KR980006061A - 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980006061A KR980006061A KR1019960024312A KR19960024312A KR980006061A KR 980006061 A KR980006061 A KR 980006061A KR 1019960024312 A KR1019960024312 A KR 1019960024312A KR 19960024312 A KR19960024312 A KR 19960024312A KR 980006061 A KR980006061 A KR 980006061A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- etching
- film
- pad oxide
- nitride film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 특히 필드 산화막 형성전에 제2 절연막이 질화막의 양측벽을 가로방향으로 일정길이 식각해 줌으로써, 측벽식각된 양만큼 필드 산화막이 넓게 형성되도록 하여 후속 습식 산화막 식각단계를 거치더라도 늘어난 양만큼의 필드 산화막이 희생산화막으로 작용하여 실리콘 측벽을 따라 발생할 수 있는 필드산화막의 마이크로-트랜치 형상을 방지할 수 있게하여 반도체 소자 제조수율을 향상시킬수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 방법에 따른 반도체 소자의 소자분리막 제조 공정단계를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 실리콘 기판 상부에 패드 산화막을 형성하는 단계와, 상기 패드 산화막 상부에 질화막을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 감광막을 증착한 후 식각하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 하부 질화막과 패드 산화막을 식각하는 단계와, 상기 패드 산화막 식각후 연속하여 노출된 하부의 실리콘을 식각하여소정깊이의 트랜치를 형성하는 단계와, 상부의 감광막을 제거하는 단계와, 노출된 상기 질화막의 양측벽을 가로방향으로 일정길이 식각하는 단계와, 전체구조 상부에 소자분리용 산화막을 증착하는 단계와, 상기 소자분리용 산화막을 전면식각하되, 상기 질화막 상부표면이 노출되기까지 삭각하는 단계와, 상기 노출된 질화막을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계와, 상기 패드 산화막을 전면식각으로 제거하는 단계와, 상기 노출된 실리콘 기판을 크리닝하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 측벽을 가로방향으로 일정길이 식각할 시, 습식식각 또는 플라즈마를 사용하는 건식식각으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 질화막 측벽을 가로방향으로 식각할 시, 식각길이는 후속공정인 상기 패드 산화막을 제거하기 위한 습식식각공정과 실리콘 기판의 습식 크리닝 공정단계를 거치더라도 소자분리용 산화막에 마이크로-트랜치가 발생하지 않을 정도의 충분한 길이로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막은 전면습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 크리닝시. 습식 크리닝 처리로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자 분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024312A KR980006061A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024312A KR980006061A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006061A true KR980006061A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024312A KR980006061A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006061A (ko) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990065100A (ko) * | 1998-01-07 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
| KR100307220B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-10-19 | 박종섭 | 반도체 소자의 마스크 제조방법 |
| KR100325607B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2002-02-25 | 황인길 | 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 방법 |
| KR20030000132A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 |
| KR100389911B1 (ko) * | 1996-09-13 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자 분리 방법 |
| KR100857576B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2008-09-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의 스토리지 노드 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024312A patent/KR980006061A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389911B1 (ko) * | 1996-09-13 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자 분리 방법 |
| KR19990065100A (ko) * | 1998-01-07 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
| KR100307220B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-10-19 | 박종섭 | 반도체 소자의 마스크 제조방법 |
| KR100325607B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2002-02-25 | 황인길 | 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 방법 |
| KR20030000132A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 |
| KR100857576B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2008-09-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의 스토리지 노드 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970060447A (ko) | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 | |
| KR980006061A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970077486A (ko) | 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법 | |
| KR100289660B1 (ko) | 반도체 소자의 트렌치 형성방법 | |
| JP2002164426A5 (ko) | ||
| US6905943B2 (en) | Forming a trench to define one or more isolation regions in a semiconductor structure | |
| US6171938B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device capable of minimizing damage of lower layer using insulating layer resided in opening | |
| KR100831671B1 (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
| KR19990003538A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100528797B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 | |
| KR100416813B1 (ko) | 반도체소자의필드산화막형성방법 | |
| KR980006092A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077485A (ko) | 얕은 트렌치 소자분리방법 | |
| KR100561513B1 (ko) | 반도체 소자의 셸로우 트렌치 소자분리 방법 | |
| KR100569509B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100849064B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR100561974B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH11163119A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100417574B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| KR19980068004A (ko) | 반도체소자 분리구조 및 그 제조방법 | |
| KR960026234A (ko) | 반도체 소자의 텅스텐-플러그 형성방법 | |
| KR950004489A (ko) | 반도체 소자의 격리방법 | |
| KR980006060A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR20020042312A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |