KR970053852A - 풀업 저항 회로 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치가 미사용 중일 때 패드에 연결된 다른 반도체 장치에서 인가되는 전압에 의해 풀업 저항 회로를 구성하는 모오스 트랜지스터를 통하여 누설 전류가 발생되는 것을 방지하는 개선된 풀업 저항 회로가 개시된다.
본 발명에 따른 풀업 저항 회로는 패드와 동작 전원(VDD)의 사이에 접속된 제1피모오스 트랜지스터; 패드와 상기 제1모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되며, 그의 게이트 단자에 동작 전원(VDD)이 인가되는 제2모오스 트랜지스터; 그라운드(GND) 혹은 동작 전원(VDD)이 인가되는 제어 단자; 상기 제어 단자와 상기 제2피모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되며 그의 게이트 동작 전원(VDD)이 인가되는 제1엔모오스 트랜지스터; 및 상기 제1모오스 트랜지스터의 서브 스트레이트 동작 전원(VDD) 사이에 접속되며 그의 게이트 동작 전원(VDD)이 인가되는 제2엔모오스 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 제1모오스 트랜지스터는 그것이 들어있는 반도체 장치가 미사용 중일 경우에도 풀업 저항을 통하여 전류의 통로가 형성되어 누설 전류가 발생되는 것이 방지되는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 풀업 저항의 구성을 보이는 회로도이다.
Claims (1)
- 반도체 장치의 패드를 소정의 전위로 유지시켜 주는 풀업 저항 회로에 있어서, 패드와 동작 전원(VDD)의 사이에 접속된 제1피모오스 트랜지스터; 패드와 상기 제1피모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되며, 그의 게이트 단자에 동작 전원(VDD)이 인가되는 제2모오스 트랜지스터; 그라운드(GND) 혹은 동작 전원(VDD)이 인가되는 제어 단자; 상기 제어 단자와 상기 제2피모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되며 그의 게이트에 동작 전원(VDD)이 인가되는 제1엔모오스 트랜지스터; 및 상기 제1피모오스 트랜지스터의 서브 스트레이트와 동작 전원(VDD) 사이에 접속되며 그의 게이트 동작전원(VDD)이 인가되는 제2엔모오스 트랜지스터를 포함하는 풀업 저항회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067008A KR970053852A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 풀업 저항 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067008A KR970053852A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 풀업 저항 회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053852A true KR970053852A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950067008A KR970053852A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 풀업 저항 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053852A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067008A patent/KR970053852A/ko not_active Application Discontinuation
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