KR970053631A - 반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970053631A KR970053631A KR1019950050641A KR19950050641A KR970053631A KR 970053631 A KR970053631 A KR 970053631A KR 1019950050641 A KR1019950050641 A KR 1019950050641A KR 19950050641 A KR19950050641 A KR 19950050641A KR 970053631 A KR970053631 A KR 970053631A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- molding
- lead
- lead frame
- forming
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 다핀 패키지에 관한 것으로, 종래의 LOC 및 컨밴셔널 패키지는 주어진 패키지에서 다핀화를 실현하는데 한계가 있는 문제점이 있었던 바, 본 발명 반도체 다핀 패키지는 반도체 칩(20)의 중앙에 일렬로 다수개의 중앙패드(21)를 형성하고, 상기 반도체 칩(20)의 상면 가장자리에 다수개의 주변패드(26)를 형성하여 상, 하부 리드 프레임(22)(28)의 상, 하부 인너 리드(23)(29)와 각각 상, 하부 와이어(24)(30)로 연결시킴으로써 고집적화된 반도체 패키지의 다핀화가 실현되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 반도체 다핀 패키지의 구성을 보인 종단면도.
Claims (3)
- 반도체 칩의 상면 중앙에 일렬로 형성되어 있는 다수개의 중앙패드와 상기 반도체 칩의 상면까지 연장 형성된 상부 리드 프레임의 상부 인너 리드가 상부 와이어로 각각 연결되고, 상기 상부 인너 리드에는 상부 아웃 리드가 연장 형성되며, 상기 반도체 칩의 상면 가장자리에 형성되어 있는 다수개의 주변패드와 상기 반도체 칩의 하면에 부착된 패들의 양측에 나열 설치되어 있는 하부 리드 프레임의 하부 인너 리드는 각각 하부 와이어로 연결되며, 상기 하부 인너 리드에 연장하여 하부 인너 리드가 연장 형성되고, 상기 반도체 칩, 상, 하부 와이어, 상, 하부 인너 리드를 포함한 일정면적을 에폭시로 몰딩한 몰딩부를 형성하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 다핀 패키지.
- 반도체 칩의 상면 중앙에 일렬로 다수개의 중앙패드를 형성하고, 상기 반도체 칩의 상면 가장자리에 다수개의 주변패드를 형성하는 패드형성공정을 수행하는 단계와, 상기 중앙패드와 상부 리드 프레임의 상부 인너 리드를 상부 와이어로 연결하는 1차 와이어 본딩공정을 수행하는 단계와, 상기 반도체 칩을 패들의 상면에 부착하고 상기 주변패드와 하부 리드 프레임의 하부 인너 리드를 하부 와이어로 연결하는 2차 와이어 본딩공정을 수행하는 단계와, 상기 반도체 칩, 상, 하부 인너 리드, 상, 하부 와이어를 포함하는 일정면적을 에폭시로 몰딩하여 몰딩부를 형성하는 몰딩공정을 수행하는 단계와, 상기 상부 리드 프레임의 불필요한 댐바부분을 제거하는 트리밍공정을 수행하는 단계와, 상기 상부 리드 프레임을 소정의 형태로 절곡하는 포밍공정을 수행하는 단계와, 상기 몰딩부의 하면을 그라인딩하여 하부 리드 프레임의 하부 아웃 리드를 외부로 노출시키는 그라인딩공정을 수행하는 단계의 순서로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 다핀 패키지의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 몰딩공정시 하부 아웃 리드가 외부로 돌출되도록 몰딩부를 형성하여 후공정인 그라인딩공정을 생략 한 것을 특징으로 하는 반도체 다핀 패키지의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950050641A KR0167292B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950050641A KR0167292B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970053631A true KR970053631A (ko) | 1997-07-31 |
KR0167292B1 KR0167292B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=19440562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950050641A KR0167292B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0167292B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100732022B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2007-06-27 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 다층 리드 프레임 및 이를 사용한 반도체 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100401536B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센터 패드형 반도체 칩을 퍼리퍼럴 패드형 반도체 칩으로 변경하는 방법 |
KR100525091B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR1019950050641A patent/KR0167292B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100732022B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2007-06-27 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 다층 리드 프레임 및 이를 사용한 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0167292B1 (ko) | 1998-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970077540A (ko) | 칩 사이즈 패키지의 제조방법 | |
KR100781149B1 (ko) | 리드프레임 스트립 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
KR970053631A (ko) | 반도체 다핀 패키지 및 그 제조방법 | |
KR970024110A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법(semiconductor device and method for manufacturing the same) | |
KR970006222Y1 (ko) | 리드프레임 | |
JPH05243464A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
KR100192329B1 (ko) | 반도체소자 패키지 공정용 리드 프레임 | |
KR0125870Y1 (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임 | |
JPH10154784A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
KR200148634Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR100245258B1 (ko) | 단차진 내부리드들이 일부 형성된 리드 온 칩용 리드프레임 | |
KR100214489B1 (ko) | 플로팅 칩 패키지 | |
KR200159486Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR100199829B1 (ko) | 반도체패키지용 리드프레임 | |
KR200155051Y1 (ko) | 리드 프레임(Lead Frame) | |
KR950006232Y1 (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임 패들 | |
JPH02246257A (ja) | 半導体装置 | |
KR0121172Y1 (ko) | 플렉시블 리드프레임 | |
KR0152950B1 (ko) | 반도체 패키지용 리드 프레임 | |
KR0152943B1 (ko) | 리드 프레임 및 반도체 패키지 | |
KR0129004Y1 (ko) | 리드 프레임 | |
KR100290783B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JPS59155160A (ja) | 樹脂封止型電子装置 | |
KR980006209A (ko) | 반도체 패키지 디바이스 | |
JPH11191608A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050824 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |