KR970003859A - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 금속배선 제조 방법에 있어서, 동일한 식각 장치 내에서 TiN막, 알루미늄 합금막, 텅스텐막 및 Ti+TiN 복합막을 식각할 경우 장시간이 소요되어 식각 장치에 무리가 가해지게 되고 C1계 가스와 F계 가스의 혼합으로 식각장치내에 불순물 입자의 발생이 증가할 가능성이 커져서 제조 수율이 저하하게 되며 식각 종료 후에는 감광막 패턴의 경화로 인해 제거하기 어렵다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
티타늄 나이트라이드막과 알루미늄 합금막을 식각한 다음에 감광막 패턴을 제거하고, 노출된 티타늄 나이트라이드막을 식각 마스크로 하여 텅스텐막을 식각한 다음에 노출된 티타늄 나이트라이드막과 티타늄-티타늄나이트라이드 복합막을 동시에 식각함으로써, 파티클에 의한 오염을 방지하고 감광막의 경화를 방지할 수 있는 금속 배선 형성 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
초미세 콘택홀을 갖는 고집적 반도체 소자 제조에 이용됨.

Description

반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 금속 배선 형성 방법에 따른 제조 공정도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 금속 배선을 형성하는 방법에 있어서, 모스 트랜지스터가 형성되고 상기 트랜지스터의 접합 영역에 콘택홀이 형성되어 있는 전체 구조 상부에, 소정 두께의 티타늄-티타늄 나이트라이드 복합막, 텅스텐막, 알루미늄 합금막 및 반사 방지막을 각각 적층하는 단계와, 금속 배선을 정의하기 위한 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로하여, 비등방성 식각법으로 상기 반사 방지막 및 상기 알루미늄 합금막을 식각하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 노출된 반사 방지막을 식각 마스크로 하여 상기 턴스텐막을 식각하는 단계 및, 상기 노출된 반사 방지막과 티타늄-티타늄 나이트라이드 복합막을 식각하는 단계를 포함해서 이루어진 금속 배선 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막은 티타늄 나이트라이드막인 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 방지막 및 상기 일루미늄 합금막을 식각하는 단계와 상기 턴스텐막을 식각하는 단계는 서로 다른 식각 장치를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 텅스텐막을 식각하는 단계는 텅스텐과 티타늄 나이트라이드의 식각비가 약 30:1되는 공정 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 노출된 반사 방지막과 티타늄-티타늄 나이트라이드 복합막은 C12가스와 Ar 가스를 사용하여 동시에 식각되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계 이후에, 초순수를 이용하여 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계는 적정 비율로 혼합된 O2, CF4, CH3OH 및 H2O 가스를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 초순수를 이용한 세척하는 단계는 약 10%이하의 감광막 현상액을 포함하는 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420179B1 (ko) * 2002-05-07 2004-03-02 주식회사 하이닉스반도체 패드 필링이 방지된 반도체 장치의 제조 방법
KR20230107732A (ko) 2022-01-09 2023-07-18 주식회사 솔팩 액상물받이를 구비한 로터리형 식품 자동포장 장치

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