KR970030508A - 트렌치 dmos 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 트렌치 DMOS의 트렌치(trench)의 저면표면에 형성되는 게이트 산화막을 헝성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예의 특징은, 기판상에 열산화막, 질화막, 산화막, 그리고 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 트렌치가 형성될 영역을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트의 패턴을 이용하여 상기 산화막, 질화막, 열산화막, 그리고 상기 기판을 소정의 두께까지 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트를 제거하고 상기 트렌치를 포함하는 상기 기관전면에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막을 평탄화시키는 공정과; 상기 질화막을 제거하고 상기 트렌치내의 산화막을 소정의 두께까지 습식식각하는 공정과; 상기 트렌치의 측벽과 트렌치의 저면표면의 산화막을 포함하는 기관 전면에 열산화막을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 그리고 본 발명의 다른 일 실시예의 특징은, 기판상에 열산화막, 질화막, 산화막, 그리고 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 트렌치가 형성될 영역을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트의 패턴을 이용하여 상기 산화막, 질화막, 열산화막, 그리고 상기 기판을 소정의 두께까지 식각하는 공정과; 상기 산화막을 제거하고, 상기 트렌치의 측벽 및 저면표면상에 열산화막을 형성하는 공정과; 상기 질화막을 제거하고, 상기 트렌치 내의 열산화막을 포함하는 기판전면에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막을 평탄화시키는 공정과; 상기 트렌치내의 저면표면에 소정의 산화막을 남기는 범위내에서 상기 트렌치내의 상기 산화막을 습식식각으로 제거하는 공정과; 상기 트렌치의 측벽 및 저면표면의 산화막을 포함하는 상기 기판전면에 열산화막을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이와같은 제조 방법에 의해서 트렌치 DMOS 트랜지스터의 트렌치의 저면표면에 형성되는 게이트 산화막을 종래의 트렌치 DMOS에 비해 상대적으로 두껍게 형성할 수 있다.

Description

트렌치 DMOS 트랜지스터의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4a도 내지 제4f도는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 DMOS 트랜지스터의 게이트 산화막 형성 공정을 보여주는 순차 공정도.

제5a도 내지 제5f도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 트렌치 DMOS 트랜지스터의 게이트 산화막 형성 공정을 보여주는 순차 공정도.

Claims (2)

1. 기판(100)상에 열산화막(102), 질화막(104), 산화막(106), 그리고 포토레지스트(108)를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(108)를 트렌치가 형성될 영역을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포트레지스트의 패턴을 이용하여 상기 산화막(106), 질화막(104), 그리고 열산화막(102)을 순차적으로 식각하는 공정과; 트렌치가 형성될 영역의 상기 기판(100)을 소정의 두께까지 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트(108)를 제거하고 상기 트렌치(110)를 포함하는 상기 기판전면에 산화막(112)을 형성하는 공정과; 상기 산화막(112)을 평탄화시키는 공정과; 상기 질화막(104)을 제거하고 상기 트렌치(110)내의 상기 산화막(112)을 소정의 두께까지 습식식각하는 공정과; 상기 트렌치(110)의 측벽과 저면표면의 산화막(112)을 포함하는 기판전면에 열산화막(114)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS트랜지스터의 제조 방법.
2. 기판(100)상에 열산화막(102), 질화막(104), 산화막(106), 그리고 포토레지스트(108)를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(108)를 트렌치가 형성될 영역을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트의 패턴을 이용하여 상기 산화막(106), 질화막(104), 그리고 열산화막(102)을 순차적으로 식각하는 공정과; 트렌치가 형성될 영역의 상기 기판(100)을 소정의 두께까지 식각하는 공정과; 상기 산화막(106)을 제거하고, 상기 트렌치(110)의 측벽 및 저면표면상에 열산화막(103)을 형성하는 공정과; 상기 질화막(102)을 제거하고, 상기 트렌치(110)내의 열산화막(103)을 포함하는 기판전면에 산화막(112)을 형성하는 공정과; 상기 산화막(112)을 평탄화시키는 공정과; 상기 트렌치(110)내의 저면표면에 소정의 열산화막(103) 및 산화막(112)을 남기는 범위내에서 상기 트렌치(110)내의 상기 산화막(112)을 습식식각으로 제거하는 공정과; 상기 트렌치(110)의 측벽 및 저면표면의 산화막(112)을 포함하는 상기 기판전면에 열산화막(114)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 트랜지스터의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.