KR970054423A - 트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970054423A KR970054423A KR1019950046233A KR19950046233A KR970054423A KR 970054423 A KR970054423 A KR 970054423A KR 1019950046233 A KR1019950046233 A KR 1019950046233A KR 19950046233 A KR19950046233 A KR 19950046233A KR 970054423 A KR970054423 A KR 970054423A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- oxide film
- source
- drain
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 장치의 게이트전극을 트렌치형으로 형성하고, 이를 이용하여 반도체 장치의 소스-드레인 영역을 형성하는 트렌치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 트렌치를 이용한 반도체 장치는, 반도체 기판상의 웰 영역내에 형성된 트렌치와; 상기 트렌치의 측벽 및 저부에 형성된 게이트 산화막과; 상기 트렌치내에 형성된 게이트 산화막상에 형성된 게이트 전극과; 상기 트렌치의 양측에 형성되고 있고 그리고 상기 트렌치의 깊이 보다 상대적으로 더 깊게 형성된 소오스-드레인 영역을 포함하는 구조를 갖는다. 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 기판상의 웰 영역상에 완충산화막을 성장시키는 공정과; 상기 반도체 기판 전면에 불순물 이온을 주입하여 소오스-드레인용 불순물 이온층을 형성하는 공정과; 사기 완충산화막을 제거한 후, 상기 반도체 기판상에 포토레지스트 패턴을 도포하여 트렌치 영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 트렌치의 측벽과 게이트 산화막을 형성하는 공정과; 상기 트렌치내 상기 게이트 산화막에 게이트 전극용 폴리실리콘막을 형성하는 공정과; 열처리에 의해 상기 웰 영역에 주입된 불순물 이온층을 확산시켜서 소오스-드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 있어서, 종래 기판상에 게이트전극을 형성할 경우에 발생한 게이트전극에 의한 단차 및 소오스-드레인용 불순물 이온 주입시의 그림자 효과를 방지할 수 있고, 이에 따라 상기 소오스-드레인용 불순물 이온도 한 번만 주입하는 것으로 충분한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 반도체 장치의 구조를 보이는 단면도.
Claims (7)
- 트렌치를 이용한 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판(10)상의 웰 영역(11)내에 형성된 트렌치(17)와; 상기 트렌치(17)의 측벽 및 저부에 형성된 게이트 산화막(14)과; 상기 트렌치(17)내에 형성된 게이트 산화막(14)상에 형성된 게이트 전극(16)과; 상기 트렌치(17)의 양측에 형성되어 있고, 그리고 상기 트렌치(17)의 깊이보다 상대적으로 더 깊게 형성된 소오스-드레인 영역(13)을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 반도체 장치.
- 반도체 장치(10)상의 웰 영역(11)상에 완충산화막(12)을 성장시키는 공정과; 상기 반도체 기판(10)전면에 불순물 이온(18)을 주입하여 소오스-드레인용 불순물 이온층(18a)을 형성하는 공정과; 상기 완충산화막(12)을 제거한 후, 상기 반도체 기판(10)상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 트렌치 영역(17a)을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)을 선택적으로 식각하여 트렌치(17)를 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(15)를 제거하고, 상기 트렌치(17)의 측벽과 저부에 게이트 산화막(14)을 형성하는 공정과; 상기 트렌치(17)내 상기 게이트 산화막(14)상에 게이트전극용 폴리실리콘막(19)을 형성하는 공정과; 열처리에 의해 상기 웰 영역(11)에 주입된 소오스-드레인용 불순물 이온층(18a)을 확산시켜서 소오스-드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 완충산화막(12)은 약 100-900A 정도의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 소오스-드레인용 불순물 이온(18)의 농도는 약 10-15ion/㎠ 정도의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 트렌치(17)는 상기 웰 영역(11)에 주입된 소오스-드레인용 불순물 이온(18a)에 의해 형성된 상기 불순물 영역(13)보다 상대적으로 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 트렌치(17)은 약 0.2㎛ 정도의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트 산화막(14)은 약 100-500A 정도의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046233A KR970054423A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046233A KR970054423A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054423A true KR970054423A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046233A KR970054423A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054423A (ko) |
-
1995
- 1995-12-02 KR KR1019950046233A patent/KR970054423A/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870000763A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR970054487A (ko) | Mos 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| KR960026951A (ko) | 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054423A (ko) | 트렌치를 이용한 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR0143709B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR930003430A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR940016927A (ko) | 트렌치(Trench) 구조를 이용한 수직 채널을 갖는 모스트랜지스터(MOS-FET) 제조방법 | |
| KR960015813A (ko) | 모스펫 형성방법 | |
| KR930017207A (ko) | Mosfet 제조방법 | |
| KR950021269A (ko) | 반도체 소자의 소오스/드레인 형성 방법 | |
| KR960009066A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970003940A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950021789A (ko) | 모스펫(mosfet) 제조방법 | |
| KR960019771A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR970013323A (ko) | 모스전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960026450A (ko) | 반도체 소자의 mosfet 제조 방법 | |
| KR960009015A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
| KR970054446A (ko) | 반도체소자 및 제조방법 | |
| KR19990024787A (ko) | 반도체 소자의 구조 및 제조 방법 | |
| KR960026554A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR940016924A (ko) | 고속소자용 트랜지스터 제조방법 | |
| KR940022870A (ko) | 플래쉬 이이피롬 및 그 제조방법 | |
| KR930001480A (ko) | 트랜치 베리드 ldd mosfet의 구조 및 제조 방법 | |
| KR970018700A (ko) | Ldd구조를 갖는 모오스 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970003685A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| SUBM | Submission of document of abandonment before or after decision of registration | ||
| N231 | Notification of change of applicant |