Claims (3)
반도체소자 캐패시터 제조방법에 있어서, MOS트랜지스터가 구비된 반도체기판의 상부에 제1 산화막과, 질화막을 적층하는 단계와, 저장전극 콘택 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 질화막과 제1 산화막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체 구조의 상부에 제1 폴리실리콘층, 제2 산화막, BPSG, 제3 산화막을 차례로 일정두께씩 형성하는 단계와, 상기 제3 산화막 상부에 저장전극 마스크용 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 지역의 제3 산화막, BPSG, 제2 산화막 및 제1 폴리실리콘층을 차례로 건식식각하여 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하고 상기 BPSG의 측면 일정깊이를 불산증기에서 선택적으로 제거하여 요부를 형성하는 단계와, 전체구조의 상부에 제2 폴리실리콘층을 증착하는 단계와, 상기 제1 폴리실리콘층 내지 제3 산화막의 패턴측벽에 제2 폴리실리콘 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 제3 산화막, BPSG, 제2 산화막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 제1폴리실리콘 패턴과 제2 폴리실리콘 스페이서로 이루어진 저장전극의 표면에 유전체막을 형성하는 단계와, 그 상부에 플레이트 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.A method of manufacturing a semiconductor device capacitor, comprising: depositing a first oxide film and a nitride film on an upper surface of a semiconductor substrate provided with a MOS transistor, and etching the nitride film and the first oxide film by an etching process using a storage electrode contact mask. Forming a first polysilicon layer, a second oxide film, a BPSG, and a third oxide film on top of the entire structure by a predetermined thickness; and forming a photoresist pattern for a storage electrode mask on the third oxide film. And dry etching the third oxide film, the BPSG, the second oxide film, and the first polysilicon layer in the exposed area in order to form a pattern; Forming a recess by selectively removing a layer, depositing a second polysilicon layer on top of the entire structure, and forming the first polysilicon layer through the third acid. Forming a second polysilicon spacer on the pattern sidewall of the film, removing the third oxide film, the BPSG, and the second oxide pattern, and a surface of the storage electrode including the first polysilicon pattern and the second polysilicon spacer And forming a plate electrode thereon, and forming a dielectric film thereon.
제1항에 있어서, 상기 불산 증기에서 에칭을 H2O의 부분압력이 큰 상태에서 HF/H2O의 농도비가 큰조건에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.The method of claim 1, wherein the capacitor forming a semiconductor device, characterized in that for performing the etching in the hydrofluoric acid vapor in a large concentration ratio condition of HF / H 2 O in a state where the partial pressure of H 2 O is large.
제1항에 있어서, 상기 제3 산화막, BPSG, 제2 산화막 패턴을 제거할 때, 상기 제3 산화막, BPSG, 제2 산화막 패턴을 불산 증기에서 낮은 HF/H2O의 조건에서 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.The method of claim 1, wherein when the third oxide layer, the BPSG layer, and the second oxide layer pattern are removed, the third oxide layer, the BPSG layer, and the second oxide layer pattern are etched under low HF / H 2 O in hydrofluoric acid vapor. A method of forming a capacitor of a semiconductor device.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.