KR970024310A - 콘택층을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 콘택층을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, Si-Ge 막으로 콘택층을 형성하는 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 게이트 전극을 형성하고 절연막 및 비정질 실리콘을 증착하고 실란, 게르만, 수소화인 및 수소를 증착하여 Si-Ge 막을 형성하고 Si-Ge 막 및 비정질 실리콘을 식각하고 도전 물질을 적층하고 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하고 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 Si-Ge 막을 식각한다. 따라서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에서는 콘택층을 Si-Ge 막으로 형성하여 반도체층과의 접면에서 식각 선택비가 우수여 안정된 식각 공정을 행할 수 있고, 결과적으로 에치 백 구조에서도 균일한 활성채널을 형성하여 소자 특성을 구현할 수 있다.

Description

콘택층을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가) 내지 (마)는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 구조를 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.

Claims (16)

  1. 반도체층과 금속 전극의 전기적 접촉을 향상시키는 콘택층을 가지는 박막 트랜지스터의 콘택층 제조 방법으로서, 상기 콘택층은 게르만, 실란, 수소화인 및 수소의 혼합 가스를 증착하여 형성하는 박막 트랜지스터의 콘택층 제조 방법.
  2. 제1항에서, 상기 Si-Ge 막은 PECVD로 형성하는 박막 트랜지스터의 콘택층 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에서, 상기 수소는 상기 실란에 비하여 50배 이상으로 하는 박막트랜지스터의 콘택층 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에서, 상기 게르만은 상기 게르만에 비하어 1/20 이하로 하는 박막트랜지스터의 콘택층 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에서, 상기 반도체층은 비정질 실리콘층으로 이루어진 박막 트랜지스터의 콘택층 제조 방법.
  6. 반도체층과 금속 전극 사이에 형성되어 있는 박막 트랜지스터의 콘택층으로서, 불순물이 함유된 게르마늄과 실리콘을 포함하는 박막 트랜지스터의 콘택층.
  7. 제6항에서, 상기 반도체층은 비정질 실리콘층으로 이루어진 박막 트랜지스터의 콘택층.
  8. 제6항에서, 상기 게르마늄과 실리콘은 미세결정화된 박막 트랜지스터의 콘택층.
  9. 제6항에서, 상기 게르마늄은 상기 실리콘의 1/3 이하인 박막 트랜지스터의 콘택층.
  10. 제9항에서, 상기 게르마늄과 상기 실리콘의 비는 3 : 7인 박막 트랜지스터의 콘택층.
  11. 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 절연막 및 비정질 실리콘을 증착하는 단계, 실란, 게르만, 수소화인 및 수소를 증착하여 Si-Ge 막을 형성하는 단계, Si-Ge 막 및 비정질 실리콘을 식각하는 단계, 도전 물질을적층하고 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계, 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 Si-Ge 막을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  12. 제11항에서, 상기 Si-Ge 막은 PECVD로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에서, 상기 수소는 상기 실란에 비하여 50배 이상으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  14. 제11항 또는 제12항에서, 상기 게르만은 상기 실란에 비하여 1/20 이하로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  15. 제11항에서, 상기 Si-Ge 막을 식각할 때 식각액으로 HNO3, H2O, HF의 혼합용액을 사용하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  16. 제11항에서, 상기 게르만의 양을 미세하게 조절하기 위한 콘트롤러를 이용하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950038697A 1995-10-31 1995-10-31 콘택층을 가지는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 KR100200346B1 (ko)

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