KR200162274Y1 - 플라즈마 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 플라즈마 증착장치에 관한 것으로, 애노드(1)와 케소드(2)가 결합된 증착 반응실(5)에 이온 분류를 위한 어낼라이징 마그네트(8)가 구비된 가스 분류실(6)을 연결한 구성으로 되어 있으며, 상기 가스 분류실(6)에는 내부에 이온 소스(7)가 설치되고, 이온 소스(7)의 상측부에 소스 애퍼춰(9)와 어낼라이징 마그네트(8)가 설치되어 있으며, 어낼라이징 마그네트(8)의 일측부에 빔을 제어하기 위한 가변 슬릿(11)과 가속기(12) 및 스캔 플레이트(13)가 설치된 구성으로 되어 있다. 이러한 본 고안은 불순물 없는 플라즈마 산화막 및 질화막 증착이 가능하여 금속 배선 전공정에서 사용이 가능하며, 저온에서 불순물 없는 산화막 증착이 가능하므로 열처리를 최소화할 수 있어 새로우 정크션(shallow junction) 형성이 가능하다.

Description

플라즈마 증착장치
제1도는 종래 플라즈마 증착장치의 구성도.
제2도는 본 고안에 의한 플라즈마 증착장치의 구성도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 애노드 2 : 캐소드
5 : 증착 반응실 6 : 가슬 분류실
7 : 이온 소스 8 : 어낼라이징 마그네트
9 : 소스 애퍼춰 11 : 가변 슬릿
12 : 가속기 13 : 스캔 플레이트
본 고안은 플라즈마 증착장치에 관한 것으로, 특히 불순물 제어가 가능한 플라즈마 산화막 또는 질화막 증착에 적합하도록 한 플라즈마 증착장치에 관한 것이다.
종래 플라즈마 증착장치는 제1도에 도시한 바와같이, 애노드(anode)(1)와 케소드(cathode)(2)를 진공펌프(vacuum)(4)가 일측부에 설치된 증착 반응실(5)의 내부 양측에 설치하고, 케소드(2)에 웨이퍼(wafer)(3)를 부착한 구성으로 되어 있다.
상기한 바와같은 종래의 플라즈마 증착장치는 애노드(1)와 케소드(2)가 구비된 증착 반응실(5)에 가스, 즉 산화막은 SiH4+H2O, 질화막은 SiH4+NH3를 주입하면 생성되는 플라즈마(10)에서 가스가 해리, 결합되어 산화막 또는 질화막이 형성된다.
상기한 바와같은 종래의 플라즈마 증착장치는 플라즈마에서 가스가 해리될 때 생기는 질소, 수소 등 필요없는 불순물이 막(film)내에 존재하여 막질을 열화시키고, 이로 인해 디바이스에 전장을 형성시켜 금속 배선 전(前)공정에서는 사용이 불가능하며, 보호막(passivation)에만 사용하지만 이 또한 문턱 전압(threshold voltage)에 변동을 가져 오게 되는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 바와같은 종래의 결합을 해소하기 위하여 안출한 것으로 이를 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 의한 플라즈마 증착장치의 구성도로서, 이에 도시한 바와같이, 애노드(anode)(1)와 케소드(cathode)(2)를 진공펌프(vacuum)(4)가 일측부에 설치된 증착 반응실(5)의 내부 양측에 설치하고, 케소드(2)에 웨이퍼(wafer)(3)를 부착한 구성으로 되어 있다. 그리고, 상기 증착 반응실(5)에 연결되는 가스 분류실(6)에는 이온 소스(ion source)(7)가 설치되고, 이온 소스(7)의 상측부에 소스 애퍼취(source aperture)(9)와 어낼라이징 마그네트(analyzing magent; 분석용 자석)(8)가 설치되어 있으며, 어낼라이징 마그네트(8)의 일측부에 빔을 제어하기 위한 가변 슬릿(11), 가속기(12) 및 스캔 플레이트(scan plate)(13)가 설치된 구성으로 되어 있다.
상기한 바와같은 본 고안은 가스 분류실(6)의 이온 소스(7)로부터 빠져 나온 가스가 어낼라이징 마그네트(8)를 거치면서 막 증착에 필요 없는 이온 들이 제거된후 필요한 이온만 증착 반응실(5)로 주입되어 플라즈마에 의해 결합되어 막을 증착시킨다.
예를 들면 산화막 증착시 이온 소스(7)에 SiH4및 N2O를 연결하여 어낼라이징 마그네트(8)를 거치는 동안 Si와 O이온만을 통과시켜 이것이 증착 반응실(5)에서 SiO2를 형성하게 된다.
이상에서 설명한 바와같은 본 고안은 불순물 없는 플라즈마 산화막 및 질화막 증착이 가능하여 금속 배선 전공정에서 사용이 가능하며, 저온에서 불순물 없는 산화막 증착이 가능하므로 열처리를 최소화할 수 있어 새로우 정크션(shallow junction) 형성이 가능하다.

Claims (2)

  1. 애노드(1)와 케소드(2)가 결합된 증착 반응실(5)에 이온 분류를 위한 어낼라이징 마그네트(8)가 구비된 가스 분류실(6)을 연결하여 구성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 분류실(6)에는 내부에 이온 소스(7)가 설치되고, 이온 소스(7)의 상측부에 소스 애퍼춰(9)와 어낼라이징 마그네트(8)가 설치되어 있으며, 어낼라이징 마그네트(8)의 일측부에 빔을 제어하기 위한 가변 슬릿(11)과 가속기(12) 및 스캔 플레이트(13)가 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장치.
KR2019940002339U 1994-02-07 1994-02-07 플라즈마 증착장치 KR200162274Y1 (ko)

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