KR970016770A - 마스크 데이터(mask data)를 감소시키는 패턴 구성 방법 - Google Patents

마스크 데이터(mask data)를 감소시키는 패턴 구성 방법 Download PDF

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KR970016770A KR1019950032979A KR19950032979A KR970016770A KR 970016770 A KR970016770 A KR 970016770A KR 1019950032979 A KR1019950032979 A KR 1019950032979A KR 19950032979 A KR19950032979 A KR 19950032979A KR 970016770 A KR970016770 A KR 970016770A
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전찬욱
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크 데이터양을 감소시키는 마스크 패턴 구성 방법에 관해 개시한다.
본 발명은 마스크 패턴과 여기에 추가된 셰리프를 함께 구성하여 하나의 패턴으로 형성하는 마스크 패턴 구성 방법에 있어서, 상기 셰리프를 별도의 패턴화일로 구성하여 상기 마스크 패턴을 2개의 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 한 개의 마스크 패턴을 보다 적은 개수의 도형으로 구성되는 두 개 부분의 패턴으로 분리하여 형성함으로써, 마스크 데이터 양과 마스크 노광 시간을 줄일 수 있고, 동시에 자연적으로 패턴 가장자리 부분을 2중 노광함으로써 마스크 패턴을 정확하게 전사할 수 있다.

Description

마스크 데이터(MASK DATA)를 감소시키는 패턴 구성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명에 의한 마스크 패턴을 구성하는 방법을 나타낸 도면들이다.
제 5도는 종래 및 본 발명에 의해 구성된 마스크 패턴을 사용했을 경우, 중복 노광 부분을 비교하기 위한 비교예를 나타낸 도면들이다.

Claims (1)

  1. 마스크 패턴과 여기에 추가된 셰리프를 하나의 패턴으로 형성하는 마스크 패턴 구성 방법에 있어서, 상기 셰리프를 별도의 패턴화일로 구성하여 상기 마스크 패턴을 2개의 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 데이터(Mask data)를 감소시키는 마스크 패턴 구성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950032979A 1995-09-29 1995-09-29 마스크 데이터(mask data)를 감소시키는 패턴 구성 방법 KR970016770A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9164389B2 (en) 2013-08-29 2015-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning method using electron beam and exposure system configured to perform the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9164389B2 (en) 2013-08-29 2015-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning method using electron beam and exposure system configured to perform the same
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