KR970067696A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 BPSG막을 증착하고 플로우시키는 단계; 및 습식식각으로 상기 플로우된 BPSG막을 전면 에치백하고 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 첫째 공정의 간소화를 가져와 공정시간이 짧아짐으로써 반도체 생산력을 증대시키며, 둘째 습식 및 건식을 번갈아가며 실시하기위해 웨이퍼의 운반이 잦았던 종래기술에 비해 습식 장치에서 전면식각 및 세정을 동시에 실시하여 웨이퍼 이송에 따른 웨이퍼 파손 등의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 반도체 소자 제조 방법에 있어서, BPSG막을 증착하고 플로우시키는 단계; 및 습식식각으로 상기 플로우된 BPSG막을 전면 식각 및 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
- 제1항에 있어서, 상기 BPSG막의 습식 전면 식각은 NH4F : HF = 9 : 1의 BOE 캐미컬을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPSG막의 습식 전면 식각은 불산 캐미컬을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 세정시의 캐미컬은 H2SO4+ H2O2및 NH4OH용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면 식각 및 세정은 동일한 습식 장치(Wet Sink)에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960007032A KR970067696A (ko) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960007032A KR970067696A (ko) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970067696A true KR970067696A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66215680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960007032A KR970067696A (ko) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970067696A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100439103B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
KR100485186B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의평탄화막형성방법 |
-
1996
- 1996-03-15 KR KR1019960007032A patent/KR970067696A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100485186B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의평탄화막형성방법 |
KR100439103B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
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