KR970052325A - 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래에는 금속 콘택홀을 형성시에 습식식각 공정후 건식식각 공정을 실시하는데 상기 습식식각 공정시 언더컷 현상이 과도하게 되어 콘택홀을 불량해지거나 드라이 공정이 불완전하게 실시될 우려가 있다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
금속 콘택홀을 형성시 스텝 커버리지를 개선하기 위해 실시하는 습식식각 공정 대신에 도핑 정도가 다른 두 층의 산화막을 증착한 후 블랭킷 식각을 실시하여 간단한 공정으로 콘택홀의 스텝 커버리지를 개선하는 반도체 소자의 금속 콘택홀을 형성하고자 함.
4. 발명의 주용한 용도
반도체 소자의 금속 콘택홀을 형성하는데 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 금속 콘택홀을 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 층간절연을 위한 제1산화막을 증착한 후 금속 콘택홀을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 소정의 두께를 제외한 상기 제1산화막을 식각한 후, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 불순물의 농도가 제1산화막과 다른 소정의 두께의 제2산화막을 증착하는 단계 및, 상기 제2 및 제1산화막을 블랭킷 식각하여 모서리가 곡선인 금속 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화막은 약 11000Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1산화막을 식각시 약 1000Å 남기고 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 저항 감소 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 약 1500Å 내지 2500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 저항 감소 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054364A KR970052325A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054364A KR970052325A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052325A true KR970052325A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054364A KR970052325A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 금속 콘택홀 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052325A (ko) |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054364A patent/KR970052325A/ko not_active Application Discontinuation
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