KR19990027797U - 반도체 웨이퍼 린스장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 린스장치에 관한 것으로, 종래에는 외조의 하면에 초음파 발생기가 설치되어 있어서 내조에 수납되어 있는 웨이퍼의 상측에는 초음파가 전달되지 못하는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치는 외조(13)의 하면과 측면에 각각 초음파발생기(14)(20)를 설치하여, 종래와 같이 하면에만 초음파발생기를 설치하는 경우보다 린스효과가 증대되는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 린스장치

본 고안은 반도체 웨이퍼 린스장치에 관한 것으로, 특히 린스효과를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 린스장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 제조공정 중 세정공정에서는 증착작업을 마친 웨이퍼를 세정하게 되는데, 그 세정순서는 식각 및 이물질제거, 린스, 건조의 순서로 진행된다. 이와 같은 세정공정 중 린스공정에서 사용되는 린스장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 린스장치의 구성을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 린스장치는 상측이 개구되어 있으며 린스액(1)을 수납하기 위하여 박스체로된 내조(2)와, 그 내조(2)의 외측에 일정거리를 두고 설치되는 외조(3)와, 그 외조(3)의 하면에 설치되는 초음파발생기(4)로 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 린스장치는 내조(2)의 내측에 린스액(1)이 수납되어 있는 상태에서 웨이퍼들을 내조(2)의 내측에 담그고 일정시간 지체시켜서 전공정인 식각공정에 웨이퍼들에 묻어 있는 케미컬이 씻겨지도록 한다.

상기와 같이 린스작업이 진행되는 동안 내조(2)의 린스액(1)은 외조(3)로 오버플로우되고, 외조(3)로 오버플로우된 린스액(1)은 싱크대(미도시)로 드레인된다.

또한, 외주(3)의 하면에 설치되어 있는 초음파발생기(4)에서는 상기와 같이 린스작업이 진행되는 동안 내조(2)의 내측에 수납되어 있는 웨이퍼들에 초음파를 발생시켜서 웨이퍼에 부착되어 있는 케미컬의 제거효과를 증대시킨다.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 린스장치는 초음파발생기(4)가 외조의 하면에 설치되어 있어서 내조(2)에 수납되는 웨이퍼들의 하측에는 초음파가 전달이 되나 웨이퍼들의 상측까지 골고루 전달이 되지 못하여 린스효과를 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 린스작업시 내조의 내측에 수납되는 웨이퍼들의 전면에 골고루 초음파가 전달이 되어 세정효과를 증대시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 린스장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 린스장치의 구성을 보인 종단면도.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치의 구성을 보인 종단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

12 : 내조13 : 외조

14, 20 : 초음파발생기

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 내조의 외측 하부에 외조가 설치되어 있고, 그 외조의 하면에 초음파발생기가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 린스장치에 있어서, 상기 외조의 외측면에 각각 초음파발생기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 린스장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치의 구성을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치는 상측이 개구되고 린스액(11)을 수납하기 위한 박스체인 내조(12)와, 그 내조(12)의 외측 하부에 설치되는 외조(13)와, 그 외조(13)의 하면에 설치되는 초음파발생기(14)로 구성되어 있다.

그리고, 상기 외조(13)의 외측면에도 각각 초음파를 발생시키기 위한 초음파발생기(20)를 설치하여, 린스작업시 외조(13)의 하면 및 외측면에서 초음파발생기(14)(20)를 통하여 내조(12)의 내측으로 초음파를 발생시킬 수 있도록 되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치는 내조(12)의 내측에 린스액(11)이 수납되어 있는 상태에서 내조(12)의 내측에 웨이퍼들을 담그고 일정시간 지체하여 웨이퍼에 묻어 있는 케미컬이 제거되도록 하며, 공정진행시 상기 내조(12)에 수납되어 있는 린스액(11)은 외조(13)로 오버플로우되고, 외조(13)로 오버플로우된 린스액(11)은 싱크대(미도시)로 드레인되는 것은 종래와 유사하다.

여기서, 본 고안은 상기 외조(13)의 하면에 초음파발생기(14)가 설치되어 있을뿐아니라, 측면에도 각각 초음파발생기(20)가 설치되어 있으므로, 린스작업시 내조(12)의 내측에 수납되는 웨이퍼들의 하측과 상측에 균일하게 초음파가 전달이되며 린스가 진행되게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 린스장치는 외조의 하면과 측면에 각각 초음파발생기를 설치하여, 종래와 같이 하면에만 초음파발생기를 설치하는 경우보다 린스효과가 증대되는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 내조의 외측 하부에 외조가 설치되어 있고, 그 외조의 하면에 초음파발생기가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 린스장치에 있어서, 상기 외조의 외측면에 각각 초음파발생기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 린스장치.