KR970051454A - 리던던시 회로의 리드 속도 개선장치 - Google Patents

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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability

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  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리에서 플래쉬 휴즈 셀(Flash Fuse Cell)을 어드레스 저장 셀로 사용하는 경우 어드레스 천이 검출펄스(ATD)에 의해 리드 패스(read path)와 리던던시 리드 패스(redundancy read path)간의 스피드 차이를 개선시킨 리던던시 회로의 리드 속도 개선장치에 관한 것으로, 종래에는 특정 리던던시 블럭의 선택시 비교 및 코딩해야하기 때문에 스피드의 손실이 발생하며, 특히 코아셀을 디스에이블 시키는 신호는 다단(多端)의 게이트를 거치기 때문에 이에따라 지연이 발생하게 되어 리드 속도의 저하가 발생되는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 보편적인 코딩에 의해 온/오프되는 출력과는 달리 온되는 경우에는 액티브 노아게이트에 의해 2~3nsec 정도의 리드 속도 향상과, 오프 되는 경우에는 어드레스 천이 검출펄스에 의해 그 즉시 출력을 해제시킴으로써 전체적으로 리드 속도의 개선을 가져오는 효과가 있게 된다.

Description

리던던시 회로의 리드 속도 개선장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 어드레스 천이 검출펄스를 이용한 리던던시 회로의 리드 속도 개선장치를 나타낸 상세도.

Claims (1)

  1. 다수의 리던던시 어드레스를 테스트한 후 이를 매핑한 다음 외부 어드레스데이타와 비교하여 일치판정함으로써 그 결과를 출력하는 일치판정부와, 상기 일치판정부의 출력을 입력받아 해당 리던던시 블럭을 선택하는 리던던시 선택신호를 출력하는 리던던시 선택부로 구성된 리던던시 회로에 있어서, 상기 리던던시 선택부의 리던던시 선택신호를 인가받아 그 상승에지에서 펄스를 발생하는 제1펄스 발생부와, 상기 제1펄스발생부의 출력을 반전하는 인버터와, 상기 인버터의 출력을 입력받아 노아조합하여 지연을 감소시키는 액티브 노아게이트와, 어드레스 천이 검출펄스를 인가받아 그 상승에지에서 펄스를 발생하는 제2펄스 발생부와, 상기 액티브 노아게이트의 출력을 래치시켜 출력함으로써 코아 셀을 디스에이블시키며, 상기 제2펄스 발생부에서 펄스가 인가되면 그 즉시 출력을 해제하는 래치부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 리던던시 회로의 리드 속도 개선장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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