KR970067696A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자 제조 방법 Download PDF

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KR970067696A
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cleaning
semiconductor device
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KR1019960007032A
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Inventor
나우균
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 BPSG막을 증착하고 플로우시키는 단계; 및 습식식각으로 상기 플로우된 BPSG막을 전면 에치백하고 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 첫째 공정의 간소화를 가져와 공정시간이 짧아짐으로써 반도체 생산력을 증대시키며, 둘째 습식 및 건식을 번갈아가며 실시하기위해 웨이퍼의 운반이 잦았던 종래기술에 비해 습식 장치에서 전면식각 및 세정을 동시에 실시하여 웨이퍼 이송에 따른 웨이퍼 파손 등의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 반도체 소자 제조 방법에 있어서, BPSG막을 증착하고 플로우시키는 단계; 및 습식식각으로 상기 플로우된 BPSG막을 전면 식각 및 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 BPSG막의 습식 전면 식각은 NH4F : HF = 9 : 1의 BOE 캐미컬을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 BPSG막의 습식 전면 식각은 불산 캐미컬을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정시의 캐미컬은 H2SO4+ H2O2및 NH4OH용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전면 식각 및 세정은 동일한 습식 장치(Wet Sink)에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439103B1 (ko) * 2002-07-16 2004-07-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법
KR100485186B1 (ko) * 1997-12-31 2005-08-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의평탄화막형성방법

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