KR970012706A - 반도체기억장치 및 동기 dram - Google Patents

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KR970012706A
KR970012706A KR1019960032321A KR19960032321A KR970012706A KR 970012706 A KR970012706 A KR 970012706A KR 1019960032321 A KR1019960032321 A KR 1019960032321A KR 19960032321 A KR19960032321 A KR 19960032321A KR 970012706 A KR970012706 A KR 970012706A
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semiconductor memory
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KR1019960032321A
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유지 사카이
간지 오이시
Original Assignee
가나이 츠토무
히다치세사쿠쇼 가부시기가이샤
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100627759B1 (ko) * 2003-09-16 2006-09-25 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 버스트 모드에서의 액세스 타임을 향상시키기 위한 반도체기억 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100627759B1 (ko) * 2003-09-16 2006-09-25 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 버스트 모드에서의 액세스 타임을 향상시키기 위한 반도체기억 장치

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Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19960802

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid