KR910002125A - 반도체 소자 구동 회로 - Google Patents

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KR910002125A
KR910002125A KR1019900009377A KR900009377A KR910002125A KR 910002125 A KR910002125 A KR 910002125A KR 1019900009377 A KR1019900009377 A KR 1019900009377A KR 900009377 A KR900009377 A KR 900009377A KR 910002125 A KR910002125 A KR 910002125A
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driving circuit
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가즈나리 세끼가와
히로까즈 쯔지모또
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도요다 요시또시
가부시끼가이샤 도요다 지도쇽끼 세이사꾸쇼
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자 구동 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 블럭도,
제2도는 본 발명의 제1실시예의 회로 구성도.

Claims (1)

  1. 메인용 정전 유도형 트랜지스터와, 감지기용 정전 유도형 트랜지스터로 되는 반도체 소자를 온, 오프하는 제어 회로에 있어서, 일단의 전원에 접속하고, 타단이 전기 메인용 정전 유도형 트랜지스터에 접속하고, 온시에 전기 메인용 정전 유도형 트랜지스터에 바이어스를 가하는 제1의 전류원과, 일단이 전원에 접속하고, 타단이 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 접속하고, 온시에 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 바이어스를 가하는 제2의 전류원과, 일단이 접지하고, 타단이 전기 제1의 전류원의 타단에 접속하는 제3의 전류원과, 일단이 접지하고, 타단이 전기 제2의 전류원의 타단에 접속하는 제4의 전류원과, 전기 반도체 소자의 온시에 전기 제1, 제2의 전류원을 온으로 하고 바이어스를 가함과 더불어, 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지해서 얻어진 전압값이 특정값 이상의 경우, 전기 제1, 제2의 전류원을 오프로 하고, 전기 제3, 제4의 전류원을 온으로 하는 비교 제어 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구동 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009377A 1989-06-26 1990-06-25 반도체소자 구동회로 KR930008424B1 (ko)

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JP1160728A JP2800277B2 (ja) 1989-06-26 1989-06-26 半導体素子駆動回路
JP1-160728 1989-06-26

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CA2019826A1 (en) 1990-12-26
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