KR970013149A - 쇼트키 장벽 다이오드 - Google Patents

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고이치 시카모토
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무라따 미치히로
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Abstract

개선된 항복 특성을 갖는 쇼트키 장벽 다이오드는 n+반도체층과, n+반도체층 위에 형성된 n-반도체층을 갖는다. n-반도체층은 메사부를 형성하도록 배열된다. 절연층은 메사부의 상면을 노출하도록 형성된다. 캐소드 전극은 n+층과 전기적으로 연결되는 반면, 애노드 전극은 노출된 면과 메사부의 측면에 형성된다. 플라즈마 처리층은, 적어도 메사부의 측면의 일부로부터 내측으로 연장되도록 n-반도체층에 형성되어 있다.

Description

쇼트키 장벽 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 종래의 쇼트키 장벽 다이오드의 구조를 나타낸 단면도이다,
도 2는 본 발명의 한 구체예에 의한 쇼트키 장벽 다이오드의 구조를 나타낸 단면도이다,
도 3a 내지 3f는 상기 쇼트키 장벽 다이오드의 제조공정을 설명하는 도이다,
도 4는 플라즈마 처리층을 갖지 않는 것을 제외하고는 도 2에 나타낸 쇼트키 장벽 다이오드와 유사한 쇼트키 장벽 다이오드의 부분 확대 단면도이다,
도 5는 플라즈마 처리층이 형성되지 않은 것을 제외하고 도 2에 나타낸 쇼트키 장벽 다이오드와 동일한 구조를 갖는 도 4의 쇼트키 장벽 다이오드에 형성된 공핍영역을 나타낸 단면도이다,
도 6은 본 발명에 의한 쇼트키 장벽 다이오드에 형성된 공핍 영역을 나타낸 단면도이다,
도 7은 다른 형태의 플라즈마 처리층을 갖는 쇼트키 장벽 다이오드를 나타낸 단면도이다,
도 8은 또 다른 형태의 플라즈마 처리층을 갖는 쇼트키 장벽 다이오드를 나타낸 단면도이다.

Claims (9)

  1. n+반도체층과, n+반도체층상에 형성되어 있으며, 또한 메사부의 하면으로부터 상면을 향하여 상측으로 돌출하는 메사부 및 상면과 하면 사이에 위치하는 측면을 갖는 n-반도체층과, 적어도 측면 및 상면의 외주에 형성된 절연층과, 상면의 외주내에 위치하는 상면의 중심부에 형성되어 있으며, n-층과 쇼트키 접촉하고 있는 애노드 전극 및 n+반도체층상에 형성된 캐소드 전극을 포함하며, n-반도체층이 적어도 측면의 일부로부터 내측으로 연장하는 플라즈마 처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리층이 메사부의 상기 하면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서, 프라즈마 처리층이 메사부의 측면 및 상면의 전체에 형성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리층이 메사부의 상기 하면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서, 플라즈마 처리층이 상기 애노드 전극에 인접하는 상기 상면의 일부에 더 형성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리층이 메사부의 상기 하면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리층이, 상기 애노드 전극이 상기 n-반도체층과 접촉하는 n-반도체층의 일부 가장자리에 있어서의 전계의 집중을 감소시키는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  8. 제 1 항에 있어서, 적어도 메사부의 상면의 외주 및 측면에 형성된 절연층을 더 포함하며, 상기 애노드 전극이 상면의 상기 중심부로부터 상기 절연층까지 더 연장하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리층이, 상기 애노드 전극이 상기 절연층과 접촉하는 n-반도체층의 일부 가장자리에 있어서의 전계의 집중을 감소시키는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 다이오드.
KR1019960035133A 1995-08-25 1996-08-23 쇼트키 장벽 다이오드 KR100231797B1 (ko)

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