏向鏡 ＶＴＶ・・・タンデム増幅゛器 ＺＶＶ・・・ビデオ増幅器
、第２図は本発明による方法を実施するための装置の実
施例を示す図、第３図は本発明による装置のなかで生ず
るいくつかの信号の時間的関係を示す図、第４図は本発
明による方法を実施するための装置の第２の実施例を示
す図である。 ＡＳＩ、ＡＳ２・・・駆動ユニット ＢＳＰ・・・像メモリ ＤＴ・・・検出器 ＲＯＭ・・・電気光学的変調器 Ｈ３・・・半透過性鏡 Ｉｃ・・・試料（ＣＭＯＳ回路） ＩＲ・・・赤外線放射 ＬＡ・・・レーザービーム ＬＧ・・・遅延要素 ＬＩＶ・・・ロックイン増幅器 ＭＦ・・・モノフロップ ＭＯ・・・音響光学変調器、モニタ ＯＬ・・・対物レンズ系 ＰＣ・・・パルス発生器 ＰＭ・・・光電子増倍管 Ｑ・・・光源 ＲＦ・・・空間フィルタ ＲＧ・・・のこぎり波発生器 Ｓｔ、Ｓ２・・・偏向ユニット ＳＧ・・・ラスター発生器 ＳＨ・・・サンプル・アンド・ホールド回路ＴＥ・・・
望遠鏡 ＴＰ・・・低域通過フィルタ ＴＳ・・・アナログスイッチ ＵＳ・・・偏向鏡 ＶＴＶ・・・タンデム増幅゛器 ＺＶＶ・・・ビデオ増幅器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＣＭＯＳ回路内のラッチアップ伝播を、回路から放
射される赤外線放射（ＩＲ）の検出により検査するため
の方法において、 ラッチアップが周期的にトリガされ、 赤外線（ＩＲ）の強度（Ｉ）が次々と複数 の測定個所においてそれぞれラッチアップのトリガの後
に予め定められた時点（τ）で決定され、 測定個所においてそれぞれ１つの測定され た強度（Ｉ（τ））を表す測定値が位置に関係して記録
される ことを特徴とするＣＭＯＳ回路のラッチア ップ検査方法。 ２）回路の像が発生され、赤外線放射（ＩＲ）の強度（
Ｉ（τ））が測定個所にそれぞれ対応付けられている像
点の明るさを決定することを特徴とする請求項１記載の
方法。 ３）ラッチアップが回路（ＩＣ）に向けられた粒子線（
ＬＡ）によりトリガされることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の方法。 ４）ラッチアップが電気的トリガ信号によりトリガされ
ることを特徴とする請求項１または２記載の方法。 ５）遅延されたトリガ信号が赤外線放射（ＩＲ）の強度
（Ｉ（τ））を測定するための時間窓を決定することを
特徴とする請求項１記載の方法。 ６）測定個所が回路（ＩＣ）をラスター状に覆うことを
特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の方法。 ７）請求項１記載の方法を実施するための装置において
、 測定個所から出発する赤外線放射（ＩＲ） を集束するためのレンズ系（ＯＬ）と、 回路（ＩＣ）内のそのつどの測定個所の位 置を決定する出力信号を生ずるラスター発生器（ＳＧ）
により駆動される偏向装置（Ｓ１、Ｓ２）と、 ラッチアップをトリガするトリガ信号を発 生するための１つの装置（ＰＧ、ＲＧ）と、赤外線放射
（ＩＲ）を検出するための検出 器（ＤＴ）と、 時間窓を発生するための装置（ＥＯＭ、Ｔ Ｓ、ＭＦ、ＬＧ）と、 赤外線放射（ＩＲ）の強度（Ｉ）を表す測 定値を発生するための測定エレクトロニクス（ＴＰ、Ｌ
ＩＶ）と、 測定値を記憶するためのユニット（ＢＳＰ）と を含んでいることを特徴とするＣＭＯＳ回 路のラッチアップ検査装置。 ８）トリガ信号を発生するための装置がパルス発生器（
ＰＧ）と、パルス発生器（ＰＧ）を駆動する方形波発生
器（ＲＧ）とを有することを特徴とする請求項７記載の
装置。 ９）時間窓を発生するための装置が、入力側にパルス発
生器（ＰＧ）の出力信号を与えられるモノフロップ（Ｍ
Ｆ）と、遅延要素（ＬＧ）と、これにより駆動される光
変調器（ＥＯＭ）とから成っており、変調器（ＥＯＭ）
が光路内で検出器（ＤＴ）の前に配置されていることを
特徴とする請求項７または８記載の装置。 １０）時間窓を発生するための装置が、入力側にパルス
発生器（ＰＧ）の出力信号を与えられるモノフロップ（
ＭＦ）と、遅延要素（ＬＧ）と、これにより駆動される
ゲート回路（ＴＳ）とから成っており、ゲート回路（Ｔ
Ｓ）が測定された強度（Ｉ（τ））を表す信号を与えら
れていることを特徴とする請求項７または８記載の装置
。 １１）測定エレクトロニクスが低域通過フィルタ（ＴＰ
）およびロックイン増幅器（ＬＩＶ）から成っており、
ロックイン増幅器（ＬＩＶ）の参照入力端が方形波発生
器（ＲＧ）の出力信号を与えられていることを特徴とす
る請求項７ないし９の１つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3819489 | 1988-06-08 | ||
| DE3819489.9 | 1988-06-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236377A true JPH0236377A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=6356117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142869A Pending JPH0236377A (ja) | 1988-06-08 | 1989-06-05 | Ｃｍｏｓ回路のラツチアツプ検査方法および装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5030829A (ja) |
| EP (1) | EP0345702A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0236377A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148319A (en) * | 1991-02-25 | 1992-09-15 | Hughes Aircraft Company | System for fabricating micro optical elements |
| ES2036453B1 (es) * | 1991-06-21 | 1995-12-16 | Consejo Superior Investigacion | Estructura de test para la caracterizacion, del latch-up en circuitos cmo5. |
| US5504431A (en) * | 1991-12-09 | 1996-04-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for and method of evaluating semiconductor integrated circuit |
| US6225165B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-05-01 | Micron Technology, Inc. | High density SRAM cell with latched vertical transistors |
| US6633173B1 (en) | 2000-10-24 | 2003-10-14 | Renesas Technology America, Inc | Method and apparatus for testing for latch-up in integrated circuits |
| KR102387464B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 배선 회로 테스트 장치 및 방법과, 그 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263235A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
| US4680635A (en) * | 1986-04-01 | 1987-07-14 | Intel Corporation | Emission microscope |
| US4755874A (en) * | 1987-08-31 | 1988-07-05 | Kla Instruments Corporation | Emission microscopy system |
-
1989
- 1989-05-03 US US07/346,921 patent/US5030829A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-05 EP EP89110151A patent/EP0345702A3/de not_active Withdrawn
- 1989-06-05 JP JP1142869A patent/JPH0236377A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5030829A (en) | 1991-07-09 |
| EP0345702A2 (de) | 1989-12-13 |
| EP0345702A3 (de) | 1990-08-16 |
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