KR970018153A - 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath) - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath) Download PDF

Info

Publication number
KR970018153A
KR970018153A KR1019950028781A KR19950028781A KR970018153A KR 970018153 A KR970018153 A KR 970018153A KR 1019950028781 A KR1019950028781 A KR 1019950028781A KR 19950028781 A KR19950028781 A KR 19950028781A KR 970018153 A KR970018153 A KR 970018153A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
wafer
semiconductor
final rinse
rinse bath
Prior art date
Application number
KR1019950028781A
Other languages
English (en)
Inventor
정재덕
이동희
박준기
전재우
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950028781A priority Critical patent/KR970018153A/ko
Publication of KR970018153A publication Critical patent/KR970018153A/ko

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정중 웨이퍼(WAFER) 세정(CLEAN) 및 습식식각(WET ETCH) 후 웨이퍼에 잔류하는 약품(CHEMICAL) 성분을 제거하기 위해 마련되는 세척조에 관한 것으로 좀더 상세하게는, 설비의 운전중 세척조가 임의의 각으로 기울어 수준면(LEVEL)의 변동이 발생하여도 세척수의 와류현상 감소와 균일한 오버 플로우(OVER FLOW)가 유지되게 하여 세척수내의 순도(PURITY) 향상을 위한 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(FINAL RINSE BATH)에 관한 것으로 반도체 제조 공정에 적용되어 웨이퍼의 세정기능을 갖도록 구비된 최종 세척조에 있어서, 상기 세척조의 평 선단면이 임의의 각도(a)와 임의의 모양으로 요홈부를 형성하도록 커팅처리됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 세척조에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼 세정용 세척조(FINAL RINSE BATH)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정용 세척조의 일 실시예 구성을 도시한 사시도.

Claims (2)

  1. 반도체 제조 공정에 적용되어 웨이퍼의 세정기능을 갖도록 구비된 최종 세척조에 있어서, 상기 세척조의 평 선단면이 임의의 각도(α)와 임의의 모양으로 요홈부를 형성하도록 커팅처리됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(FINAL RINSE BATH).
  2. 제1항에 있어서, 상기 요홈부(110)는 V형으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(FINAL RINSE BATH).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950028781A 1995-09-04 1995-09-04 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath) KR970018153A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950028781A KR970018153A (ko) 1995-09-04 1995-09-04 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950028781A KR970018153A (ko) 1995-09-04 1995-09-04 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970018153A true KR970018153A (ko) 1997-04-30

Family

ID=66597146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950028781A KR970018153A (ko) 1995-09-04 1995-09-04 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath)

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970018153A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020582A (ko) 반도체소자 제조공정의 비아 콘택형성방법
KR970013087A (ko) 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치
KR970018153A (ko) 반도체 웨이퍼 세정용 세척조(final rinse bath)
US20020078978A1 (en) Particle barrier drain
KR970067684A (ko) 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치
KR980006061A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 제조방법
KR950027976A (ko) 반도체 소자의 트렌치 세정 방법
KR970067696A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR950001950A (ko) 웨이퍼의 친수성화에 의한 산화막 형성방법
KR950007006A (ko) 반도체 소자의 웰 크린닝 공정방법
US20040077172A1 (en) Wet etching narrow trenches
KR19980022890A (ko) 반도체 웨이퍼 케미컬 배스
KR970077270A (ko) 반도체 웨이퍼 세척용 배스(Bath)
CN110838436A (zh) 一种湿制程工艺及应用
KR940008005A (ko) 반도체 웨이퍼 크리닝 방법
KR960026549A (ko) 반도체 장치의 소자분리막 형성 방법
KR970003551A (ko) 반도체소자의 패턴 형성방법
KR920015466A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970030425A (ko) 반도체 소자의 클리닝 방법
JPH118303A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960026122A (ko) 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법
KR940016537A (ko) 반도체 웨이퍼 세정방법
KR980005550A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR19980050648U (ko) 반도체의 웨트 스테이션 보트
KR19990027797U (ko) 반도체 웨이퍼 린스장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination