KR940004718A - 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940004718A
KR940004718A KR1019920015304A KR920015304A KR940004718A KR 940004718 A KR940004718 A KR 940004718A KR 1019920015304 A KR1019920015304 A KR 1019920015304A KR 920015304 A KR920015304 A KR 920015304A KR 940004718 A KR940004718 A KR 940004718A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ecr
semiconductor device
ion implantation
wafer
immersion ion
Prior art date
Application number
KR1019920015304A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950010201B1 (ko
Inventor
김일권
Original Assignee
문정환
금성일렉트론주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019920015304A priority Critical patent/KR950010201B1/ko
Publication of KR940004718A publication Critical patent/KR940004718A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950010201B1 publication Critical patent/KR950010201B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823814—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 CM0S구조의 P+/n 셀로우 정션 형성방법과 트랜치 커패시터 형성방법에 적당하도록 한 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법에 관한것으로 파우어 공급부로부터 마이크로파를 ECR챔버(1)로 보내면 ECR챔버(1)에서의 미러형 두 자장에 의해서 ECR 영역이 형성되고 여기에 반응가스를 공급하여 플라즈마가 형성되게하며 웨이퍼(3) 및 웨이퍼 홀더에 바이어스가 가해지면 이온이 이머션 형태로 웨이퍼에 주입되게 한 것인바 이와같은 본 발명에 의하면 표면 구조에 전혀 관계없이 균일하게 이온주입이 가능한 효과를 갖는다.

Description

플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 플라즈마 이머션 이온 주입기의 개략도,
제3도는 본 발명의 이온주입 상태를 설명하기 위한 단면도,
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 파우어 공급부로부터 마이크로파를 ECR챔버(1)로 보내어 ECR챔버(1)에서 미러형 두 자장에 의해 ECR영역이 형성되게 하는 단계와, 상기 ECR챔버(1)에 ECR영역이 형성된 상태에서 반응가스를 공급하여 플라즈마가 형성되게 하는 단계와, 프로세싱 챔버(2)의 웨이퍼(3) 및 웨이퍼 홀더(7)에 바이어스를 인가하여 이온이 이머션 형태로 웨이퍼(3)에 주입되게하는 단계를 포함하여서 이루어지는 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼(3)에 DC 혹은 펄스 형태의 부(-) 전압으로 바이어스를 인가하여 웨이퍼 근처에 부(-)포텐셜이 형성되게 하는 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015304A 1992-08-25 1992-08-25 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법 KR950010201B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015304A KR950010201B1 (ko) 1992-08-25 1992-08-25 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015304A KR950010201B1 (ko) 1992-08-25 1992-08-25 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004718A true KR940004718A (ko) 1994-03-15
KR950010201B1 KR950010201B1 (ko) 1995-09-11

Family

ID=19338464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920015304A KR950010201B1 (ko) 1992-08-25 1992-08-25 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950010201B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR950010201B1 (ko) 1995-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950015570A (ko) 반도체 기판의 표면 영역내에 얕은 접합을 형성하기 위한 방법 및 장치
KR930003857B1 (ko) 플라즈마 도우핑방법
ATE499825T1 (de) Plasma-ätzreaktor und verfahren zum ätzen eines wafers
KR930008960A (ko) 반도체 기판의 제조방법 및 그 장치
KR950034546A (ko) 플라즈마장치 및 이것을 사용한 플라즈마처리방법
KR960009822A (ko) 대전방지방법 및 대전방지용 이온 빔장치
WO2000008670A3 (en) Dose monitor for plasma-monitor ion implantation doping system
KR20020027526A (ko) 이온 주입 설비 및 방법
KR940022689A (ko) 플라즈마 처리시스템 및 플라즈마 처리방법
US5332441A (en) Apparatus for gettering of particles during plasma processing
TW336326B (en) Etch chamber with 3 electrodes
KR20010072152A (ko) 향상된 스퍼터 에칭 프로세싱 방법
KR20050007397A (ko) 기판을 처리하기 위한 플라즈마 방법 및 장치
KR950006967A (ko) 플라즈마 이온 프로세싱에서 2차 전자 제한
US20070069157A1 (en) Methods and apparatus for plasma implantation with improved dopant profile
KR940004718A (ko) 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법
Min et al. Buried oxide formation by plasma immersion ion implantation
JPS56105480A (en) Plasma etching method
KR970063481A (ko) 대전류형 이온주입장치 및 그 장치에 의한 이온주입방법
KR970052139A (ko) 양 이온과 음 이온 주입에 공동으로 사용하는 이온 주입장치 및 방법
WO1999060613A3 (en) Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
KR960019507A (ko) 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치 및 이를 사용한 표면 개질 방법
KR20100114187A (ko) 플라즈마 이온 도핑 장치 및 플라즈마 이온 도핑 방법
KR970053315A (ko) 정전척의 구조및 디척킹 방법
KR890011011A (ko) 반도체 기판의 실리콘 산화물층이 스트립된 반도체 장치 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee