KR970054107A - 캐패시터 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 산화막 캐패시터에 접합 캐패시터를 접목시켜 캐패시터의 용량을 향상시킨 캐패시터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 제1전도형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 표면 근방에 선택적으로 형성된 제1전도형 고농도 불순물층; 상기 제1전도형의 불분물층 내부의 기관 표면 근방에 형성된 제2전도형의 고농도 불순물층; 상기 제2전도형의 불순물층 상부의 실리콘 기판에 적층된 BSG, 폴리실리콘층 및 LTO; 상기 BSG, 폴리실리콘층 및 LTO의 측벽에 형성된 LTO 스페이서; 상기 결과물 상에 침적된 절연막; 및, 상기 절연막을 통하여 상기 제2전도형의 불순물층과 상기 제1전도형의 불순물층과 폴리실리콘층을 함께 연결되는 제1,2전극을 포항하여 이루어진 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 캐패시터 소자의 구조 단면도.
Claims (2)
- 제1전도형의 반도체 기관; 상기 반도체 기판의 표면 근방에 선택적으로 형성된 제1전도형 고농도 불순물층; 상기 제1전도형의 불순물층 내부의 기판 표면 근방에 형성된 제2전도형의 고농도 불순물층; 상기 제2전도형의 불순물층 상부의 실리콘 기판에 적층된 BSG, 폴리실리콘층 및 LTO: 사기 BSG,폴리 실리콘층 및 LTO의 측벽에 형성된 LTO 스페이서; 상기 결과물상에 침적된 절연막; 및, 상기 절연막을 통하여 상기 제2전도형의 불순물층과, 상기 제1전도형의 불순물층과 폴리실리콘층을 함께 연결되는 제1, 2전극을 포함하여 이루어진 캐페시터 소자.
- 고농도로 제1전도형의 불순물이 도핑된 반도체 기판 상에 BSG, 도핑되지 않은 폴리실리콘층 및 LTO를 순차적으로 형성하는 단계 캐페시터 형성을 위한 포토레지스트 패턴 식각 마스크로 사용하여 선택적으로 상기 LTO, 폴리실리콘층 및 BSG를 식각하고, 식각된 측벽에 LTO 스페이서를 형성하는 단계 상기 결과물을 열처리하여 상기 기판 내에 고농도의 제1전도형 불순물층과 상기 BSG에서 확산된 고농도의 제1전도형 불순물층을 형성하는 단계 상기 LTO, 폴리실리콘층 및 BSG를 선택적으로 식각하여 상기 제1전도형의 불순물층을 콘택하기 위한 콘택홀을 형성하는 단계: 상기 결과물 상에 절연막을 참적하는 단계: 상기 제2전도형의 불순물층을 하나의 단자로 하고 상기 제1전도형의 불순물층과 폴리실리콘층을 함께 묶어 또하나의 단자로 사용할 수 있도록 메탈을 증착 및 식각하여 제1, 2전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 캐페시터 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950065895A KR970054107A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 캐패시터 소자 및 그 제조 방법 |
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Publications (1)
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KR970054107A true KR970054107A (ko) | 1997-07-31 |
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ID=66624123
Family Applications (1)
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KR1019950065895A KR970054107A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 캐패시터 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970054107A (ko) |
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1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065895A patent/KR970054107A/ko not_active Application Discontinuation
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