KR970023366A - 반도체 장치의 승압(voltage boosting)방법 - Google Patents

반도체 장치의 승압(voltage boosting)방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 승압방법에 관해 개시한다. 종래에는 메모리 셀의 워드라인에 걸리는 승압된 전압을 유지하기 위하여 링발진기를 사용하여 전력소모를 증대시키고 반도체 장치의 집적도를 저하시켰다. 그러나 본 발명은 PBBOST펄스신호를 이용하여 워드라인의 승압된 전압을 유지함으로써 전력소모를 감소시키고 또한 집적도를 증가시킬 수가 있다.

Description

반도체 장치의 승압(voltage boosting) 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 승압방법을 설명하기 위한 회로도.

Claims (3)

  1. 입력신호와 승압신호를 입력단으로 갖는 승압회로, 워드라인 구동회로, 및 메모리셀이 순차적으로 연결된 반도체 장치의 승압방법에 있어서, 테이터를 저장하기 위하여 상기 입력신호가 디세이블되는 단계; 상기 입력 신호에 의해 메모리셀의 워드라인에 제1전원전압이 인가되는 단계; 상기 입력신호가 디세이블 상태에서 인에이블되는 단계; 상기 인에이블된 입력신호에 의해 상기 승압신호에 펄스신호가 인가되는 단계; 및 상기 승압신호의 펄스신호에 의해 상기 워드라인이 제1전원전압에서 제2전원전압으로 승압되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 승압방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전원전압은 Vcc전압인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 승압방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 승압신호의 펄스신호는 최단펄스신호인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 승압방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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