KR200248000Y1 - 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로서, 내측으로 웨이퍼(W)가 투입되며, 세정액이 공급되어 웨이퍼(W)의 세정이 진행되는 내부베스(10); 내부베스(10)의 외측에 설치되며 내부베스(10)로부터 공급되는 세정액이 오버 플로우되어 유입되는 외부베스(20); 내부베스(10)의 하측에 설치되며, 내측에 세정액이 저장되는 세이프티베스(30); 및 세이프티베스(30)의 하측에 설치되되 한 개로써 일체로 형성되며, 세이프티베스(30)에 저장된 세정액을 매개로 하여 내부베스(10)에 투입된 모든 웨이퍼(W)에 균일하게 초음파를 발생시키는 메가소닉 발진기(40)를 포함하는 것으로서, 웨이퍼를 세정시 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 초음파가 균일하게 도달하도록 하여 웨이퍼마다 균일한 세정을 수행하도록 함으로써 웨이퍼의 세정효과를 극대화시키는 효과를 가지고 있다.

Description

웨이퍼 세정장치{APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER}

본 고안은 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 세정시 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 초음파가 균일하게 도달하도록 하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자는 확산 공정, 식각 공정, 화학기상증착 공정, 세정 공정 등 다양한 단위 공정을 진행함으로써 제조된다.

이러한 단위 공정중에서 가장 기본적인 공정중의 하나인 세정 공정은 반도체 소자를 제조하기 위해서 수행되어지는 여러 단계의 공정에서 웨이퍼에 부착된 각종오염물을 제거하기 위한 공정이다.

세정 공정을 수행하는 세정 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 세정 장치를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 세정 장치는 웨이퍼(W)가 투입되며 세정액의 공급을 받아 웨이퍼(W)의 세정이 진행되는 내부베스(1)와, 내부베스(1)의 외측에 설치되며 내부베스(1)로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액이 유입되는 외부베스(2)와, 내부베스(1)의 하측에 설치되며 내부베스(1) 및 외부베스(2)로부터 세정액이 유출시 유출되는 세정액을 저장하는 세이프티베스(safety bath;3)와, 세이프티베스(3)의 하측에 설치되며 내부베스(1)에 투입된 웨이퍼(W)에 초음파를 전달하여 웨이퍼(W)의 세정을 촉진시키는 메가소닉 발진기(4)를 포함한다.

내부베스(1)에는 수직방향으로 상하로 이동하며 일정 갯수의 웨이퍼(W)를 장착한 웨이퍼 가이드(5)에 의해 상측으로부터 웨이퍼(W)가 투입되며, 투입된 웨이퍼(W)의 세정을 위해 약액세정, 린스세정, 최종린스세정 등 세정의 단계마다 약액(chemical) 또는 초순수 등의 세정액이 내부로 공급된다.

외부베스(2)는 내부베스(1)로부터 오버 플로우되는 세정액이 유입되며, 유입된 세정액을 외부로 배출시킨다.

세이프티베스(3)는 후술하는 메가소닉 발진기(4)로부터 발생되는 초음파가 내부베스(1)에 투입된 웨이퍼(W)에 전달할 수 있도록 내측에 세정액, 특히 초순수가 저장된다. 또한, 내부베스(1) 및 외부베스(2)로부터 세정액이 유출시 이로 인한장비의 손상을 방지하기 위하여 유출되는 세정액을 저장한다.

메가소닉 발진기(4)는 세이프티베스(3)의 하측에 설치되되, 두 개의 메가소닉 발진기(4)가 일정한 간격의 갭(gap;d)을 두고 설치된다. 이 메가소닉 발진기(4)는 웨이퍼(W)를 초순수로 린스 처리하여 웨이퍼(W)에 부착된 오염물질을 제거할 때 초음파를 발생시킴으로써 웨이퍼(W)의 세정효과를 촉진시킨다.

이와 같은 종래의 세정장치는 세이프티베스(3)의 하측에 설치되는 두 개의 메가소닉 발진기(4) 사이에 일정한 갭(d)이 형성되어 있어서 메가소닉 발진기(4)가 웨이퍼(W)에 초음파를 전달시 두 개의 메가소닉 발진기(4)에 의해 형성된 갭(d)의 상측에 위치하는 웨이퍼(W)에는 메가소닉 발진기(4)의 수직 상방향에 위치하는 웨이퍼(W)와 달리 초음파가 미약하게 전달된다.

따라서, 두 개의 메가소닉 발진기(4) 사이의 갭(d)에 해당하는 웨이퍼(W)는 다른 웨이퍼(W)들에 비해 세정 효과가 떨어지는 문제점을 가지고 있었다. 또한 이와 같은 이유로 인해 두 개의 메가소닉 발진기(4) 사이의 갭(d)에 해당하는 웨이퍼(W)의 세정효과를 극대화시키기 위해 메가소닉 발진기(4)의 초음파의 강도를 높이면 강한 초음파에 의해 다른 웨이퍼(W)들은 패턴상의 손상을 초래하는 문제점을 가지고 있다.

본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 웨이퍼를 세정시 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 초음파가 균일하게 도달하도록 하여 웨이퍼마다 균일한 세정을 수행하도록 함으로써 웨이퍼의 세정효과를 극대화시키는 웨이퍼 세정장치를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 내측으로 웨이퍼가 투입되며, 세정액이 공급되어 웨이퍼의 세정이 진행되는 내부베스; 내부베스의 외측에 설치되며 내부베스로부터 공급되는 세정액이 오버 플로우되어 유입되는 외부베스; 내부베스의 하측에 설치되며, 내측에 세정액이 저장되는 세이프티베스; 및 세이프티베스의 하측에 설치되되 한 개로써 일체로 형성되며, 세이프티베스에 저장된 세정액을 매개로 하여 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 균일하게 초음파를 발생시키는 메가소닉 발진기를 포함하는 것을 특징으로 한다.

도 1은 종래의 세정장치를 도시한 단면도이고,

도 2는 본고안에 따른 세정장치를 도시한 단면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

10 ; 내부베스 20 ; 외부베스

30 ; 세이프티베스(safety bath) 40 ; 메가소닉 발진기

50 ; 웨이퍼 가이드

이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 고안에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이퍼 세정장치는 크게 내부베스(10)와, 외부베스(20)와, 세이프티베스(safety bath;30)와, 메가소닉 발진기(40)를 포함한다.

내부베스(10)는 웨이퍼(W)가 투입되며, 하측에 연결된 세정액 공급파이프(미도시 됨)로부터 세정액이 공급되어 웨이퍼(W)의 세정이 진행된다. 이러한 내부베스(10)에 웨이퍼(W)가 투입되기 위하여 수직방향으로 이동하는 웨이퍼 가이드(50)가 웨이퍼(W)를 장착한 상태에서 내부베스(10)의 내측으로 이동하게 된다.

외부베스(20)는 내부베스(10)의 외측에 설치되며, 내부베스(10)로부터 공급되는 세정액이 오버 플로우(over flow)되어 유입된다. 외부베스(20) 내로 유입된 세정액은 외부로 배출되며, 필요에 따라 회수되어 재사용된다.

세이프티베스(30)는 메가소닉 발진기(40)로부터 발생되는 초음파가 내부베스(10)에 투입된 웨이퍼(W)에 전달할 수 있도록 내측에 세정액, 특히 초순수가 저장된다. 또한, 내부베스(10) 및 외부베스(20)로부터 세정액이 유출시 이로 인해 장비가 손상됨을 방지하기 위하여 유출되는 세정액을 저장한다.

메가소닉 발진기(40)는 세이프티베스(30)의 하측에 설치되어 세이프티베스(30)에 저장된 세정액을 매개로 하여 내부베스(10)에 투입된 웨이퍼(W)에 초음파를 발생시킴으로써 웨이퍼(W)의 세정효과를 촉진시킨다.

이러한 메가소닉 발진기(40)는 한 개로써 일체로 형성되며, 내부베스(10)에 투입된 모든 웨이퍼(W)에 균일하게 초음파를 발생시킨다.

즉, 한 개의 일체로 형성된 메가소닉 발진기(40)로부터 발생된 초음파는 세이프티베스(30)에 저장된 세정액을 통과하여 내부베스(10)의 내측에 투입된 웨이퍼(W) 전체에 일정하게 도달하게 되며, 이로 인해 내부베스(10)에서 세정을 수행하는 모든 웨이퍼(W)가 균일하게 세정되도록 한다.

따라서, 균일한 웨이퍼(W)의 세정을 위해 과도하게 메가소닉 발진기(40)의 출력을 증가시킬 필요가 없게 됨으로써 종래에 비해 웨이퍼(W)의 패턴상의 손상을 방지할 수 있다.

이와 같이, 본 고안에 따른 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼를 세정시 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 초음파가 균일하게 도달하도록 하여 웨이퍼마다 균일한 세정을 수행한다.

상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이퍼 세정장치는 웨이퍼를 세정시 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 초음파가 균일하게 도달하도록 하여 웨이퍼마다 균일한 세정을 수행하도록 함으로써 웨이퍼의 세정효과를 극대화시키는 효과를 가지고 있다.

이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 웨이퍼 세정장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (1)

1. 웨이퍼를 세정하는 장치에 있어서,

   내측으로 웨이퍼가 투입되며, 세정액이 공급되어 웨이퍼의 세정이 진행되는 내부베스;

   상기 내부베스의 외측에 설치되며 상기 내부베스로부터 공급되는 세정액이 오버 플로우되어 유입되는 외부베스;

   상기 내부베스의 하측에 설치되며, 내측에 세정액이 저장되는 세이프티베스; 및

   상기 세이프티베스의 하측에 설치되되 한 개로써 일체로 형성되며, 상기 세이프티베스에 저장된 세정액을 매개로 하여 상기 내부베스에 투입된 모든 웨이퍼에 균일하게 초음파를 발생시키는 메가소닉 발진기;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.