KR970072217A - 반도체 장치의 질화막 세정방법 - Google Patents

반도체 장치의 질화막 세정방법 Download PDF

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KR970072217A
KR970072217A KR1019960013190A KR19960013190A KR970072217A KR 970072217 A KR970072217 A KR 970072217A KR 1019960013190 A KR1019960013190 A KR 1019960013190A KR 19960013190 A KR19960013190 A KR 19960013190A KR 970072217 A KR970072217 A KR 970072217A
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scrub
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KR1019960013190A
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이성희
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조방법에 있어서; 질화막을 형성한 후에 상기 질화막 세정시, 웨이퍼의 정면에 대해서만 순수(DI)를 이용한 스크럽(Scrub)을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 질화막 세정방법에 관한 것으로, 순수를 이용한 파티클 제거 공정시 후면처리를 삭제하고 전면만 세정함으로써, 후속 소자 분리를 위한 마스크 얼라인 공정시 얼라인 페일이 발생을 방지하여 재세정 또는 UV 베이크(Bake)등의 추가 공정을 진행해야 하는 번거로움을 피할 수 있어, 장비와 작업자의 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 질화막 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따라 세정된 웨이퍼 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 장치 제조방법에 있어서; 질화막을 형성한 후에 상기 질화막 세정시, 웨이퍼의 정면에 대해서만 순수(DI)를 이용한 스크럽(Scrub)을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 질화막 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 순수의 양은 50 내지 500cc/min인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 질화막 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스크럽은 브러쉬(Brush)스크럽, 디-소닉(D-Sonic)스크럽, 하이-프레스(Hi-Press) 스크럽 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 질화막 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019960013190A 1996-04-26 1996-04-26 반도체 장치의 질화막 세정방법 KR970072217A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100688711B1 (ko) * 2005-06-02 2007-03-02 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼의 세정 방법

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