KR970029873A - 불휘발성 반도체 메로리장치의 프로그램전압 발생장치 및 소거전압 발생장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 메로리장치의 프로그램전압 발생장치 및 소거전압 발생장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야; 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제; 공정의 변화에 무관하게 프로그램을 수행할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 프로그램 전압 발생장치와 프로그램 전압 발생방법 및 소거전압 발생회로를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지; 프로그램전압이 발생되는 프로그램 동작과 프로그램 검증동작이 연속적으로 행해지는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 전압 발생방법에 있어서: 상기 프로그램전압은 소정 전압 범위내에서 서로 다른 두가지 폭을 가지고 순차적으로 증가시킨 후 일정레벨 즉 메모리 쎌들의 게이트 산화막과 정션의 파괴를 방지하는 레벨에서 유지됨을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도; 불휘발성 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메로리장치의 프로그램전압 발생장치 및 소거전압 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 프로그램 전압 발생회로를 나타낸 도면.

Claims (15)

  1. 다수의 플로팅게이트형의 메모리쎌들과, 선택된 복수개의 메모리쎌들을 프로그램하기 위한 프로그램수단과, 상기 선택된 복수개의 메모리쎌들이 성공적으로 프로그램되었는지를 판단하기 위한 프로그램 검증수단을 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치에 있어서, 프로그램후 상기 선택된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되지 아니하였을 때마다 프로그램 전압이 소정 전압의 범위내에서 순차적으로 증가하도록 상기 프로그램 전압의 레벨을 검출하거나 상기 프로그램 전압레벨의 변화폭을 가변적으로 변경하여 증가하도록 상기 프로그램 전압의 레벨을 검출하기 위한 트리밍 회로와, 상기 트리밍회로의 프로그램 전압레벨의 변화폭을 임의대로 제어하기 위해 상기 트리밍회로의 저항분배 비율을 조정하는 트리밍제어회로와, 상기 검출된 레벨과 기준전압 발생기로 부터의 기준전압을 비교하고 비교신호를 발생하기 위한 비교회로와, 상기 비교회로로 부터의 비교신호에 응답하여 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로를 제어하기 위한 상기 프로그램 전압레벨의 승압된 레벨을 제공하기 위한 펌핑회로와, 상기 프로그램 전압의 순차적인 증가나 가변적인 증가 두 방법 중 하나를 선택하기 위해 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로사이에 접속된 퓨즈회로부를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트리밍회로는 프로그램전압 발생단자와 접지전압 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항과, 상기 프로그램 전압을 순차로 증가하기 위하여, 상기 복수개의 저항을 각각 바이패스하기 위한 복수개의 트랜지스터들로 구정됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트리밍제어회로는 상기 트리밍회로의 검출레벨단자와 접지전압 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항가, 상기 프로그램 전압을 저항분배를 이용하여 가변적으로 증가하기 위하여, 상기 복수개의 저항을 각각 바이패스하기 위한 복수개의 트랜지스터들로 구정됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 프로그램전압 발생장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로는 상기 프로그램 전압을 소정폭을 가진 전압으로 증가하도록 복수개의 바이패스 수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수개의 바이패스 수단과 접속되고 상기 프로그램 전압을 순차로 증가하기 위한 트리밍회로 발생회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생장치.
  6. 프로그램전압이 발생되는 프로그램 동작과 프로그램 검증동작이 연속적으로 행해지는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생방법에 있어서; 상기프로그램 전압은 소정 전압 범위내에서 서로 다른 두가지 폭을 가지고 순차적으로 증가시킨후 일정레벨을 유지함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 일정레벨 메모리 쎌들의 게이트 산화막과 정션의 파괴를 방지하는 레벨에서 정해짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소정전압의 범위는 대략 15볼트에서 20볼트임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램전압 발생방법.
  9. 다수의 플로팅게이트형의 메모리쎌들과, 선택된 복수개의 메모리쎌들을 소거하기 위한 소거수단과, 상기 선택된 복수개의 메모리쎌들이 성공적으로 소거되었는지를 판단하기 위한 소거 검증수단을 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치에 있어서, 소거후 상기 선택된 메모리 쎌들이 성공적으로 소거되지 아니하였을 때마다 소거전압의 소정 전압의 범위내에서 순차적으로 증가하도록 상기 소거 전압의 레벨을 검출하거나 상기 소거전압 레벨의 변화폭을 가변적으로 변경하여 증가하도록 상기 소거 전압의 레벨을 검출하기 위한 트리밍 회로와, 상기 트리밍회로의 소거전압레벨의 변화폭을 임의대로 제어하기 위해 상기 트리밍회로의 저항분배 비율을 조정하는 트리밍제어회로와, 상기 검출된 레벨과 기준전압 발생기로 부터의 기준전압을 비교하여 비교신호를 발생하기 위한 비교회로와, 상기 비교회로로 부터의 비교신호에 응답하여 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로를 제어하기 위한 상기 소거전압 레벨의 승압된 레벨을 제공하기 위한 펌핑회로와, 상기 소거전압의 순차적인 증가나 가변적인 증가 두 방법 중 하나를 선택하기 위해 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로사이에 접속된 퓨즈회로부를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 트리밍회로는 소거전압발생단자와 접지전압 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항과, 상기 소거전압을 순차로 증가하기 위하여, 상기 복수개의 저항을 각각 바이패스하기 위한 복수개의 트랜지스터들로 구정됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 트리밍제어회로는 상기 트리밍회로의 검출레벨단자와 접지전압 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항과, 상기 소거전압을 저항분재를 이용하여 가변적으로 증가하기 위하여, 상기 복수개의 저항을 각각 바이패스하기 위한 복수개의 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 트리밍회로와 상기 트리밍제어회로는 상기 소거전압을 소정폭을 가진 전압으로 증가하도록 복수개의 바이패스 수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복수개의 바이패스 수단과 접속되고 상기 소거전압을 순차로 증가하기 위한 트리밍신호 발생회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생장치.
  14. 소거전압이 발생되는 소거 동작과 소거검증 동작이 연속적으로 행해지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생방법에 있어서, 상기 소거전압은 소정 전압 범위내에서 서로 다른 두가지 폭을 가지고 순차적으로 증가시킨후 일정레벨을 유지함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 소정전압의 범위는 대략 15볼트에서 20볼트임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 소거전압 발생방법.
KR1019950040991A 1995-11-13 1995-11-13 불휘발성반도체메모리장치의프로그램전압발생장치및소거전압발생장치 KR100192567B1 (ko)

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