KR970029759A - 반도체 메모리 회로 - Google Patents
반도체 메모리 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970029759A KR970029759A KR1019950040209A KR19950040209A KR970029759A KR 970029759 A KR970029759 A KR 970029759A KR 1019950040209 A KR1019950040209 A KR 1019950040209A KR 19950040209 A KR19950040209 A KR 19950040209A KR 970029759 A KR970029759 A KR 970029759A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- standby
- voltage
- standby mode
- transistor
- internal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
본 발명의 반도체 메모리회로는, 스탠바이 모드를 검출하여 하이신호를 출력하는 스탠바이 모드 검출부와, 상기 스탠바이 모드 검출부의 출력을 입력으로 하여 스탠바이 모드 검출시 메모리 내부 회로에 인가되는 전압을 일정하게 낮추어 스탠바이 전압을 생성하는 스텝다운 전압 발생부와, 상기 스탠바이 모드 검출시 외부전원을 차단하여 상기 스탠바이 전압을 메모리 내부 회로의 구동전원으로 인가되도록 하고, 액티브 모드시에는 상기 스탠바이 전압을 차단하고 상기 메모리 내부 회로에 외부전원이 구동전원으로 인가되도록 제어하기 위한 내부구동전압 제어부를 포함하여 구성되며, 스탠바이 모드에서 구동전압을 낮추기 때문에 로드레지스터를 통해서 흐르는 셀의 스탠바이 전류를 줄일 수 있으며, 칩 내부에서 제어가 가능하므로 반도체 소자를 제어하기 위한 부가회로가 필요없으며 전체 시스템의 구성이 용이한 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 메모리회로도.
Claims (4)
- 스탠바이 모드를 검출하여 하이신호를 출력하는 스탠바이 모드 검출부와, 상기 스탠바이 모드 검출부의 출력을 입력으로 하여 스탠바이 모드 검출시 메모리 내부 회로에 인가되는 전압을 일정하게 낮추어 스탠바이 전압을 생성하는 스텝다운 전압 발생부와, 상기 스탠바이 모드 검출시 외부전원을 차단하여 상기 스탠바이 전압을 메모리 내부 회로의 구동전원으로 인가되도록 하고, 액티브 모드시에는 상기 스탠바이 전압을 차단하고 상기 메모리 내부 회로에 외부전원이 구동전원으로 인가되도록 제어하기 위한 내부구동전압 제어부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리회로.
- 제1항에 있어서, 상기 스텝다운 전압 발생부는, 게이트에 상기 스탠바이 모드 검출부의 출력이 인가되도록 연결되며, 하이신호가 인가되면 온되어 스탠바이 전압을 발생시키도록 하는 스탠바이 엔모스 트랜지스터와, 엑티브 상태에서 오프되어 스탠바이 전압 발생을 차단하는 스탠바이 피모스 트랜지스터와, 상기 스탠바이 엔모스 트랜지스터에 직렬로 연결되어 노드 P의 인가전압을 각각의 문턱전압의 합만큼 낮추는 레지스터 엔모스 트랜지스터들과, 상기 노드 P와 게이트가 연결되며 소스, 드레인간 전위차가 일정하여 상기 레지스터 엔모스 트랜지스터들의 문턱전압을 일정하게 유지하도록 하는 엔모스 트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리회로.
- 제1항에 있어서, 상기 내부구동전압 제어부는, 스탠바이 모드시 외부전원을 차단하기 위한 액티브 피모스트랜지스터와, 상기 스탠바이 모드 검출부의 출력반전신호에 따라 액티브 모드시 상기 스탠바이 전압을 차단하기 위한 피모스 트랜지스터 및 엔모스 트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리회로.
- 제2항에 있어서, 상기 스탠바이 피모스 트랜지스터는 상기 스텝다운 전압발생부에 흐르는 전류량을 줄이기 의해 롱채널 피모스 트래지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리회로.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040209A KR970029759A (ko) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 반도체 메모리 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040209A KR970029759A (ko) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 반도체 메모리 회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970029759A true KR970029759A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950040209A KR970029759A (ko) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 반도체 메모리 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970029759A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574243B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2006-07-21 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | Dram에서 감소된 대기 전력 소모 |
-
1995
- 1995-11-08 KR KR1019950040209A patent/KR970029759A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574243B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2006-07-21 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | Dram에서 감소된 대기 전력 소모 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0158478B1 (ko) | 반도체 메모리장치의 기판전압 조절회로 | |
| KR970700395A (ko) | 고전압 검출을 이용한 항복 방지용 회로(breakdown protection circuit using high voltage detection) | |
| KR960043513A (ko) | 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생 회로 | |
| KR970003191A (ko) | 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로 | |
| KR970051206A (ko) | 저전력용 센스앰프회로 | |
| KR930003147A (ko) | 반도체 메모리 장치의 센프앰프 제어회로 | |
| KR970012752A (ko) | 반도체 집적회로 | |
| KR930005029A (ko) | 내부 전원 강압 회로 | |
| KR960025746A (ko) | 반도체 메모리장치의 전원승압회로 | |
| KR0142967B1 (ko) | 반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로 | |
| KR100234389B1 (ko) | 전압 검출 회로 | |
| KR960042726A (ko) | 외부제어신호에 적응 동작하는 승압회로를 갖는 반도체 메모리 장치 | |
| KR970029739A (ko) | 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 | |
| KR970051107A (ko) | 내부전원전압 공급장치 | |
| KR970029759A (ko) | 반도체 메모리 회로 | |
| KR970007378A (ko) | 반도체 메모리 장치의 전원 전압 검출 회로 | |
| KR970017589A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 | |
| KR960038968A (ko) | 반도체 메모리장치의 전원전압발생회로 | |
| KR960002755A (ko) | 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로 | |
| KR970003253A (ko) | 반도체 메모리 장치의 고전압 스위치 회로 | |
| KR970003189A (ko) | 복수의 접지전원을 갖는 반도체 메모리장치 | |
| KR0143575B1 (ko) | 기준전압 발생 회로 | |
| KR100256125B1 (ko) | Vbb 발생장치 | |
| KR970076798A (ko) | 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생회로 | |
| KR950002018A (ko) | 반도체집적회로의 전원전압 레귤레이터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |