KR970051251A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR970051251A
KR970051251A KR1019950059442A KR19950059442A KR970051251A KR 970051251 A KR970051251 A KR 970051251A KR 1019950059442 A KR1019950059442 A KR 1019950059442A KR 19950059442 A KR19950059442 A KR 19950059442A KR 970051251 A KR970051251 A KR 970051251A
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

비트라인쌍에 접속된 다수의 메모리셀을 가지는 메모리셀 어레이와, 데이타 및 상보 데이타를 전송하기 위한 데이타라인쌍과, 컬럼선택라인의 활성화에 응답하여 상기 메모리셀 어레이내의 비트라인쌍과 상기 데이타라인쌍들을 상호 접속하는 컬럼선택게이트들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 데이타를 기록시 피이크-전류의 발생을 최소화할 수 있도록 데이타버스를 제어하는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 상기의 반도체 메모리 장치는 데이타의 입력을 정의하는 모드신호에 응답하여 입력모드를 결정하는 마스터클럭과 순차지연되는 데이타버스제어클럭 및 입력드라이버 제어신호를 발생하는 데이타 입력 제어신호 발생부와, 상기 데이타라인쌍의 제1, 제2데이타라인에 각각 접속되어 있으며 데이타버스제어신호의 상태에 따라 상기 제1, 제2데이타라인의 레벨을 선택적으로 프리차아지시키는 데이타 버스 제어부와, 상기 마스터 클럭의 활성화에 응답하여 기록되어질 데이타의 논리에 대응하는 데이타버스제어신호들을 발생하고 상기 데이타버스제어클럭의 활성화에 응답하여 상기 데이타버스제어신호의 출력을 차단하는 데이타버스 제어신호 발생부와, 상기 마스터 클럭의 활성화에 응답하여 상기 컬럼선택게이트를 구동하여 상기 데이타라인쌍을 상기 비트라인쌍에 접속하는 컬럼선택부를 포함하여 구성된다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 데이타버스 제어 회로도.
제4도는 제3도의 동작을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램.

Claims (3)

  1. 비트라인쌍에 접속된 다수의 메모리셀을 가지는 메모리셀 어레이와, 데이타 및 상보 데이타를 전송하기 위한 제1, 제2데이타라인으로 구성되는 데이타라인쌍과, 컬럼선택라인의 활성화에 응답하여 상기 비트라인쌍과 상기 데이타라인쌍들을 상호 접속하는 컬럼선택게이트를 가지며, 소정의 입력드라이버가 상기 데이타라인쌍에 연결되어 있고, 이 입력드라이버가 입력드라이버 활성화신호를 받아 동작하여 상기 제1, 제2데이타라인의 각각에 입력할 데이타의 논리값에 대응되는 값을 입력하는 입력동작의 특징을 갖는 반도체 메모리장치에 있어서, 데이타의 입력을 정의하는 모드신호에 응답하여 입력모드를 결정하는 마스터클럭과 순차지연되는 데이타버스 제어클럭 및 컬럼선택게이트 제어신호가 있고 상기 입력드라이버와는 별도로 상기 데이타버스 제어클럭에 의해 제어되는 제1, 제2데이타라인과 연결되는 데이타버스 제어부가, 입력모드를 결정하는 마스터클럭의 활성화에 응답하여 순차지연된 컬럼선택게이트 제어신호 및 데이타버스 제어클럭이 인에이블되면 컬럼선택게이트 제어신호에 의해 컬럼선택게이트가 오프되어 비트라인쌍과 데이타라인쌍의 연결이 끊어지며 데이타버스 제어클럭의 신호에 응답하는 데이타버스 제어수에 의해 입력되어질 데이타의 논리값에 대응하는 값이 상기 제1, 제2데이타라인에 각각 입력된후에 상기 입력드라이버 활성화 신호에 의해 컬럼선택게이트가 온되어 비트라인쌍과 데이타라인쌍이 연결되면서 입력드라이버 활성화신호를 받는 입력드라이버에 의한 입력이 개시되는 구조로서 입력동작이 2개이상의 다른 입력제어신호 발생부와 입력제어부에 제어되는 구조를 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는, 선택제어신호의 논리 상태에 따라 외부 데이타 입력버퍼 및 내부 레지스터로부터 공급되는 외부 데이타 및 내부 데이타중 적어도 하나를 기록될 데이타로서 선택하여 상기 데이타버스 제어신호 발생부로 공급하는 데이타 선택부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 데이타 선택부는, 상기 데이타 선택제어신호의 제1상태에 응답하여 외부 데이타 입력 버퍼로부터의 데이타를 상기 데이타버스 제어신호 발생부의 데이타 입력노드로 전송하는 제1전송 게이트와, 상기 데이타 선택제어신호의 제2상태에 응답하여 내부 레지스터의 출력데이타를 상기 데이타버스 제어신호 발생부의 데이타 입력노드로 전송하는 제2전송 게이트를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950059442A 1995-12-27 1995-12-27 반도체 메모리 장치 KR0164811B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375219B1 (ko) * 2000-11-09 2003-03-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 라인 프리챠지 회로
KR100702299B1 (ko) * 1999-06-29 2007-03-30 주식회사 하이닉스반도체 컬럼 패스 회로

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KR100702299B1 (ko) * 1999-06-29 2007-03-30 주식회사 하이닉스반도체 컬럼 패스 회로
KR100375219B1 (ko) * 2000-11-09 2003-03-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 라인 프리챠지 회로

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