JPH09180669A - イオン注入装置及びこの装置を用いたイオン注入方法 - Google Patents
イオン注入装置及びこの装置を用いたイオン注入方法Info
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- JPH09180669A JPH09180669A JP8242155A JP24215596A JPH09180669A JP H09180669 A JPH09180669 A JP H09180669A JP 8242155 A JP8242155 A JP 8242155A JP 24215596 A JP24215596 A JP 24215596A JP H09180669 A JPH09180669 A JP H09180669A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン注入装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 イオン抽出器と、前記イオン抽出器から
来るイオンの荷電状態に問わず前記イオンを一定方向に
偏向させる質量分析器と、前記イオンの荷電状態により
前記質量分析器内の磁気場の方向を変える極性変換器と
を具備することにより、従来技術によるイオン注入装置
では不可能だった浅い不純物層と深い不純物層とを装置
の変更なしにウェーハ上に形成することができる。即
ち、Ｂ+やＰ+ のみならずＢＦ+ を一つのイオン注入装
置を用いてイオン注入することができる。よって、従来
に比べて半導体装置の生産性を遥かに高めることができ
る。
来るイオンの荷電状態に問わず前記イオンを一定方向に
偏向させる質量分析器と、前記イオンの荷電状態により
前記質量分析器内の磁気場の方向を変える極性変換器と
を具備することにより、従来技術によるイオン注入装置
では不可能だった浅い不純物層と深い不純物層とを装置
の変更なしにウェーハ上に形成することができる。即
ち、Ｂ+やＰ+ のみならずＢＦ+ を一つのイオン注入装
置を用いてイオン注入することができる。よって、従来
に比べて半導体装置の生産性を遥かに高めることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入装置及び
方法に係り、特に正イオンと負イオンの注入に共同で用
いるイオン注入装置とこの装置を用いたイオン注入方法
に関する。
方法に係り、特に正イオンと負イオンの注入に共同で用
いるイオン注入装置とこの装置を用いたイオン注入方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、イオン注入工
程は半導体装置の信頼性を決定する大変重要な工程であ
る。イオン注入装置は大きく深い不純物層を形成するた
めのイオン注入装置と浅い不純物層を形成するためのイ
オン注入装置とに分けられる。浅い不純物層を形成する
ためのイオン注入装置は正イオン不純物（例えば、ホウ
素、燐及び砒素など）を加速してウェーハに注入する方
式であり、ここには中電流用と高電流用のイオン注入装
置が該当する。
程は半導体装置の信頼性を決定する大変重要な工程であ
る。イオン注入装置は大きく深い不純物層を形成するた
めのイオン注入装置と浅い不純物層を形成するためのイ
オン注入装置とに分けられる。浅い不純物層を形成する
ためのイオン注入装置は正イオン不純物（例えば、ホウ
素、燐及び砒素など）を加速してウェーハに注入する方
式であり、ここには中電流用と高電流用のイオン注入装
置が該当する。
【０００３】深い不純物層を形成するために用いるイオ
ン注入装置は既存の正イオン注入装置にイオン変換器を
更に具備する。深い不純物層を形成するに用いられるイ
オン注入装置を用いてＢ+ やＰ+ を注入する場合、この
イオンはイオン変換器を通りながら負イオン化されるの
で既存の正イオン注入装置で印加する加速エネルギーと
同一なエネルギーを加えても加速器を通りながら正イオ
ンが得たエネルギーの二倍に当たるエネルギーを得るこ
とができる。
ン注入装置は既存の正イオン注入装置にイオン変換器を
更に具備する。深い不純物層を形成するに用いられるイ
オン注入装置を用いてＢ+ やＰ+ を注入する場合、この
イオンはイオン変換器を通りながら負イオン化されるの
で既存の正イオン注入装置で印加する加速エネルギーと
同一なエネルギーを加えても加速器を通りながら正イオ
ンが得たエネルギーの二倍に当たるエネルギーを得るこ
とができる。
【０００４】このようなイオン変換器を具備する深い不
純物層を形成するイオン注入装置を用いて浅い不純物層
を形成するためには、浅い不純物層の形成に広く用いら
れるイオンのＢＦ+ を負イオン化しなければならない。
ところが、ＢＦ+ イオンはイオン変換器による負イオン
化過程ですぐ壊れる。さらに、イオン変化が無いままイ
オン変換器を通過させると、質量分析器内で負イオンが
偏向される方向とは反対に偏向されるので加速器を用い
ることができない。
純物層を形成するイオン注入装置を用いて浅い不純物層
を形成するためには、浅い不純物層の形成に広く用いら
れるイオンのＢＦ+ を負イオン化しなければならない。
ところが、ＢＦ+ イオンはイオン変換器による負イオン
化過程ですぐ壊れる。さらに、イオン変化が無いままイ
オン変換器を通過させると、質量分析器内で負イオンが
偏向される方向とは反対に偏向されるので加速器を用い
ることができない。
【０００５】次いで、添付した図面に基づきイオン変換
器を具備する従来技術によるイオン注入装置を詳細に説
明する。図１は従来技術によるイオン変換器を具備する
イオン注入装置のブロック図である。図１で各ブロック
はイオン注入装置の構成要素を示す。
器を具備する従来技術によるイオン注入装置を詳細に説
明する。図１は従来技術によるイオン変換器を具備する
イオン注入装置のブロック図である。図１で各ブロック
はイオン注入装置の構成要素を示す。
【０００６】図１を参照すると、従来技術によるイオン
注入装置はイオン発生器10と、イオン抽出器12と、イオ
ン変換器14と、質量分析器16と、加速器18と、集束器20
と、イオン測定装置22とから構成される。前記イオン変
換器14は正イオンを負イオンに変換させる装置である。
引き続き、前記のような構成を有するイオン注入装置に
より不純物イオンが注入される過程を見ることにする。
注入装置はイオン発生器10と、イオン抽出器12と、イオ
ン変換器14と、質量分析器16と、加速器18と、集束器20
と、イオン測定装置22とから構成される。前記イオン変
換器14は正イオンを負イオンに変換させる装置である。
引き続き、前記のような構成を有するイオン注入装置に
より不純物イオンが注入される過程を見ることにする。
【０００７】イオン発生器10から発生されたイオンはイ
オン抽出器12を通りながらイオン注入に要するイオンが
選別される。選別されたイオンは負イオン変換器14によ
り負イオンに変換される。イオン変換器14は正イオンを
負イオンに変換させるためマグネシウム(Mg)を電子供与
物質として用いる。マグネシウムは 250℃以上の温度で
正イオンにたやすく電子を供与する。従って、イオン変
換器14の変換温度は250 ℃以上でなければならない。
オン抽出器12を通りながらイオン注入に要するイオンが
選別される。選別されたイオンは負イオン変換器14によ
り負イオンに変換される。イオン変換器14は正イオンを
負イオンに変換させるためマグネシウム(Mg)を電子供与
物質として用いる。マグネシウムは 250℃以上の温度で
正イオンにたやすく電子を供与する。従って、イオン変
換器14の変換温度は250 ℃以上でなければならない。
【０００８】イオン変換器14を通過した負イオンは質量
分析器16を通りながら偏向されるが、偏向される程度は
質量分析器16内の磁気場の強さと質量分析器16に流入さ
れるイオンの質量とイオン化程度そして質量分析器16に
流入される時のイオンの速度などにより異なるようにな
る。従って、ウェーハに注入するイオン物質が選定され
ると、選定されたイオン物質の質量とイオン化程度を考
慮し質量分析器16の磁気場を調節して質量分析器16に流
入されるイオンを加速器18に正確に偏向させることがで
きる。
分析器16を通りながら偏向されるが、偏向される程度は
質量分析器16内の磁気場の強さと質量分析器16に流入さ
れるイオンの質量とイオン化程度そして質量分析器16に
流入される時のイオンの速度などにより異なるようにな
る。従って、ウェーハに注入するイオン物質が選定され
ると、選定されたイオン物質の質量とイオン化程度を考
慮し質量分析器16の磁気場を調節して質量分析器16に流
入されるイオンを加速器18に正確に偏向させることがで
きる。
【０００９】加速器18により加速された負イオンは集束
器20により集束される。集束された負イオンはイオン測
定器22を経て反応チャンバ（図示せず）に流入される。
反応チャンバで負イオンは一般的な方法により正イオン
化されウェーハに注入される。
器20により集束される。集束された負イオンはイオン測
定器22を経て反応チャンバ（図示せず）に流入される。
反応チャンバで負イオンは一般的な方法により正イオン
化されウェーハに注入される。
【００１０】前述したように、従来技術によるイオン注
入装置はホウ素イオンや燐イオンなどを負イオンに変換
しウェーハに深い不純物層を形成するために用いられ得
る。その反面、ＢＦ+ イオンなどを用いて浅い不純物層
を形成する時には用いることができない。なぜならば、
前述したようにＢＦ+ イオンは負イオン化過程ですぐ壊
れるからである。かつ、壊れることを防止するために負
イオン化せずにそのまま正イオン状態で質量分析器内に
入ると偏向が負イオンとは反対の方向に起こるからであ
る。
入装置はホウ素イオンや燐イオンなどを負イオンに変換
しウェーハに深い不純物層を形成するために用いられ得
る。その反面、ＢＦ+ イオンなどを用いて浅い不純物層
を形成する時には用いることができない。なぜならば、
前述したようにＢＦ+ イオンは負イオン化過程ですぐ壊
れるからである。かつ、壊れることを防止するために負
イオン化せずにそのまま正イオン状態で質量分析器内に
入ると偏向が負イオンとは反対の方向に起こるからであ
る。
【００１１】このように従来技術によるイオン注入装置
を用いてイオン注入を行う場合、粒子の荷電状態により
各々異なる注入装置を用いなければならない。従って、
半導体装置の生産性が低い。
を用いてイオン注入を行う場合、粒子の荷電状態により
各々異なる注入装置を用いなければならない。従って、
半導体装置の生産性が低い。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した従来
の問題点を解決するためのものであり、半導体装置の生
産性を向上させ得るイオン注入装置を提供することにそ
の目的がある。
の問題点を解決するためのものであり、半導体装置の生
産性を向上させ得るイオン注入装置を提供することにそ
の目的がある。
【００１３】また、本発明は前記イオン注入装置を用い
たイオン注入方法を提供することに他の目的がある。
たイオン注入方法を提供することに他の目的がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のイオン注入装置は、イオン抽出器と、前記イ
オン抽出器から来るイオンの荷電状態に関係なく前記イ
オンを一定方向に偏向させる質量分析器と、前記イオン
の荷電状態により前記質量分析器内の磁気場の方向を変
える極性変換器とを具備する。
に本発明のイオン注入装置は、イオン抽出器と、前記イ
オン抽出器から来るイオンの荷電状態に関係なく前記イ
オンを一定方向に偏向させる質量分析器と、前記イオン
の荷電状態により前記質量分析器内の磁気場の方向を変
える極性変換器とを具備する。
【００１５】前記極性変換器は前記質量分析器内に磁気
場を形成する電磁石に流れる電流の方向を変える手段を
具備する。
場を形成する電磁石に流れる電流の方向を変える手段を
具備する。
【００１６】前記手段は継電器又はモーターのうち選択
されたいずれかの一つである。
されたいずれかの一つである。
【００１７】前記他の目的を達成するために本発明によ
るイオン注入方法は、イオンを発生させる第１段階と、
前記イオンの荷電状態に関係なく前記イオンを一定方向
に偏向させる第２段階と、前記偏向されたイオンを加速
及び集束させる第３段階とを含む。
るイオン注入方法は、イオンを発生させる第１段階と、
前記イオンの荷電状態に関係なく前記イオンを一定方向
に偏向させる第２段階と、前記偏向されたイオンを加速
及び集束させる第３段階とを含む。
【００１８】前記第２段階では前記イオンの荷電状態に
より磁気場の方向を変えられる手段を具備する質量分析
器を用いる。
より磁気場の方向を変えられる手段を具備する質量分析
器を用いる。
【００１９】前記手段として前記質量分析器内に前記磁
気場を形成するために用いられる電磁石に流れる電流の
方向を変える第１手段のモーターを具備する極性変換器
を用いる。前記第１手段として継電器を用いることもで
きる。
気場を形成するために用いられる電磁石に流れる電流の
方向を変える第１手段のモーターを具備する極性変換器
を用いる。前記第１手段として継電器を用いることもで
きる。
【００２０】本発明によるイオン注入装置はイオン注入
装置を変えずに正イオンと負イオンをウェーハにイオン
注入し得る装置であり、この装置を用いイオンを注入す
ることにより従来に比べて半導体装置の生産性を向上さ
せることができる。
装置を変えずに正イオンと負イオンをウェーハにイオン
注入し得る装置であり、この装置を用いイオンを注入す
ることにより従来に比べて半導体装置の生産性を向上さ
せることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付した
図面に基づき更に詳細に説明する。本発明を記述する過
程で従来技術を説明するため引用した参照番号や符号と
同一な参照番号や符号は同一な部材を示す。
図面に基づき更に詳細に説明する。本発明を記述する過
程で従来技術を説明するため引用した参照番号や符号と
同一な参照番号や符号は同一な部材を示す。
【００２２】図２は本発明によるイオン注入装置を示し
たブロック図である。図２を参照すると、本発明による
イオン注入装置は従来技術によるイオン注入装置のイオ
ンコンバーターの代わりに極性変換器40を用いる。即
ち、本発明によるイオン注入装置はイオン発生器10と、
イオン抽出器12と、質量分析器16と、極性変換器40と、
加速器18と、集束器20及びイオン測定装置22とを含んで
いる。
たブロック図である。図２を参照すると、本発明による
イオン注入装置は従来技術によるイオン注入装置のイオ
ンコンバーターの代わりに極性変換器40を用いる。即
ち、本発明によるイオン注入装置はイオン発生器10と、
イオン抽出器12と、質量分析器16と、極性変換器40と、
加速器18と、集束器20及びイオン測定装置22とを含んで
いる。
【００２３】一般に、前記質量分析器16内には電磁石を
用いた均一な磁気場が形成される。従って、質量分析器
に入る電荷を帯びた粒子はフレミングの左手の法則によ
り力を受けるようになり偏向される。前記磁気場の方向
は電磁石に流れる電流の方向を変えることにより変えら
れる。
用いた均一な磁気場が形成される。従って、質量分析器
に入る電荷を帯びた粒子はフレミングの左手の法則によ
り力を受けるようになり偏向される。前記磁気場の方向
は電磁石に流れる電流の方向を変えることにより変えら
れる。
【００２４】前記極性変換器40は前記質量分析器16内の
磁気場の方向を変える手段となり、このため前記極性変
換器40には前記電磁石に流れる電流の方向を変えるため
の第１手段としてモーターや継電器が具備されている。
磁気場の方向を変える手段となり、このため前記極性変
換器40には前記電磁石に流れる電流の方向を変えるため
の第１手段としてモーターや継電器が具備されている。
【００２５】図３は質量分析器16と極性変換器40との間
の相互作用を示している。参照符号Ｂは前記質量分析器
16内の磁気場を示し、参照符号Ｉは前記質量分析器16の
電磁石に流れる電流を示す。前記極性変換器40内にある
ブロック42は前記質量分析器16の電磁石に流れる電流Ｉ
の方向を変える手段を示す。前記手段42はモーター又は
継電器のうち選択されたいずれかの一つである。図３で
磁気場Ｂの方向は図面から出てくる方向である。従っ
て、質量分析器16に入る電荷を帯びた粒子が正電荷であ
ると、正電荷を帯びたこの粒子は示されたように右側に
曲がる。
の相互作用を示している。参照符号Ｂは前記質量分析器
16内の磁気場を示し、参照符号Ｉは前記質量分析器16の
電磁石に流れる電流を示す。前記極性変換器40内にある
ブロック42は前記質量分析器16の電磁石に流れる電流Ｉ
の方向を変える手段を示す。前記手段42はモーター又は
継電器のうち選択されたいずれかの一つである。図３で
磁気場Ｂの方向は図面から出てくる方向である。従っ
て、質量分析器16に入る電荷を帯びた粒子が正電荷であ
ると、正電荷を帯びたこの粒子は示されたように右側に
曲がる。
【００２６】反対に、質量分析器16に入る粒子が負電荷
であると、曲がる方向は左側となる。ところが、前記負
電荷を帯びた粒子が前記質量分析器16に入る時、前記極
性変換器40を用いて質量分析器16の電磁石に流れる電流
Ｉの方向を変えると質量分析器16内の磁気場Ｂの方向も
変わる。即ち、図３で磁気場Ｂの方向は図面に入ってい
く方向となる。従って、前記磁気場Ｂの方向が反対とな
るので、負電荷を帯びた粒子に作用する磁気力は反対と
なり前記負電荷を帯びた粒子の進行方向は右側に曲が
る。
であると、曲がる方向は左側となる。ところが、前記負
電荷を帯びた粒子が前記質量分析器16に入る時、前記極
性変換器40を用いて質量分析器16の電磁石に流れる電流
Ｉの方向を変えると質量分析器16内の磁気場Ｂの方向も
変わる。即ち、図３で磁気場Ｂの方向は図面に入ってい
く方向となる。従って、前記磁気場Ｂの方向が反対とな
るので、負電荷を帯びた粒子に作用する磁気力は反対と
なり前記負電荷を帯びた粒子の進行方向は右側に曲が
る。
【００２７】引き続き、本発明によるイオン注入装置を
用いたイオン注入方法を詳細に説明する。まず、ウェー
ハ上に深い不純物層を形成するためホウ素イオン(Ｂ+ )
や燐イオン(Ｐ+ )などを注入する方法を説明する。
用いたイオン注入方法を詳細に説明する。まず、ウェー
ハ上に深い不純物層を形成するためホウ素イオン(Ｂ+ )
や燐イオン(Ｐ+ )などを注入する方法を説明する。
【００２８】前記イオン発生器10からイオンを発生させ
る。前記イオン発生器10から発生されたイオンをイオン
抽出器12を用いて選別する。前記イオン抽出器12により
選別されたイオン、例えばＢ+ やＰ+ のような正イオン
を前記イオン変換器14を用いて負イオン化する。この
際、前記イオン変換器14の変換条件は従来と同一にす
る。前記負イオン化されたイオンは前記質量分析器16に
より前記加速器18に偏向される。前記加速器18により加
速された前記負イオンは反応チャンバに流入されウェー
ハに注入される。このように深い不純物層を形成するた
めのイオン注入過程では前記極性変換器40が極性変換器
40としての機能を行わないので前記イオンに全然影響を
及ぼさない。
る。前記イオン発生器10から発生されたイオンをイオン
抽出器12を用いて選別する。前記イオン抽出器12により
選別されたイオン、例えばＢ+ やＰ+ のような正イオン
を前記イオン変換器14を用いて負イオン化する。この
際、前記イオン変換器14の変換条件は従来と同一にす
る。前記負イオン化されたイオンは前記質量分析器16に
より前記加速器18に偏向される。前記加速器18により加
速された前記負イオンは反応チャンバに流入されウェー
ハに注入される。このように深い不純物層を形成するた
めのイオン注入過程では前記極性変換器40が極性変換器
40としての機能を行わないので前記イオンに全然影響を
及ぼさない。
【００２９】次に、浅い不純物を形成するためＢＦ+ イ
オンをウェーハにイオン注入する過程を説明する。前記
ＢＦ+ イオンは前記イオン発生器10とイオン抽出器12を
経てイオン変換器14に入る。この際、前記イオン変換器
14の変換条件は変換温度を 250℃以下に下げたりイオン
変換器を消すことである。前記条件で前記ＢＦ+ イオン
の極性は変化されずにそのままイオン変換器を通過し質
量分析器16に入る。この際、前記質量分析器16に入るイ
オンの荷電状態に関係なく前記イオンを一定方向に偏向
させる手段として前記極性変換器40を用いる。即ち、前
記極性変換器40は前記質量分析器16内に形成される磁気
場の方向を変える手段として用いる。前記磁気場の方向
を変えるためには質量分析器16の電磁石に流れる電流の
方向を変えなければならない。このための第１手段とし
て、前記極性変換器40には継電器（図示せず）やモータ
ー（図示せず）が具備されている。前記継電器又はモー
ターのうち選択されたいずれかの一つを用いて前記質量
分析器16に具備された電磁石に流れる電流の方向を反対
に変える。この結果、前記質量分析器16内の磁気場の方
向が反対に変わるので前記ＢＦ+ は磁気場の方向が変わ
る前に負イオンが受ける方向に磁気力を受けて前記加速
器18に正確に偏向される。以後の前記ＢＦ+ イオンの経
路は従来技術による経路と同一な経路を取る。
オンをウェーハにイオン注入する過程を説明する。前記
ＢＦ+ イオンは前記イオン発生器10とイオン抽出器12を
経てイオン変換器14に入る。この際、前記イオン変換器
14の変換条件は変換温度を 250℃以下に下げたりイオン
変換器を消すことである。前記条件で前記ＢＦ+ イオン
の極性は変化されずにそのままイオン変換器を通過し質
量分析器16に入る。この際、前記質量分析器16に入るイ
オンの荷電状態に関係なく前記イオンを一定方向に偏向
させる手段として前記極性変換器40を用いる。即ち、前
記極性変換器40は前記質量分析器16内に形成される磁気
場の方向を変える手段として用いる。前記磁気場の方向
を変えるためには質量分析器16の電磁石に流れる電流の
方向を変えなければならない。このための第１手段とし
て、前記極性変換器40には継電器（図示せず）やモータ
ー（図示せず）が具備されている。前記継電器又はモー
ターのうち選択されたいずれかの一つを用いて前記質量
分析器16に具備された電磁石に流れる電流の方向を反対
に変える。この結果、前記質量分析器16内の磁気場の方
向が反対に変わるので前記ＢＦ+ は磁気場の方向が変わ
る前に負イオンが受ける方向に磁気力を受けて前記加速
器18に正確に偏向される。以後の前記ＢＦ+ イオンの経
路は従来技術による経路と同一な経路を取る。
【００３０】
【発明の効果】本発明では正イオンと負イオンの注入に
共同で用いるイオン注入装置を用いてイオン注入を行う
ので、従来技術によるイオン注入装置では不可能だった
浅い不純物層と深い不純物層とを装置の変形なしにウェ
ーハ上に形成することができる。即ち、Ｂ+ やＰ+ のみ
ならずＢＦ+ 不純物も一つのイオン注入装置を用いてイ
オン注入することができる。従って、従来に比べて半導
体装置の生産性を遥かに高めることができる。
共同で用いるイオン注入装置を用いてイオン注入を行う
ので、従来技術によるイオン注入装置では不可能だった
浅い不純物層と深い不純物層とを装置の変形なしにウェ
ーハ上に形成することができる。即ち、Ｂ+ やＰ+ のみ
ならずＢＦ+ 不純物も一つのイオン注入装置を用いてイ
オン注入することができる。従って、従来に比べて半導
体装置の生産性を遥かに高めることができる。
【００３１】本発明は前記実施例に限られず、多くの変
形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識
を有する者により可能であることは明白である。
形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識
を有する者により可能であることは明白である。
【図１】 従来技術によるイオン注入装置の各要素の機
能的な関係を示した概略ブロック図である。
能的な関係を示した概略ブロック図である。
【図２】 本発明によるイオン注入装置の各要素の機能
的な関係を示した概略ブロック図である。
的な関係を示した概略ブロック図である。
【図３】 本発明によるイオン注入装置の極性変換器と
質量分析器の相互作用を示した。
質量分析器の相互作用を示した。
フロントページの続き (72)発明者 金 度 亨 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞1217番 地 韓国２次アパート106棟206號
Claims (8)
- 【請求項１】 イオン抽出器と、 前記イオン抽出器から来るイオンの荷電状態に関係なく
前記イオンを一定方向に偏向させる質量分析器と、 前記イオンの荷電状態により前記質量分析器内の磁気場
の方向を変える極性変換器とを具備することを特徴とす
るイオン注入装置。 - 【請求項２】 前記極性変換器は前記質量分析器内に磁
気場を形成する電磁石に流れる電流の方向を変える手段
を具備することを特徴とする請求項１に記載のイオン注
入装置。 - 【請求項３】 前記手段は継電器であることを特徴とす
る請求項２に記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】 前記手段はモーターであることを特徴と
する請求項２に記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】 イオンを発生させる第１段階と、 前記イオンの荷電状態に関係なく前記イオンを一定方向
に偏向させる第２段階と、 前記偏向されたイオンを加速及び集束させる第３段階と
を含むことを特徴とするイオン注入方法。 - 【請求項６】 前記第２段階で前記イオンの荷電状態に
より磁気場の方向を変えられる手段を具備する質量分析
器を用いることを特徴とする請求項５に記載のイオン注
入方法。 - 【請求項７】 前記手段として前記質量分析器内に前記
磁気場を形成するために用いられる電磁石に流れる電流
の方向を変える第１手段のモーターを具備する極性変換
器を用いることを特徴とする請求項６に記載のイオン注
入方法。 - 【請求項８】 前記第１手段として継電器を用いること
を特徴とする請求項７に記載のイオン注入方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054714A KR100189995B1 (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 이온 주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법 |
| KR95P54714 | 1995-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180669A true JPH09180669A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=19443265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8242155A Pending JPH09180669A (ja) | 1995-12-22 | 1996-09-12 | イオン注入装置及びこの装置を用いたイオン注入方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814822A (ja) |
| JP (1) | JPH09180669A (ja) |
| KR (1) | KR100189995B1 (ja) |
| CN (1) | CN1189921C (ja) |
| DE (1) | DE19637073A1 (ja) |
| GB (1) | GB2308494B (ja) |
| TW (1) | TW374192B (ja) |
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| TWI453949B (zh) * | 2009-12-30 | 2014-09-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體製作方法 |
| CN104465292B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-05-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种离子注入机的预处理方法 |
| CN105097400B (zh) * | 2015-08-03 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入系统及方法 |
| CN106373846B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-01-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法 |
| KR20190041578A (ko) | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 주식회사 브이밸류 | 개인 체중관리 서비스 제공 시스템 및 방법 |
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| US4835399A (en) * | 1986-08-22 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam apparatus |
| JPH087824A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置及び半導体装置の製造方法及びイオンビーム制御方法 |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054714A patent/KR100189995B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-08-24 TW TW085110340A patent/TW374192B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-03 GB GB9618321A patent/GB2308494B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-12 DE DE19637073A patent/DE19637073A1/de not_active Ceased
- 1996-09-12 JP JP8242155A patent/JPH09180669A/ja active Pending
- 1996-09-16 CN CNB961129298A patent/CN1189921C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-20 US US08/771,772 patent/US5814822A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| CN1189921C (zh) | 2005-02-16 |
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| TW374192B (en) | 1999-11-11 |
| GB2308494A (en) | 1997-06-25 |
| US5814822A (en) | 1998-09-29 |
| DE19637073A1 (de) | 1997-06-26 |
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
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