KR970018037A - 배선구조 및 그 배선방법 - Google Patents

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Abstract

각각 다른 제1도전층, 제2도전층 및 제3도전층이 적층되어 있고, 상기 도전층의 양 측면을 제4의 도천층으로 스페이서를 형성하여 하나의 배선층을 이루는 복합구조의 형태를 갖는 배선 구조에 있어서, 제2도전층인 텅스텐 실리사이드층은 후속 공정에서 실리콘 산화막과 완전히 분리되고, 후속 열처리 공정에서 텅스텐 실리사이드의 재결정화로 인한 스트레스를 폴리 실리콘이나 아모포오스 실리콘의 재결정화로 완화시킬 수 있다.
그 결과 텅스텐 실리사이드층과 실리콘 산화막이 접촉되었을 때 보론이 계면에 침적되는 현상을 근원적으로 방지할 수 있는 효과를 발휘한다.

Description

배선구조 및 그 배선방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 배선 구조를 나타낸 것으로 제4도의 N+/P+ 배선의 평면도에서 A-A'선으로 절단한 단면도이다,
제6도는 본 발명에 의한 배선 구조를 나타낸 것으로 제4도의 N+/P+ 배선의 평면도에서 B-B'선으로 절단한 단면도이다.

Claims (5)

  1. 전기적으로 하나인 배선층 내부 구조에 있어서, 각각 다른 제1도전층, 제2도전층 및 제3도전층이 적층되어 있고, 상기 도전층의 양측면을 제4의 도전층으로 스페이서를 형성하여 하나의 배선층을 이루는 복합구조의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 배선 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층, 제3도전층 및 제4도전층은 폴리실리콘이나 아모포오스 실리콘으로 구성된 것을 특징으로 하는 배선 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전층은 내화금속(REFRACTORY METAL)인 것을 특징으로 하는 배선 구조.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내화금속(REFRACTORY METAL)은 텅스텐 실리사이드인 것을 특징으로 하는 배선 구조.
  5. 반도체기판 상에 제1도전형 영역과 제2도전형 영역을 형성한 후 절연층을 침적하고 접촉개구부를 형성하는 단계; 상기 결과물상에 폴리실리콘이나 아모포오스 실리콘을 침적하고 불순물 이온주입으로 상기 제1도전형 영역과 접촉하고 있는 부위는 제1도전형으로 제1도전층을 형성하고, 상기 제2도전형 영역과 접촉하고 있는 부위는 제2도전형으로 형성하여 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 결과물상에 텅스텐 실리사이드를 침적하여 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 결과물상에 폴리실리콘이나 아모포오스 실리콘을 침적하고 P형 불순물 이온주입하여 제3도전층을 형성하는 단계; 상기 결과물상에 실리콘 산화막을 침적하고 사진과 식각공정으로 배선층 모양을 형성하는 단계; 상기 제2도전층인 텅스텐 실리사이드와 상기 실리콘 산화막 사이에 불순물 예컨대 보론(BORON)이 침적되어 접촉저항이 증가하는 것을 막기위해 상기 결과물상에 폴리실리콘이나 아모포오스 실리콘을 침적하고 P형 불순물 이온주입으로 제4도전층을 형성한 후 상기 3개 도전층의 양 측면에 이방성 식각으로 스페이서를 형성하는 단계를 특징으로 하는 배선방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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