KR910002125A - 반도체 소자 구동 회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 블럭도,
제2도는 본 발명의 제1실시예의 회로 구성도.
Claims (1)
- 메인용 정전 유도형 트랜지스터와, 감지기용 정전 유도형 트랜지스터로 되는 반도체 소자를 온, 오프하는 제어 회로에 있어서, 일단의 전원에 접속하고, 타단이 전기 메인용 정전 유도형 트랜지스터에 접속하고, 온시에 전기 메인용 정전 유도형 트랜지스터에 바이어스를 가하는 제1의 전류원과, 일단이 전원에 접속하고, 타단이 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 접속하고, 온시에 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 바이어스를 가하는 제2의 전류원과, 일단이 접지하고, 타단이 전기 제1의 전류원의 타단에 접속하는 제3의 전류원과, 일단이 접지하고, 타단이 전기 제2의 전류원의 타단에 접속하는 제4의 전류원과, 전기 반도체 소자의 온시에 전기 제1, 제2의 전류원을 온으로 하고 바이어스를 가함과 더불어, 전기 감지기용 정전 유도형 트랜지스터에 흐르는 전류를 감지해서 얻어진 전압값이 특정값 이상의 경우, 전기 제1, 제2의 전류원을 오프로 하고, 전기 제3, 제4의 전류원을 온으로 하는 비교 제어 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구동 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP160728 | 1989-06-26 | ||
JP1160728A JP2800277B2 (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 半導体素子駆動回路 |
JP1-160728 | 1989-06-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910002125A true KR910002125A (ko) | 1991-01-31 |
KR930008424B1 KR930008424B1 (ko) | 1993-08-31 |
Family
ID=15721180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900009377A KR930008424B1 (ko) | 1989-06-26 | 1990-06-25 | 반도체소자 구동회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5144514A (ko) |
JP (1) | JP2800277B2 (ko) |
KR (1) | KR930008424B1 (ko) |
CA (1) | CA2019826A1 (ko) |
DE (1) | DE4020187A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5892389A (en) * | 1997-06-03 | 1999-04-06 | Motorola, Inc. | Method and circuit for current limiting of DC-DC regulators |
DE19920465C1 (de) * | 1999-05-04 | 2000-11-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Open-Load-Diagnose einer Schaltstufe |
DE10042585C1 (de) * | 2000-08-30 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Erfassung des Stromes in einem Lasttransistor |
DE10240914B4 (de) * | 2002-09-04 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung und Verfahren zur Ermittlung des Laststroms eines Lasttransistors sowie Verwendung eines Halbleiterbauelements |
EP1517437A1 (de) * | 2003-09-19 | 2005-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Leistungsverstärker mit Betriebsstrommesseinrichtung |
CN100405738C (zh) * | 2004-07-09 | 2008-07-23 | 清华大学 | 逆阻式绝缘栅双极型晶体管的驱动保护电路 |
JP6549451B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および電子装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4008418A (en) * | 1976-03-02 | 1977-02-15 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High voltage transient protection circuit for voltage regulators |
US4428015A (en) * | 1981-12-22 | 1984-01-24 | Hughes Aircraft Company | Overcurrent limiter circuit for switching regulator power supplies |
DE3341345A1 (de) * | 1983-11-15 | 1985-05-23 | SGS-ATES Deutschland Halbleiter-Bauelemente GmbH, 8018 Grafing | Laengsspannungsregler |
US5023693A (en) * | 1989-06-06 | 1991-06-11 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Transistor with current sensing function |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1160728A patent/JP2800277B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-21 US US07/541,832 patent/US5144514A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-25 KR KR1019900009377A patent/KR930008424B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-06-25 DE DE4020187A patent/DE4020187A1/de active Granted
- 1990-06-26 CA CA002019826A patent/CA2019826A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5144514A (en) | 1992-09-01 |
DE4020187A1 (de) | 1991-01-17 |
CA2019826A1 (en) | 1990-12-26 |
KR930008424B1 (ko) | 1993-08-31 |
DE4020187C2 (ko) | 1991-12-12 |
JPH0327575A (ja) | 1991-02-05 |
JP2800277B2 (ja) | 1998-09-21 |
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