KR970054336A - 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 - Google Patents

축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고온부 전기로 주위에 링형 전자석을 설치하여 결정성장축 방향으로 약 1600 가우스의 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만법의 단결정 성장장치로서, 결정성장시 민감한 온도구배의 변화를 기할 수 있을 뿐만 아니라 고온부 전기로를 내부로 냉각수가 순환되는 이중관으로 형성하여 그 내주면에 금박막을 코팅하고, 안쪽으로 열선으로부터 방출되는 적외선을 일차적으로 흡수하도록 열선과 이중관 사이에 원통형의 단열담요 또는 보호석영관을 설치하여 상기 전자석의 자기장이 효과적으로 인가되도록 함으로써 저결함, 대직경의 갈륨비소 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도구배 냉각 및 수직 브릿지만 단결정 성장장치의 개략도.

Claims (10)

  1. 상부측의 고온부와 전기로와, 하부측의 저온부 전기로 및 고온부 전기로 내부에 설치됨과 아울러 그 내부에 반응용기가 내장되는 결정성장용 반응관 및, 상기 고온부 전기로의 중간부 외주를 포위하는 전자석을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고온부 전기로는 내면에 금박막이 코팅된 내부관과, 이 내부관을 포위하는 외부관 및 내, 외부관 사이에 냉각수 순환공간을 가지는 이중관으로 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이중관은 스텐레스관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 이중관은 석영관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고온부 전기로 및 저온부 전기로의 내주면과 그 내주면에 근접설치되는 열선 사이에는 비교적 얇은 단열담요가 설치된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열선에는 열선간의 접촉을 방지하는 단열 스페이서가 끼워지며 이 단열 스페이서를 프레임에 수직설치된 지지관에 접착고정하여 열선의 변형이 방지되도록 구성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석은 베이스 플레이트에 수직 입설된 가이드 레일을 따라서 승강가능한 승강대에 장착되어 승강가능하게 설치되는 것임을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 승강대는 상기 가이드 레일에 안내되는 상, 하 한쌍의 슬라이더와 이 상, 하 한쌍의 슬라이더가 결합되어 상기 전자석을 지지하는 상부 받침대와, 상기 저온부 전기로를 지지하는 하부 받침대와, 이 상, 하부 받침대를 연결하는 연결간으로 구성되어 연결간을 결합 및 분리하는 것에 의하여 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석이 동시 또는 독립적으로 승강되도록 구성되는 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전자석은 링형으로 형성되며, 그 내경이 고온부 전기로의 외경보다 3cm 이하로 크게 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전자석의 높이는 성장시키고자 하는 단결정 길이의 2배인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482261B2 (en) 2000-12-29 2002-11-19 Ebara Solar, Inc. Magnetic field furnace
DE10216865A1 (de) * 2001-04-17 2002-12-12 Hitachi Metals Ltd Wärmebehandlungsofen mit Magnetfeld sowie Wärmebehandlungsverfahren unter Verwendung desselben
US6849121B1 (en) * 2001-04-24 2005-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Growth of uniform crystals
US7705276B2 (en) * 2006-09-14 2010-04-27 Momentive Performance Materials Inc. Heater, apparatus, and associated method
CN101220502B (zh) * 2007-09-30 2010-05-19 西北工业大学 垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
DE102011079284B3 (de) * 2011-07-15 2012-11-29 Siltronic Ag Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall
KR101398128B1 (ko) * 2012-11-06 2014-05-27 현빈테크 주식회사 사파이어 단결정 성장용 구조체
CN104593860B (zh) * 2015-02-03 2017-02-22 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种vb/vgf单晶生长用支撑结构及其加工方法
CN105369343B (zh) * 2015-12-08 2017-08-29 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种单温区晶体生长装置及单温区晶体生长方法
KR101885210B1 (ko) * 2016-11-30 2018-09-11 웅진에너지 주식회사 히팅 유닛 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치
CN106498370B (zh) * 2016-12-30 2018-11-16 东莞市天域半导体科技有限公司 一种真空室用高温cvd加热线圈结构
CN107083564B (zh) * 2017-06-20 2023-06-20 山东力冠微电子装备有限公司 垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备
CN112708929A (zh) * 2020-11-26 2021-04-27 云南农业大学 一种利用气体循环传热控温的单晶材料生长装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL63276C (ko) * 1941-04-04
US3022144A (en) * 1958-03-17 1962-02-20 Gen Electric Method of preparing single crystal materials
US4404172A (en) * 1981-01-05 1983-09-13 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
US4904336A (en) * 1987-04-28 1990-02-27 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a single crystal of compound semiconductor and apparatus for the same
US5186911A (en) * 1988-07-05 1993-02-16 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Single crystal growing apparatus and method
KR930005015B1 (ko) * 1990-04-04 1993-06-11 한국과학기술연구원 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수직온도구배냉각 화합물 반도체 단결정 성장장치
US5438953A (en) * 1992-03-19 1995-08-08 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Crystal growth apparatus
JP3232461B2 (ja) * 1994-02-21 2001-11-26 株式会社ジャパンエナジー 単結晶の成長方法
US5611856A (en) * 1994-05-19 1997-03-18 Lockheed Sanders, Inc. Method for growing crystals

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