KR970052139A - 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법 - Google Patents

양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970052139A
KR970052139A KR1019950054714A KR19950054714A KR970052139A KR 970052139 A KR970052139 A KR 970052139A KR 1019950054714 A KR1019950054714 A KR 1019950054714A KR 19950054714 A KR19950054714 A KR 19950054714A KR 970052139 A KR970052139 A KR 970052139A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion implantation
mass spectrometer
ion
implantation apparatus
present
Prior art date
Application number
KR1019950054714A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100189995B1 (ko
Inventor
오상근
문상영
김정곤
김도형
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950054714A priority Critical patent/KR100189995B1/ko
Priority to TW085110340A priority patent/TW374192B/zh
Priority to GB9618321A priority patent/GB2308494B/en
Priority to JP8242155A priority patent/JPH09180669A/ja
Priority to DE19637073A priority patent/DE19637073A1/de
Priority to CNB961129298A priority patent/CN1189921C/zh
Priority to US08/771,772 priority patent/US5814822A/en
Publication of KR970052139A publication Critical patent/KR970052139A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100189995B1 publication Critical patent/KR100189995B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
    • H01J2237/057—Energy or mass filtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

본 발명은 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 이온 중비장치는 이온 추출기와 음 이온 변환기 및 질량분석기를 한 구성요소로 구비하는 이온 주입장치에 있어서, 상기 질량분석기에 극성변환기를 더 구비한다.
본 발명에 의한 이온 주입장치를 사용하여 이온 주입을 실시하면, 종래 기술에 의한 이온 주입장치로는 불가능하였던 얕은 불순물층과 깊이 불순물층을 장치의 변경없이 웨이퍼 상에 형성하는 것이 가능하다. 즉, B+나 P+뿐만 아니라 BF+불순물도 하나의 이온 주입장치를 사용하여 이온 주입하는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명에 의한 이온 주입장치를 사용하여 이온 주입을 실시한다면, 종래에 비해 반도체장치의 생산성과 양산기술의 경쟁력을 높일 수 있다.

Description

양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치의 블럭도이다.

Claims (7)

  1. 이온 추출기와 음 이온 변환기 및 질량분석기를 한 구성요소로 구비하는 이온 주입장치에 있어서, 상기 질량분석기에 극성변환기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 극성변환기는 상기 질량분석기내의 자기장의 방향을 자동적으로 변화시킬 수 있는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수단으로는 계전기(relay)인 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 수단으로는 모터(motor)인 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치.
  5. 이온을 발생시키는 단계와 질량분석기를 이용하여 이온을 편향시키는 단계와 이온을 가속 및 접속시키는 단계를 포함하는 이온 주입방법에 있어서, 상기 "질량분석기를 이용하여 이온을 편향시키는 단계"에는 상기 질량분석기에 극성변환기를 설치하는 단계; 및 상기 극성변환기를 사용하여 자동적으로 상기 질량분석기내에 들어오는 이온에 따라 상기 질량분석기내의 자기장의 방향을 변화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치에 의한 이온 주입방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 질량분석기내의 자기장의 방향을 자동적으로 바꾸기 위해 상기 극성변환기는 계전기를 사용하는 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치에 의한 이온 주입방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 질량분석기내의 자기장의 방향을 자동적으로 바꾸기 위해 상기 극성변환기는 모터(motor)를 사용하는 것을 특징으로 하는 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치에 의한 이온 주입방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054714A 1995-12-22 1995-12-22 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법 KR100189995B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950054714A KR100189995B1 (ko) 1995-12-22 1995-12-22 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법
TW085110340A TW374192B (en) 1995-12-22 1996-08-24 Ion implanter and ion implanting method using the same
GB9618321A GB2308494B (en) 1995-12-22 1996-09-03 Ion implanter and ion implanting method using the same
JP8242155A JPH09180669A (ja) 1995-12-22 1996-09-12 イオン注入装置及びこの装置を用いたイオン注入方法
DE19637073A DE19637073A1 (de) 1995-12-22 1996-09-12 Vorrichtung und Verfahren zur Ionenimplantation
CNB961129298A CN1189921C (zh) 1995-12-22 1996-09-16 离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法
US08/771,772 US5814822A (en) 1995-12-22 1996-12-20 Ion implanter and ion implanting method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950054714A KR100189995B1 (ko) 1995-12-22 1995-12-22 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052139A true KR970052139A (ko) 1997-07-29
KR100189995B1 KR100189995B1 (ko) 1999-09-01

Family

ID=19443265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950054714A KR100189995B1 (ko) 1995-12-22 1995-12-22 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5814822A (ko)
JP (1) JPH09180669A (ko)
KR (1) KR100189995B1 (ko)
CN (1) CN1189921C (ko)
DE (1) DE19637073A1 (ko)
GB (1) GB2308494B (ko)
TW (1) TW374192B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591748B1 (ko) * 1999-04-28 2006-06-22 삼성전자주식회사 이온주입장치 및 이온주입방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI453949B (zh) * 2009-12-30 2014-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體製作方法
CN104465292B (zh) * 2014-11-28 2017-05-03 上海华力微电子有限公司 一种离子注入机的预处理方法
CN105097400B (zh) * 2015-08-03 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 离子注入系统及方法
CN106373846B (zh) * 2016-11-16 2019-01-18 上海华力微电子有限公司 一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法
KR20190041578A (ko) 2017-10-13 2019-04-23 주식회사 브이밸류 개인 체중관리 서비스 제공 시스템 및 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4514637A (en) * 1983-02-24 1985-04-30 Eaton Corporation Atomic mass measurement system
JPS60249318A (ja) * 1984-05-25 1985-12-10 Hitachi Ltd イオンマイクロビ−ム注入法
US4835399A (en) * 1986-08-22 1989-05-30 Hitachi, Ltd. Charged particle beam apparatus
JPH087824A (ja) * 1994-06-16 1996-01-12 Fujitsu Ltd イオン注入装置及び半導体装置の製造方法及びイオンビーム制御方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591748B1 (ko) * 1999-04-28 2006-06-22 삼성전자주식회사 이온주입장치 및 이온주입방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1159074A (zh) 1997-09-10
JPH09180669A (ja) 1997-07-11
US5814822A (en) 1998-09-29
KR100189995B1 (ko) 1999-09-01
GB2308494A (en) 1997-06-25
CN1189921C (zh) 2005-02-16
TW374192B (en) 1999-11-11
DE19637073A1 (de) 1997-06-26
GB2308494B (en) 2000-08-30
GB9618321D0 (en) 1996-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950015570A (ko) 반도체 기판의 표면 영역내에 얕은 접합을 형성하기 위한 방법 및 장치
KR970052139A (ko) 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법
KR950034512A (ko) 이온주입장치
KR970063481A (ko) 대전류형 이온주입장치 및 그 장치에 의한 이온주입방법
KR100560022B1 (ko) 이온 주입 공정
KR930024092A (ko) 이온주입장치
KR100282492B1 (ko) 불순물차단장치를구비하는이온주입장치
JP2699442B2 (ja) イオン注入装置
KR970052052A (ko) 이온샤워방식을 이용한 박막의 증착 및 도핑장치
KR200158765Y1 (ko) 이온 주입장치
JPH01307151A (ja) イオン注入方法
JPS62126539A (ja) イオン注入装置
KR200162274Y1 (ko) 플라즈마 증착장치
JPH0498749A (ja) 後段加速型イオン注入装置
KR970052150A (ko) 반도체제조장치의 냉각방법
KR940004718A (ko) 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법
JPH0559586B2 (ko)
JPH02262229A (ja) 半導体製造装置
KR20000050281A (ko) 2가 이온을 이용한 이온주입방법
KR960017940A (ko) 폴리실리콘 전도막 형성 방법
JPS5776187A (en) Treatment by etching
JPS63166221A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960016234B1 (en) Source/drain junction forming method
KR930014783A (ko) 문턱전압조절용 이온주입방법
KR960032597A (ko) 이온주입장비의 전하상승 방지장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080102

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee