JP2699442B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JP2699442B2 JP2699442B2 JP63222803A JP22280388A JP2699442B2 JP 2699442 B2 JP2699442 B2 JP 2699442B2 JP 63222803 A JP63222803 A JP 63222803A JP 22280388 A JP22280388 A JP 22280388A JP 2699442 B2 JP2699442 B2 JP 2699442B2
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程で用いられるイオン注
入装置に関する。
入装置に関する。
従来、半導体装置の製造に用いられるイオン注入装置
は第３図に示す様に、加速電圧の表示方式は、イオン源
１のイオンを加速し分析器３に導入する前段加速部２に
設けられた、高電圧電源７の電圧測定部10により得られ
る電圧値Vaと、分析器３により分離されたイオンを加速
し走査器５に導入する後段加速部４に設けられた、高電
圧電源８の電圧測定部11により得られる電圧値Vbの和
（Va＋Vb）を加算器12で求め、加速電圧表示部14に表示
する方式となっていた。
は第３図に示す様に、加速電圧の表示方式は、イオン源
１のイオンを加速し分析器３に導入する前段加速部２に
設けられた、高電圧電源７の電圧測定部10により得られ
る電圧値Vaと、分析器３により分離されたイオンを加速
し走査器５に導入する後段加速部４に設けられた、高電
圧電源８の電圧測定部11により得られる電圧値Vbの和
（Va＋Vb）を加算器12で求め、加速電圧表示部14に表示
する方式となっていた。
上述した従来のイオン注入装置を用いると、前段加速
部２の高電圧電源７の電圧値Vaの読み取り誤差、後段加
速部４の高電圧電源８の電圧値Vbの読み取り誤差、及び
この和（Va＋Vb）を求める際に生じる誤差により、実際
処理室６において半導体基板にイオン注入されるイオン
の加速電圧値と加速電圧表示値とに差が生じ、正確なイ
オン注入ができないという問題点があった。
部２の高電圧電源７の電圧値Vaの読み取り誤差、後段加
速部４の高電圧電源８の電圧値Vbの読み取り誤差、及び
この和（Va＋Vb）を求める際に生じる誤差により、実際
処理室６において半導体基板にイオン注入されるイオン
の加速電圧値と加速電圧表示値とに差が生じ、正確なイ
オン注入ができないという問題点があった。
更に第４図に示す様に、前段加速部２の高電圧電源７
の電圧値Vaよりも低い加速電圧値で半導体基板にイオン
注入を行なう場合は、後段加速部４の高電圧電源8Aの結
線を変更し、かつ、加速電圧表示部14の表示を前段加速
部２の高電圧電源７の電圧測定部10により得られる電圧
値Vaと後段加速部４の高電圧電源8Aの電圧測定部11によ
り得られる電圧値Vbの和（Va＋Vb）から、後段加速部４
の高電圧電源８の電圧測定部11により得られる電圧値Vb
のみの表示に切り換えなければならない。この切り換え
スイッチ13の切り換えミスにより、実際に半導体基板に
イオン注入されるイオンの加速電圧値と加速電圧表示値
とが全く異なる場合が生じる。
の電圧値Vaよりも低い加速電圧値で半導体基板にイオン
注入を行なう場合は、後段加速部４の高電圧電源8Aの結
線を変更し、かつ、加速電圧表示部14の表示を前段加速
部２の高電圧電源７の電圧測定部10により得られる電圧
値Vaと後段加速部４の高電圧電源8Aの電圧測定部11によ
り得られる電圧値Vbの和（Va＋Vb）から、後段加速部４
の高電圧電源８の電圧測定部11により得られる電圧値Vb
のみの表示に切り換えなければならない。この切り換え
スイッチ13の切り換えミスにより、実際に半導体基板に
イオン注入されるイオンの加速電圧値と加速電圧表示値
とが全く異なる場合が生じる。
例えば第３図の結線状態で、切り換えスイッチ13を間
違って開けた状態で半導体基板にイオン注入を行うと、
加速電圧表示部14の値はVbであるが実際半導体基板にイ
オン注入された時の加速電圧値は（Va＋Vb）となり、表
示値よりVaだけ高くなる。逆に、第４図の結線状態で、
切り換えスイッチ13を間違って閉じた状態で半導体基板
にイオン注入を行うと、加速電圧表示部14の値は（Va＋
Vb）であるが、実際半導体基板にイオン注入された時の
加速電圧値はVbとなり、表示値よりVaだけ低くなる。
違って開けた状態で半導体基板にイオン注入を行うと、
加速電圧表示部14の値はVbであるが実際半導体基板にイ
オン注入された時の加速電圧値は（Va＋Vb）となり、表
示値よりVaだけ高くなる。逆に、第４図の結線状態で、
切り換えスイッチ13を間違って閉じた状態で半導体基板
にイオン注入を行うと、加速電圧表示部14の値は（Va＋
Vb）であるが、実際半導体基板にイオン注入された時の
加速電圧値はVbとなり、表示値よりVaだけ低くなる。
この様に従来のイオン注入装置では加速電圧値の表示
が異なる場合があり、半導体装置製造上重大な不具合を
発生する可能性があった。
が異なる場合があり、半導体装置製造上重大な不具合を
発生する可能性があった。
本発明のイオン注入装置は、イオン源から発生したイ
オンを加速・分離して半導体基板にイオン注入するイオ
ン注入装置において、前記イオン源と半導体基板間の電
位差を測定し表示するための加速電圧表示部を設けたも
のである。
オンを加速・分離して半導体基板にイオン注入するイオ
ン注入装置において、前記イオン源と半導体基板間の電
位差を測定し表示するための加速電圧表示部を設けたも
のである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図である。
第１図において、イオン注入装置は、イオンを発生さ
せるイオン源１と、発生したイオンを加速する前段加速
部２と、イオンを選択する分析器３と、選択されたイオ
ンを加速する後段加速部４と、選択されたイオンを走査
する走査器５と、半導体基板をセットしイオン注入する
ための処理室６とを備え、また前段加速部２、後段加速
部４にそれぞれ対応する高電圧電源7,8及び加速電圧表
示部９を備えている。この加速電圧表示部９は、イオン
源１と、半導体基板と同電位にある処理室６との間の電
位差を直接測定した値を表示できるように構成されてい
る。
せるイオン源１と、発生したイオンを加速する前段加速
部２と、イオンを選択する分析器３と、選択されたイオ
ンを加速する後段加速部４と、選択されたイオンを走査
する走査器５と、半導体基板をセットしイオン注入する
ための処理室６とを備え、また前段加速部２、後段加速
部４にそれぞれ対応する高電圧電源7,8及び加速電圧表
示部９を備えている。この加速電圧表示部９は、イオン
源１と、半導体基板と同電位にある処理室６との間の電
位差を直接測定した値を表示できるように構成されてい
る。
このように構成された第１の実施例によれば、実際に
半導体基板にイオン注入されるイオンに印加される加速
電圧の値を表示することができるので、従来のように読
み取り誤差やスイッチの切り換えミス等による不都合は
なくなる。
半導体基板にイオン注入されるイオンに印加される加速
電圧の値を表示することができるので、従来のように読
み取り誤差やスイッチの切り換えミス等による不都合は
なくなる。
第２図は本発明の第２の実施例のブロック図であり、
前段加速部２の高電圧電源７の電圧値Vaよりも低い加速
電圧値で半導体基板にイオン注入を行う場合を示してい
る。
前段加速部２の高電圧電源７の電圧値Vaよりも低い加速
電圧値で半導体基板にイオン注入を行う場合を示してい
る。
この場合は第１図に示した第１の実施例における後段
加速部４の高電圧電源８の結線先を変更するだけで良
い。それは常に、実際半導体基板にイオン注入される加
速電圧値が加速電圧表示部９に表示されるからである。
加速部４の高電圧電源８の結線先を変更するだけで良
い。それは常に、実際半導体基板にイオン注入される加
速電圧値が加速電圧表示部９に表示されるからである。
本第２の実施例においても、従来のように切り換えス
イッチ13を設ける必要がなく、しかも特別の操作も必要
なしに実際の加速電圧値が表示されるので、間違った加
速電圧で半導体基板にイオン注入することがなくなる。
イッチ13を設ける必要がなく、しかも特別の操作も必要
なしに実際の加速電圧値が表示されるので、間違った加
速電圧で半導体基板にイオン注入することがなくなる。
以上説明したように本発明は、イオン源と半導体基板
間の電位差を測定し表示するための加速電圧表示部を設
けることにより、実際に半導体基板にイオン注入される
イオンの加速電圧値と加速電圧表示値との誤差を極めて
小さくできるという効果がある。
間の電位差を測定し表示するための加速電圧表示部を設
けることにより、実際に半導体基板にイオン注入される
イオンの加速電圧値と加速電圧表示値との誤差を極めて
小さくできるという効果がある。
更に、前段加速部の高電圧電源の電圧値よりも低い加
速電圧値で半導体基板にイオン注入を行う場合と、前段
加速部の高電圧電源の電圧値以上の加速電圧値で半導体
基板にイオン注入を行う場合とで、何ら加速電圧の表示
部を変更することがなく、常に半導体基板にイオン注入
される加速電圧値が表示されるので、間違った加速電圧
値で半導体基板にイオン注入を行うことがなくなる。
速電圧値で半導体基板にイオン注入を行う場合と、前段
加速部の高電圧電源の電圧値以上の加速電圧値で半導体
基板にイオン注入を行う場合とで、何ら加速電圧の表示
部を変更することがなく、常に半導体基板にイオン注入
される加速電圧値が表示されるので、間違った加速電圧
値で半導体基板にイオン注入を行うことがなくなる。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例のブ
ロック図、第３図及び第４図は従来のイオン注入装置の
ブロック図である。 １……イオン源、２……前段加速部、３……分析器、４
……後段加速部、５……走査器、６……処理室、7,8…
…高電圧電源、９……加速電圧表示部、10,11……電圧
測定部、12……加速器、13……切り換えスイッチ、14…
…加速電圧表示部。
ロック図、第３図及び第４図は従来のイオン注入装置の
ブロック図である。 １……イオン源、２……前段加速部、３……分析器、４
……後段加速部、５……走査器、６……処理室、7,8…
…高電圧電源、９……加速電圧表示部、10,11……電圧
測定部、12……加速器、13……切り換えスイッチ、14…
…加速電圧表示部。
Claims (1)
- 【請求項１】イオン源から発生したイオンを加速・分離
して半導体基板にイオン注入するイオン注入装置におい
て、前記イオン源と半導体基板間の電位差を測定し表示
するための加速電圧表示部を設けたことを特徴とするイ
オン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222803A JP2699442B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63222803A JP2699442B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269933A JPH0269933A (ja) | 1990-03-08 |
| JP2699442B2 true JP2699442B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16788140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63222803A Expired - Lifetime JP2699442B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699442B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661017B1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-09 | Ibis Technology Corporation | Ion implantation system having an energy probe |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63222803A patent/JP2699442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0269933A (ja) | 1990-03-08 |
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