KR970054089A - 반도체 장치의 밴드갭(Bandgap) 기준전압 발생기 - Google Patents
반도체 장치의 밴드갭(Bandgap) 기준전압 발생기 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 밴드갭 기준전압 발상기에 관해 게시한다. 종래에는 밴드갭 기준전압 발생기의 전류 소오스를 저항으로 구성하여 전원전압이 변경되면 그에 따라 상기 저항값도 인위적으로 바꾸어 주어햐 하는 불편함이 있었다. 그러나 본 발명의 반도체 장치를 위한 밴드갭 기준전압 발생기는 전원전압이 변해도 전류 소오스의 전류량도 따라서 자동적으로 변함으로서 전원전압에 상관없이 일정한 기준전압을 발생할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 상기 제3도의 구체회로도.
Claims (3)
- 전류소오스와 기준전압 발생회로를 갖는 반도체 장치의 밴드갭 기준전압 발생기에 있어서, 전원전압에 따라 전류값이 가변되는 전류소오스는 병렬로 접속된 PMOS트랜지스터와 저항으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 밴드갭 기준 전압 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 기준전압 발생회로는 전원저압감지부와 차동증폭기와 기준전압 발생부로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 밴드갭 기준전압 발생기.
- 제2항에 있어서, 상기 전원전압감지부는 질렬로 연결된 두 개의 저항으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 밴드갭 기준전압 발생기.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950062169A KR100200695B1 (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 밴드갭 기준전압 발생기 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| KR100200695B1 KR100200695B1 (ko) | 1999-06-15 |
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Country Status (1)
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1995
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| KR100200695B1 (ko) | 1999-06-15 |
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