KR970049218A - 고tcr 저항기를 갖는 온도 보상 기준전류 발생기 - Google Patents

고tcr 저항기를 갖는 온도 보상 기준전류 발생기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고온 계수를 갖는 저항기(순수한 디지탈 CMOS기술에서 찾을수 있는 것과 같은 것)가 사용될때 온도가 보상되는 기준전류 발생기에 관한 것이다. 기본적으로, 제1및 제2공급 전압(Vdd,Gnd)간에 바이어스된 신규한 기준전류 발생기(15)는 이와 같은 저항기를 일체로 하기 때문에 그 온도 계수(TC1,TC2)가 음인 각각의 제1(11),및 제2(12)전류를 발생하는 두개의 전류원(11,12)주변에 구성된다. 상기 제2전류는 미러된후, 노드(17)에서 제1전류로 감산되어1차 전류(즉, TC=11-12)를 발생한다. 전류원 파라메타를 적절히 설계함으로서, 1차 전류(즉, TC=dI/dT)의 온도 계수가 소거 될수 있다. 이 1차 전류는 그 소스가 상기 제2공급전압(Gnd)에 접속된 다이오드-접속 FET소자(T11)의 드레인에 인가된다. 그 공통 드레인/게이트에서 이용할 수 있는 기준전압(Vref)은 그 소스가 역시 상기 제2공급 전압에 접속된 출력NFET소자(T12)의 게이트에 인가된다.(비례 인수만큼)상기 1차 전류로부터 직접 유도된 기준전류(Iref)는 상기 출력NFET소자의 드레인(14)에 출력된다. 결국, 완전한 온도 보상 기준전류(dIref/dT=0)가 달성될 수 있다.

Description

고TCR저항기를 갖는 온도 보상 기준전류 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 음(negative)의 온도 계수를 갖는 두 전류가 감산되어 기준전류 Iref가 유도되는 온도 보상 1차 전류를 발생하는, 임의의 종래 디지탈 CMOS기술로 구현되도록 적응된 본 발명의 신규한 기준전류 발생기의 회로구현을 도시하는 도면.

Claims (5)

  1. 고온 계수(TCR)를 갖는 저항기만을 제공하는 순수한 디지탈 CMOS 기술에 따라 반도체 칩에 집적된 온도 보상 기준전류 발생기 (15)에 있어서, 음(negative) 온도 계수(TC1)를갖는 제1전류(I1)를 발생하기 위한 저항기(R1)와 같은 적어도 하나의 저항기를 포함하는 제1전류원(I1);음(negative) 온도 계수(TC2)를갖는 제2전류(I2)를 발생하기 위한 저항기(R2)와 같은 적어도 하나의 저항기를 포함하는 제2전류원(I2); 다른 전류에서 한 전류를 감산하여 얻어진 1차 전류(I)를 발생하는 수단(16,17); 및 비례 인수만큼 상기 1차 전류로부터 기준전류(Iref)를 유도하는 수단(T11,T12)를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 기준전류 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 전류를 발생하는 수단은 반대 극성(-12)의 전류를 발생하기 위해 상기 제2전류를 반전시키는 미러회로(a mirroring circuit)(16);및 상기 1차 전류를 발생하기 위해 상기 반전된 제2전류와 상기 제1전류의 덧셈을 연산하느 덧셈 회로(17)를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 기준전류 발생기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 덧셈 회로는 상기 제1전류가 소스 전류로 인가되고 제2전류가 싱크 전류(a sink current)로 인가되는 도팅 노드(a dotting node)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 보상 기준전류 발생기.
  4. 상기 어느 한 항에 있어서, 상기 1차 전류의 온도 의존성을 측정하는 파라메타 TC=dI/dT는 제로와 같은 것을 특징으로 하는 온도 보상 기준전류 발생기.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어는 한 항에 있어서, 상기 1차 전류의 온도 의존성을 측정하는 파라메타 TC=dI/dT는 양(positive)또는 음(negative)중 어느 하나로 되는 것을 특징으로 하는 온도 보상 기준전류 발생기.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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