KR970051324A - 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법 Download PDF

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KR970051324A
KR970051324A KR1019950053525A KR19950053525A KR970051324A KR 970051324 A KR970051324 A KR 970051324A KR 1019950053525 A KR1019950053525 A KR 1019950053525A KR 19950053525 A KR19950053525 A KR 19950053525A KR 970051324 A KR970051324 A KR 970051324A
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박종욱
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
낸드구조의 메모리 쎌을 통해 프로그램할시 문턱전압의 변동을 방지할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
로칼 셀프 부스팅기술이 적용되는 불휘발성 반도체 메모리에 있어서 낸드 쎌 유닛의 일단과 접속되는 제1비트라인의 최하위 메모리쎌부터 프로그램을 시작하고, 이어 상기 제1비트라인과 인접한 제2비트라인의 최하위 메모리 쎌을 프로그램하고, 이어 상기 제1비트라인 최하위 메모리 쎌의 인접한 다음 메모리 쎌을 프로그램하는 방식으로 이러한 프로그램 순서가 연속되어 순차적으로 이루어짐을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
데이타의 영구 보존에 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따라 프로그램하기 위한 방법을 나타내는 도면

Claims (6)

  1. 적어도 하나의 낸드 쎌 유닛을 가지며, 상기 낸드 쎌 유닛의 일단과 타단사이에 드레인 소오스 통로들이직렬로 접속된 다수의 메모리 쎌들을 가지며, 각 메모리 쎌들은 드레인, 소오스, 플로팅게이트 및 제어게이트를 가지며, 각 낸드 쎌 유닛내의 하나의 메모리 쎌을 선택하고, 이 선택된 메모리 쎌이 소거 데이타에 대응하는 문턱전압을 갖도록 소거한 행해지는 프로그램동작중 상기 선택된 메모리 쎌의 프로그램전압에 의한 스트레스와 상기 비선택된 메모리 쎌의 패스전압에 의한 스트레스를 줄이기 위한 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법에 있어서 ; 상기 낸드 쎌 유닛과 접속되는 제1비트라인의 최하위 메모리 쎌부터 프로그램을 시작하여 완료하고 이어 상기 제1비트라인과 인접한 제2비트라인의 최하위 메모리 쎌을 프로그램하여 완료하고, 이러한 프로그램순서가 인접한 비트라인으로 연속되어 순차적으로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로그램하는 메모리 쎌들의 제어게이트로 프로그램전압을 인가하고, 상기 프로그램하는 메모리 쎌들을 뺀 나머지 메모리 쎌들의 제어게이트로 패스전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램방법
  3. 제2항에 있어서, 상기 프로그램전압은 14볼트에서 19볼트 사이의 전압값이고, 싱기 패스전압은 2볼트에서 3볼트 사이의 전압값임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 프로그램방법
  4. 적어도 하나의 낸드 쎌 유닛을 가지며, 상기 낸드 쎌 유닛의 일단과 타단사이에 드레인 소오스 통로들이직렬로 접속된 다수의 메모리 쎌들을 가지며, 각 메모리 쎌들은 드레인, 소오소, 플로팅게이트 및 제어게이트를 가지며, 각 낸드 쎌 유닛내의 하나의 메모리 쎌을 선택하고, 이 선택된 메모리 쎌이 소거 데이타에 대응하는 문턱전압을 갖도록 소거한후 행해지는 프로그램동작 중 상기 선택된 메모리 쎌의 상기 문턱전압이 변동하지않도록 상기 선택된 메모리 쎌의 트랜지스터에는 프로그램전압을 인가하고, 상기 선택된 메모리 쎌의 드레인 및 소오스오 접소된 메모리 트랜지스터들은 턴 오프하는 로칼 셀프 부스팅기술이 적용되는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법에 있어서 ; 상기 낸드 쎌 유닛의 알단과 접속되는 제1비트라인의 최하위 메모리 쎌부터 프로그램을 시작하고, 이어 상기 제1비트라인과 인접한 제2비트라인의 최하위 메모리 쎌을 프로그램하고, 이어 상기 제1비트라인의 최하위 메모리 쎌의 인접한 다음 메모리 쎌을 프로그램하는 방식으로 이러한 프로그램순서가 연속되어 순차적으로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
  5. 제4항에 있어서, 상기 프로그램하는 메모리 쎌들의 제어게이트로 프로그램전압을 인가하고, 상기 프로그램하는 메모리 쎌들을 뺀 나머지 메모리 쎌들의 제어게이트로 패스전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
  6. 제5항에 있어서, 상기 프로그램전압은 14볼트에서 19볼트 사이의 전압값이고, 상기 패스전압은 2볼트에서 3볼트 사이의 전압값임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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